手機(jī)廠家紛紛漲價(jià)全是因?yàn)樗?/h1>
3月1日，樂視宣布，對旗下樂Pro 3進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。在這之前，魅族、紅米、努比亞已先后宣布了漲價(jià)措施……手機(jī)廠家紛紛執(zhí)行漲價(jià)措施，往常都想用低價(jià)策略吸引用戶的廠家們這次都是因?yàn)槭裁茨?
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/201703/345405.htm 有沒有朋友發(fā)現(xiàn)目前市場上的閃存類產(chǎn)品價(jià)格在悄悄增長，包括我們熟悉的U盤、內(nèi)存、硬盤類產(chǎn)品，這些產(chǎn)品和近期紛紛宣布漲價(jià)的手機(jī)是否有什么關(guān)系呢?
關(guān)鍵在于它們都使用了一種核心器件：Flash Memory，也就是大家說的“閃存”，而這類器件由于目前生產(chǎn)減少，出現(xiàn)了供不應(yīng)求的狀況，導(dǎo)致其價(jià)格上漲，最終反應(yīng)在各類終端產(chǎn)品上。
那么到底有多少人知道Flash是什么呢?身處在這個(gè)高科技時(shí)代，理應(yīng)更多的了解這方面的內(nèi)容，才不至于被科技淘汰。接下來就為大家簡單介紹一下什么是“Flash Memory(閃存)”。
Flash Memory(閃存)
為了避免概念復(fù)雜，我們以電腦的內(nèi)存條和硬盤為例來說明：
內(nèi)存條：每次開關(guān)機(jī)需要重新將數(shù)據(jù)加載到內(nèi)存中運(yùn)行，通電狀態(tài)下可運(yùn)行，掉電后數(shù)據(jù)丟失，無法保存;
硬盤：數(shù)據(jù)寫入后可長期保存，在沒有上電的情況下數(shù)據(jù)也不易丟失，可長久保存數(shù)據(jù)。
表 1 閃存說明
閃存就相當(dāng)于上面的硬盤功能，可在沒有電流供應(yīng)的條件下長久地保存數(shù)據(jù)，正是這個(gè)特點(diǎn)讓它成為各類便攜式智能數(shù)字設(shè)備的寵兒。而目前市面上主要的閃存器件分為2種：Nand Flash、Nor flash.
Nand Flash、Nor flash
Nor Falsh技術(shù)在1988年被Intel開發(fā)出，在當(dāng)時(shí)意義重大，徹底改變了EPROM、EEPROM一統(tǒng)天下的局面;東芝在1989年發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)更多的降低成本，并且實(shí)現(xiàn)更高的性能。目前，NAND和NOR是市場上兩種主要的非易失性閃存技術(shù)，它們各有特點(diǎn)，在不同的領(lǐng)域中發(fā)揮著重要的作用。
Nand Flash和Nor Flash在應(yīng)用上各有所長，如下表所示：
表 2 NAND與NOR對比
從實(shí)用的角度來看,和Flash和NAND閃存之間的主要區(qū)別在于接口。NOR Flash全隨機(jī)訪問內(nèi)存映射和專用接口(如EPROM)地址和數(shù)據(jù)行。另一方面,NAND閃存沒有地址專線。它是由通過8/16發(fā)送命令,地址和數(shù)據(jù)總線位寬(I / O接口)內(nèi)部寄存器，這樣就為許多主控提供了更靈活的配置方式。
NAND Flash更適合在各類需要大數(shù)據(jù)的設(shè)備中使用，如U盤、各種存儲卡、MP3播放器等，而NOR Flash更適合用在高性能的工業(yè)產(chǎn)品中。
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3月1日，樂視宣布，對旗下樂Pro 3進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。在這之前，魅族、紅米、努比亞已先后宣布了漲價(jià)措施……手機(jī)廠家紛紛執(zhí)行漲價(jià)措施，往常都想用低價(jià)策略吸引用戶的廠家們這次都是因?yàn)槭裁茨?
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/201703/345405.htm有沒有朋友發(fā)現(xiàn)目前市場上的閃存類產(chǎn)品價(jià)格在悄悄增長，包括我們熟悉的U盤、內(nèi)存、硬盤類產(chǎn)品，這些產(chǎn)品和近期紛紛宣布漲價(jià)的手機(jī)是否有什么關(guān)系呢?
關(guān)鍵在于它們都使用了一種核心器件：Flash Memory，也就是大家說的“閃存”，而這類器件由于目前生產(chǎn)減少，出現(xiàn)了供不應(yīng)求的狀況，導(dǎo)致其價(jià)格上漲，最終反應(yīng)在各類終端產(chǎn)品上。
那么到底有多少人知道Flash是什么呢?身處在這個(gè)高科技時(shí)代，理應(yīng)更多的了解這方面的內(nèi)容，才不至于被科技淘汰。接下來就為大家簡單介紹一下什么是“Flash Memory(閃存)”。
Flash Memory(閃存)
為了避免概念復(fù)雜，我們以電腦的內(nèi)存條和硬盤為例來說明：
內(nèi)存條：每次開關(guān)機(jī)需要重新將數(shù)據(jù)加載到內(nèi)存中運(yùn)行，通電狀態(tài)下可運(yùn)行，掉電后數(shù)據(jù)丟失，無法保存;
硬盤：數(shù)據(jù)寫入后可長期保存，在沒有上電的情況下數(shù)據(jù)也不易丟失，可長久保存數(shù)據(jù)。
表 1 閃存說明
閃存就相當(dāng)于上面的硬盤功能，可在沒有電流供應(yīng)的條件下長久地保存數(shù)據(jù)，正是這個(gè)特點(diǎn)讓它成為各類便攜式智能數(shù)字設(shè)備的寵兒。而目前市面上主要的閃存器件分為2種：Nand Flash、Nor flash.
Nand Flash、Nor flash
Nor Falsh技術(shù)在1988年被Intel開發(fā)出，在當(dāng)時(shí)意義重大，徹底改變了EPROM、EEPROM一統(tǒng)天下的局面;東芝在1989年發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)更多的降低成本，并且實(shí)現(xiàn)更高的性能。目前，NAND和NOR是市場上兩種主要的非易失性閃存技術(shù)，它們各有特點(diǎn)，在不同的領(lǐng)域中發(fā)揮著重要的作用。
Nand Flash和Nor Flash在應(yīng)用上各有所長，如下表所示：
表 2 NAND與NOR對比
從實(shí)用的角度來看,和Flash和NAND閃存之間的主要區(qū)別在于接口。NOR Flash全隨機(jī)訪問內(nèi)存映射和專用接口(如EPROM)地址和數(shù)據(jù)行。另一方面,NAND閃存沒有地址專線。它是由通過8/16發(fā)送命令,地址和數(shù)據(jù)總線位寬(I / O接口)內(nèi)部寄存器，這樣就為許多主控提供了更靈活的配置方式。
NAND Flash更適合在各類需要大數(shù)據(jù)的設(shè)備中使用，如U盤、各種存儲卡、MP3播放器等，而NOR Flash更適合用在高性能的工業(yè)產(chǎn)品中。
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