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高通驍龍6系芯片:下半年升級為10nm工藝

作者: 時間:2018-02-28 來源:快科技 收藏

  2月26日,聯(lián)發(fā)科在MWC2018上發(fā)布了Helio P60,它基于臺積電12nmFinFET工藝打造,采用4顆Cortex A73大核+4顆Cortex A53小核組成,CPU最高頻率為2.0GHz,GPU為Mali-G72 MP3,頻率為800MHz。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201802/376198.htm

  它最高支持8GB LPDDR4X內存,閃存最高支持UFS 2.1。

  從規(guī)格不難看出,聯(lián)發(fā)科Helio P60定位中端,其對標的是驍龍6系芯片。不過對于來說,聯(lián)發(fā)科似乎并沒有對其構成威脅。

  據業(yè)內人士@草Grass草透露,2018年下半年驍龍6系以上芯片全線升級為工藝制程,并開始向4系滲透,對聯(lián)發(fā)科形成全面包圍之勢。

  這次升級,不僅使高通驍龍6系芯片性能有所提升,功耗、發(fā)熱控制也會更加優(yōu)秀,屆時對聯(lián)發(fā)科Helio P60帶來不小的壓力。

  根據此前曝光的消息,高通下一代中端芯片驍龍670將采用工藝制程,其CPU內核將會以big.LITTLE架構的形式呈現(xiàn)。

  它有2顆高端定制Cortes A-75內核,用Kryo 300 Gol架構搭建;還有6顆低端定制Cortex A-55內核,用Kryo 300 Silver架構搭建。低端內核最高時鐘速度約為1.7GHz,高端內核可達2.6GHz。

高通驍龍6系芯片下半年升級為10nm工藝


關鍵詞: 高通 10nm

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