高通驍龍835規(guī)格曝光:3GHz主頻 8核設(shè)計(jì)
高通旗艦處理器驍龍835已經(jīng)曝光多次,該處理將采用三星10nm制程?,F(xiàn)在又有網(wǎng)友曝光了驍龍835規(guī)格參數(shù),稱驍龍835的主頻為3.0GHz,并采用八核設(shè)計(jì)。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201611/340755.htm爆料稱,驍龍835將采用10nm八核心設(shè)計(jì),大小核均為Kryo架構(gòu),大核心頻率3GHz,小核心頻率2.4GHz,GPU為Adreno 540,支持4K屏、UFS 2.1、雙攝以及LPDDR4x四通道內(nèi)存,整合了Cat.16基帶。
高通方面還透露,驍龍835處理器還將支持全新的Quick Charge 4.0快充技術(shù)。其充電5分鐘可以延長手機(jī)使用時(shí)長5小時(shí),充電效率比之前增加30%。此外QC 4.0還集成了對USB-C和USB-PD(Power Delivery)的支持,適配范圍更廣泛。
雖然高通表示搭載驍龍835會(huì)在明年初出貨,但要到明年二季度才能看到驍龍835手機(jī)。對此業(yè)內(nèi)人士猜測,此次高通與三星合作研發(fā),很可能意味著三星下一代旗艦機(jī)型Galaxy S8將首發(fā)驍龍835。根據(jù)早前消息三星S8的發(fā)布會(huì)時(shí)間確定為MWC2017年之前,也就是2017年2月26日前后。另按照此前生產(chǎn)手機(jī)的流程,三星現(xiàn)在已經(jīng)向零組件供應(yīng)商下訂單出貨,生產(chǎn)工作會(huì)在年底前開始。
除了驍龍835,還有一款驍龍660也將在明年發(fā)布,該處理器同樣是八核心設(shè)計(jì),不過制程工藝換成了14nm,架構(gòu)為A73和A53組合,GPU為Adreno 512,支持2K屏。其余規(guī)格還包括雙通道LPDDR4x內(nèi)存、LTE Cat.10基帶,QC4.0、以及UFS 2.1等等。
爆料人士稱,搭載驍龍660的手機(jī)有望在明年第三季度和我們見面。
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