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國(guó)際大廠力量強(qiáng)勢(shì),中國(guó)存儲(chǔ)器明年迎 “大戰(zhàn)”

作者: 時(shí)間:2017-11-14 來源:中國(guó)電子報(bào) 收藏
編者按:存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)是一個(gè)長(zhǎng)期的過程,不可能一蹴而就。在未來相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi),中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)必須是一個(gè)踏踏實(shí)實(shí)的“跟隨者”與“學(xué)習(xí)者”,同樣又是一個(gè)與產(chǎn)業(yè)共同進(jìn)步的“貢獻(xiàn)者”。

  兆易創(chuàng)新與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股(集團(tuán))有限公司最近簽署《關(guān)于研發(fā)項(xiàng)目之合作協(xié)議》,約定雙方在安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)合作開展工藝制程19nm的12英寸晶圓(含DRAM等)研發(fā)項(xiàng)目,項(xiàng)目預(yù)算約為180億元。此前,業(yè)界一直有兆易創(chuàng)新將與合肥長(zhǎng)鑫合作發(fā)展DRAM內(nèi)存芯片的消息傳出。此協(xié)議的簽署表明兆易創(chuàng)新正式加入存儲(chǔ)競(jìng)爭(zhēng)格局。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201711/371413.htm

  除兆易創(chuàng)新以及合肥長(zhǎng)鑫外,國(guó)內(nèi)投入存儲(chǔ)芯片的主要企業(yè)還包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)和福建晉華,目前三大存儲(chǔ)芯片企業(yè)均在加緊建設(shè)存儲(chǔ)芯片工廠,最快的預(yù)計(jì)將于明年下半年開始投產(chǎn)。也就是說,2018年有望成為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器主流化發(fā)展元年。

  兆易創(chuàng)新正式入局DRAM內(nèi)存競(jìng)爭(zhēng)

  10月31日晚間,兆易創(chuàng)新發(fā)布重大事項(xiàng)停牌公告,稱擬籌劃重大事項(xiàng),該事項(xiàng)可能涉及發(fā)行股份購(gòu)買資產(chǎn)。業(yè)界分析此舉或與合肥方面簽署180億元存儲(chǔ)器項(xiàng)目有關(guān)。根據(jù)合作協(xié)議,兆易創(chuàng)新將在合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū)內(nèi)開展工藝制程19nm存儲(chǔ)器的12英寸晶圓存儲(chǔ)器(含DRAM等)的研發(fā),目標(biāo)是在2018年12月31日前研發(fā)成功,即實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品良率不低于10%。項(xiàng)目預(yù)算達(dá)180億元,兆易創(chuàng)新與合肥產(chǎn)投將根據(jù)1∶4的比例負(fù)責(zé)籌集,兆易創(chuàng)新負(fù)責(zé)籌集約36億元。

  當(dāng)前,兆易創(chuàng)新的主導(dǎo)產(chǎn)品為特種存儲(chǔ)器NOR Flash,是全球五大NOR Flash供應(yīng)商之一,同時(shí)也供應(yīng)SPI NAND和SLC NAND等。兆易創(chuàng)新一直希望進(jìn)入主流存儲(chǔ)器DRAM內(nèi)存市場(chǎng)。此前,兆易創(chuàng)新曾計(jì)劃收購(gòu)芯成半導(dǎo)體(ISSI),作為DRAM研發(fā)基地。芯成半導(dǎo)體是國(guó)際主要SRAM供應(yīng)商之一,也有部分DRAM產(chǎn)品。該合作案終止后,兆易創(chuàng)新又轉(zhuǎn)而啟動(dòng)了與合肥的合作研發(fā)計(jì)劃。作為合肥發(fā)展存儲(chǔ)器的主要平臺(tái),合肥長(zhǎng)鑫計(jì)劃投資72億美元建設(shè)存儲(chǔ)芯片工廠,以DRAM存儲(chǔ)芯片為主。

  目前國(guó)內(nèi)主流存儲(chǔ)器芯片的參與者主要有三家,分別是國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和紫光集團(tuán)共同投資的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、福建晉華和合肥長(zhǎng)鑫。長(zhǎng)江存儲(chǔ)初期定位于3D NAND生產(chǎn),后期將進(jìn)行DRAM產(chǎn)品的開發(fā)。9月28日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房實(shí)現(xiàn)提前封頂,預(yù)計(jì)將于2018年投入使用,項(xiàng)目(一期)達(dá)產(chǎn)后,總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月,年產(chǎn)值將超過100億美元。長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧表示,在武漢將產(chǎn)生距世界前沿最近的中國(guó)自主生產(chǎn)的存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品,滿產(chǎn)后能供應(yīng)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片需求的50%以上。

  福建晉華以DRAM存儲(chǔ)芯片為主,投資額達(dá)到370億元,預(yù)計(jì)2018年投產(chǎn)。其與中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)主要代工廠之一的聯(lián)電合作,由后者協(xié)助開發(fā)DRAM存儲(chǔ)芯片技術(shù)。日前,聯(lián)電表示將于明年第四季度完成第一階段技術(shù)開發(fā)。

