美光第二代3D NAND年底大規(guī)模量產(chǎn)
今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價救了美光公司,他們本周一正式收購了華亞科公司,內(nèi)存業(yè)務如虎添翼,而閃存方面,美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存,第一代3D NAND閃存的成本也符合預期,堆棧層數(shù)達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了,今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201612/341659.htm對于3D NAND閃存,我們并不陌生,現(xiàn)在市場上很多SSD都轉(zhuǎn)向了3D NAND閃存,不論是性能還是容量或者是寫入壽命,3D NAND閃存都要比傳統(tǒng)2D NAND閃存好得多,廠商也會借此降低成本,提高產(chǎn)量。以美光為例,他們的2D NAND閃存主力是16nm工藝的,MLC/TLC閃存的核心容量不過128Gb,而3D NAND技術(shù)的MLC閃存核心容量就有256Gb,TLC更是達到384Gb,大大高于2D NAND閃存。
在轉(zhuǎn)向3D NAND方面,實力最強的三星跑得最快,東芝/閃迪、SK Hynix次之,Intel和美光公司算是比較慢的了,不過一旦3D NAND閃存開始量產(chǎn),由于容量先天性的優(yōu)勢,產(chǎn)能超過2D NAND閃存是遲早的事。美光CFO Ernie Maddock在參加巴克萊銀行全球技術(shù)、媒體及通訊大會上就確認,該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能與2D NAND閃存已經(jīng)來到拐點上,也就是說3D閃存的產(chǎn)能(以bit容量計)要超過2D NAND閃存了。
美光第一代3D NAND閃存成本比2D NAND閃存至少降低20%
Ernie Maddock還提到他們第一代3D NAND閃存在降低成本上已經(jīng)達到預期目標,此前美光在今年上半年的路線圖上指出3D NAND閃存比2D NAND降低至少20%的成本,現(xiàn)在已經(jīng)實現(xiàn)了20-25%的成本降低。
美光第二代3D NAND閃存也即將量產(chǎn)
對美光來說,好事還不止這一件,他們的第二代3D NAND閃存也要量產(chǎn)了,早前美光公布消息稱第二代3D NAND今年夏季在新加坡的Fab 10X工廠開始生產(chǎn),相比目前的32層堆棧,第二代3D NAND閃存堆棧層數(shù)提升到64層,容量進一步提高,成本也會進一步降低30%。
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