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聯(lián)發(fā)科與其苦守10nm 不如選用16nm

作者: 時間:2017-05-02 來源:柏銘科技 收藏

  臺媒報道,全球第二大手機芯片企業(yè)在近日確定減少對臺積電6月至8月約三分之一的訂單,在當(dāng)前的環(huán)境下是一個合適的選擇,轉(zhuǎn)而采用FinFET工藝和10nm工藝可以更好的應(yīng)對高通等芯片企業(yè)的競爭。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201705/358619.htm
聯(lián)發(fā)科與其苦守10nm 不如選用16nm

  2016年大賣的芯片是helio P10,當(dāng)時中國大陸兩大手機品牌OPPO和vivo大量采用該款芯片,在OV兩家的出貨量連續(xù)翻倍增長的情況下,的出貨量也節(jié)節(jié)攀升,甚至一度在中國大陸市場的份額超過高通,而helio P10正是采用臺積電的28nm工藝。

  去年三季度高通的中端芯片驍龍625轉(zhuǎn)而采用三星的14nm FinFET工藝,先進工藝帶來了更好的性能,特別重要的是降低了功耗。驍龍625是八核A53架構(gòu),在14nm FinFET工藝的支持下,表現(xiàn)出了優(yōu)異的性能和功耗,據(jù)測試該款芯片在運行大型游戲等應(yīng)用時候運行非常穩(wěn)定。

  高通的中高端芯片驍龍653則繼續(xù)采用臺積電的28nm工藝,驍龍653為四核A73+四核A53架構(gòu),A73本就是高性能高功耗的核心,驍龍653雖然較驍龍625有更高的性能,但是被發(fā)現(xiàn)出現(xiàn)一定的發(fā)熱問題,在運行大型游戲時候會由于發(fā)熱量太大性能迅速下降以保持芯片的正常運行。

  在驍龍625的優(yōu)異表現(xiàn)影響下,高通今年推出的中高端芯片驍龍653的繼任者驍龍660已確定轉(zhuǎn)而采用三星的14nm FinFET。在高通全面轉(zhuǎn)向更先進的14nm FinFET工藝情況影響下,聯(lián)發(fā)科理所應(yīng)當(dāng)放棄落后的28nm工藝。

  不過聯(lián)發(fā)科今年的錯誤在于它太過于激進,其高端芯片helio X30和中端芯片helio P35都直接跳過臺積電的FinFET轉(zhuǎn)用最先進的10nm工藝,希望通過引入先進的工藝實現(xiàn)在中高端市場同時挑戰(zhàn)高通的目標。

  結(jié)果卻因為臺積電的10nm工藝并沒能如期在去年底量產(chǎn),正式量產(chǎn)后又遭遇了良率過低的問題被迫進行改進,這就導(dǎo)致了聯(lián)發(fā)科的helio X30一再延期,如今中國大陸手機品牌普遍已放棄采用該芯片。聯(lián)發(fā)科的helio P35如果能在二季度量產(chǎn)還能獲得了一些中國大陸手機品牌采用,如果延遲到三季度投產(chǎn)的話那時候又要與蘋果的A11處理器搶10nm工藝產(chǎn)能,從臺積電一直優(yōu)先照顧蘋果的情況來看真到那時P35的量產(chǎn)必然又只得再延期了。

  在這種情況下,偏偏聯(lián)發(fā)科還遭遇了另一個問題,那就是中國移動早在2015年底就宣布要求手機廠商和芯片廠商要支持LTE Cat7以上技術(shù),中國移動占有中國智能手機市場約六成市場份額,對智能手機市場有重要的影響力。聯(lián)發(fā)科在helio X30和P35上市之前,其他手機芯片都只能最高支持LTE Cat6技術(shù),這也是中國大陸手機品牌紛紛放棄聯(lián)發(fā)科芯片的重要原因之一。

  筆者認為,聯(lián)發(fā)科在當(dāng)下應(yīng)該放棄10nm工藝,轉(zhuǎn)而采用臺積電的FinFET或該工藝的改進版即12nm FinFET,這兩項工藝技術(shù)成熟,產(chǎn)能充足,而在能效方面比三星的14nm FinFET更先進,同樣有助于它與高通競爭,以迅速穩(wěn)住當(dāng)下正逐漸流失的中國大陸手機品牌客戶。



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