高通聯(lián)發(fā)科海思手機(jī)芯片10nm大戰(zhàn)開打

　　手機(jī)晶片10奈米大戰(zhàn)正式開打!手機(jī)晶片龍頭高通(Qualcomm)搶在美國消費(fèi)性電子展(CES)前發(fā)表10奈米Snapdragon 835手機(jī)晶片，采用三星10奈米制程生產(chǎn)。聯(lián)發(fā)科交由臺(tái)積電10奈米代工的Helio X30也已進(jìn)入量產(chǎn)階段，明年上半年將再推出Helio X35搶市，至于華為旗下海思半導(dǎo)體Kirin 970也將在明年采用臺(tái)積電10奈米量產(chǎn)。

　　高通宣布子公司高通技術(shù)公司發(fā)表新一代Snapdragon 835手機(jī)晶片，雖然大部份細(xì)節(jié)規(guī)格都還沒正式公布，但說明將支援最新的Quick Charge 4快充技術(shù)，進(jìn)行5分鐘充電后，將手機(jī)使用時(shí)間延長至5小時(shí)以上，且Quick Charge 4支援 Type-C連接埠和通用匯流排電力傳輸(USB-PD)，可廣泛的適用于各種連接線和轉(zhuǎn)接器之上。

　　聯(lián)發(fā)科早在10月初就說明了新一代10奈米Helio X30手機(jī)晶片部份細(xì)節(jié)。聯(lián)發(fā)科Helio X30手機(jī)晶片是10核心架構(gòu)，確認(rèn)將采用2+4+4的三叢集運(yùn)算架構(gòu)，包括運(yùn)算時(shí)脈高達(dá)2.8GHz二核心ARM Cortex-A73、搭配運(yùn)算時(shí)脈達(dá)2.2GHz的四核心ARM Cortex-A53、以及運(yùn)算時(shí)脈達(dá)2.0GHz的四核心 ARM Cortex-A35。與上一代十核心Helio X20手機(jī)晶片相較，運(yùn)算效能可提升43%，功耗上則可節(jié)省58%。

　　聯(lián)發(fā)科Helio X30已經(jīng)在第四季將率先進(jìn)入量產(chǎn)投片階段，采用臺(tái)積電10奈米制投片，策略上就是希望藉由臺(tái)積電在晶圓代工市場的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢來打造Helio X30，以對(duì)抗采用三星10奈米生產(chǎn)的高通Snapdragon 835。同時(shí)，聯(lián)發(fā)科新一代Helio X30手機(jī)晶片支援LTE Cat.10規(guī)格，并且是全球全模的手機(jī)晶片，預(yù)期明年第一季將可順利出貨，明年上半年還會(huì)再推出支援Cat.12的10奈米Helio X35搶市。

　　華為旗下海思半導(dǎo)體已經(jīng)加快10奈米微縮速度，業(yè)界預(yù)期，明年上半年將會(huì)推出首款采用臺(tái)積電10奈米生產(chǎn)的Kirin 970手機(jī)晶片，雖然架構(gòu)上可能仍是8核心，但在數(shù)據(jù)機(jī)上會(huì)率先支援Cat.12的全球全模規(guī)格。