  國(guó)際大廠擴(kuò)產(chǎn)將形成價(jià)格壓力

  根據(jù)三家存儲(chǔ)廠的規(guī)劃,研發(fā)及投產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)大多落在2018年。因此,明年將成為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器發(fā)展的關(guān)鍵一年。而從市場(chǎng)狀況來看,2017年全球內(nèi)存芯片價(jià)格持續(xù)高漲,集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示,2017年全球內(nèi)存平均銷售單價(jià)較去年增長(zhǎng)35.2%,全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)營(yíng)收增長(zhǎng)60%~65%。如果這種局面得以延續(xù),對(duì)新投入存儲(chǔ)市場(chǎng)的中國(guó)企業(yè)來說將是一大利好,對(duì)開局是一個(gè)有利條件。

  然而,日前有消息稱,三星等國(guó)際存儲(chǔ)器大廠已有2018年擴(kuò)產(chǎn)的計(jì)劃。集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)研究協(xié)理吳雅婷指出,以主流標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存模組(DDR4 4GB)合約價(jià)為例,從去年中開始起漲,由當(dāng)時(shí)的13美元均價(jià)拉升至今年第四季度合約價(jià)30.5美元,報(bào)價(jià)連續(xù)6個(gè)季度增長(zhǎng),合計(jì)漲幅超過130%,帶動(dòng)相關(guān)DRAM大廠獲利能力大幅提升。在連續(xù)數(shù)季內(nèi)存價(jià)格上升的帶動(dòng)下,SK海力士、美光皆累積許多現(xiàn)金在手。有了豐沛的資源,SK海力士將在年底展開18nm制程,無錫二廠也將在明年興建,預(yù)計(jì)2019年產(chǎn)出;美光借著股價(jià)水漲船高之際宣布現(xiàn)金增資,代表未來在蓋新廠、擴(kuò)張產(chǎn)能與制程升級(jí)上做好了準(zhǔn)備;三星也有意將其平澤廠二樓原定興建NAND的產(chǎn)線,部分轉(zhuǎn)往生產(chǎn)DRAM,并全數(shù)采用18nm制程,加上原有Line17還有部分空間可以擴(kuò)產(chǎn),預(yù)計(jì)三星此舉最多將2018年DRAM產(chǎn)出量提升80K~100K晶圓,帶動(dòng)三星明年產(chǎn)出供給量由原本預(yù)估的增長(zhǎng)18%上升至23%。

  三星等國(guó)際大廠的擴(kuò)產(chǎn)勢(shì)必壓抑內(nèi)存價(jià)格上漲幅度,同時(shí)也將提升中國(guó)企業(yè)的進(jìn)入門檻。

  產(chǎn)業(yè)鏈密切協(xié)作推進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)

  市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求在不斷增長(zhǎng),根據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù),2016年規(guī)模最大的細(xì)分市場(chǎng)是邏輯電路,容量為883億美元;存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)容量居第二位,為743億美元,兩者的差距已縮小到20%以內(nèi)。中國(guó)是全球最大的服務(wù)器、PC和智能手機(jī)市場(chǎng),對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求也極為龐大。然而,面對(duì)國(guó)際巨頭產(chǎn)能技術(shù)市場(chǎng)等全方位領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)芯片勢(shì)必面臨巨大挑戰(zhàn)。

  對(duì)此,兆易創(chuàng)新董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理朱一明指出,目前中國(guó)企業(yè)在特殊存儲(chǔ)器市場(chǎng)已經(jīng)形成一定基礎(chǔ),但在主流存儲(chǔ)器如NAND Flash、DRAM方面卻存在著鴻溝。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起需要上下游產(chǎn)業(yè)鏈之間密切協(xié)作互助,形成合力。此前,兆易創(chuàng)新在NOR Flash方面與中芯國(guó)際合作,發(fā)揮虛擬IDM的優(yōu)勢(shì)。在DRAM方面,兆易創(chuàng)新也有可能采取同樣策略,與合肥長(zhǎng)鑫形成類似合作模式。

  行業(yè)專家莫大康也指出,中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)是一個(gè)長(zhǎng)期的過程,不可能一蹴而就。在未來相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi),中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)必須是一個(gè)踏踏實(shí)實(shí)的“跟隨者”與“學(xué)習(xí)者”,同樣又是一個(gè)與產(chǎn)業(yè)共同進(jìn)步的“貢獻(xiàn)者”。與全球其他地區(qū)不同,此次中國(guó)傾全力來發(fā)展半導(dǎo)體業(yè),因此相對(duì)實(shí)力十分強(qiáng)大,是全球其他地區(qū)與國(guó)家無法比擬的,即便暫時(shí)道路有些迂回,也沒有什么可怕的。



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