高通驍龍835規(guī)格曝光：3GHz主頻 8核設計
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高通旗艦處理器驍龍835已經(jīng)曝光多次，該處理將采用三星10nm制程。現(xiàn)在又有網(wǎng)友曝光了驍龍835規(guī)格參數(shù)，稱驍龍835的主頻為3.0GHz，并采用八核設計。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/201611/340755.htm
爆料稱，驍龍835將采用10nm八核心設計，大小核均為Kryo架構(gòu)，大核心頻率3GHz，小核心頻率2.4GHz，GPU為Adreno 540，支持4K屏、UFS 2.1、雙攝以及LPDDR4x四通道內(nèi)存，整合了Cat.16基帶。
高通方面還透露，驍龍835處理器還將支持全新的Quick Charge 4.0快充技術(shù)。其充電5分鐘可以延長手機使用時長5小時，充電效率比之前增加30%。此外QC 4.0還集成了對USB-C和USB-PD(Power Delivery)的支持，適配范圍更廣泛。
雖然高通表示搭載驍龍835會在明年初出貨，但要到明年二季度才能看到驍龍835手機。對此業(yè)內(nèi)人士猜測，此次高通與三星合作研發(fā)，很可能意味著三星下一代旗艦機型Galaxy S8將首發(fā)驍龍835。根據(jù)早前消息三星S8的發(fā)布會時間確定為MWC2017年之前，也就是2017年2月26日前后。另按照此前生產(chǎn)手機的流程，三星現(xiàn)在已經(jīng)向零組件供應商下訂單出貨，生產(chǎn)工作會在年底前開始。
除了驍龍835，還有一款驍龍660也將在明年發(fā)布，該處理器同樣是八核心設計，不過制程工藝換成了14nm，架構(gòu)為A73和A53組合，GPU為Adreno 512，支持2K屏。其余規(guī)格還包括雙通道LPDDR4x內(nèi)存、LTE Cat.10基帶，QC4.0、以及UFS 2.1等等。
爆料人士稱，搭載驍龍660的手機有望在明年第三季度和我們見面。
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