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三星2021年量產(chǎn)3nm工藝 性能提升35%

作者: 時間:2019-05-15 來源:快科技 收藏

在智能手機、存儲芯片業(yè)務(wù)陷入競爭不利或者跌價的困境之時,也將業(yè)務(wù)重點轉(zhuǎn)向邏輯工藝代工。在今天的晶圓代工SFF美國分會上,宣布四種FinFET工藝,涵蓋了7nm到4nm,再往后則是 GAA工藝了,通過使用全新的晶體管結(jié)構(gòu)可使性能提升35%、功耗降低50%,芯片面積縮小45%。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201905/400554.htm

三星2021年量產(chǎn)3nm工藝 性能提升35%

目前先進半導(dǎo)體制造工藝已經(jīng)進入10nm節(jié)點以下,臺積電去年率先量產(chǎn)7nm工藝,但沒有EUV光刻工藝,三星則選擇了直接進入7nm EUV工藝,進度上要比臺積電落后一年,不過三星現(xiàn)在要加速追趕了。

除了7nm FinFET工藝之外,三星還規(guī)劃了另外三種FinFET工藝——6nm、5nm、4nm,今年將完成6nm工藝的批量生產(chǎn),并完成4nm工藝的開發(fā)。

今年4月份將完成5nm工藝的產(chǎn)品設(shè)計,下半年準(zhǔn)備就緒,2020年三星將量產(chǎn)5nm工藝,這個進度差不多就跟臺積電量產(chǎn)5nm工藝的時間同步了,后者也是2020年量產(chǎn)5nm工藝。

4nm工藝之后三星將進入節(jié)點,官方稱之為3GAE工藝,不過工藝時代不再使用FinFET晶體管,而是使用全新的晶體管結(jié)構(gòu)——GAA(Gate-All-Around環(huán)繞柵極)晶體管,通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應(yīng)管),該技術(shù)可以顯著增強晶體管性能,主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

此外,MBCFET技術(shù)還能兼容現(xiàn)有的FinFET制造工藝的技術(shù)及設(shè)備,從而加速工藝開發(fā)及生產(chǎn)。雖然三星官方?jīng)]有明確3GAE工藝量產(chǎn)時間,不過2021年量產(chǎn)是大概率事件。

三星2021年量產(chǎn)3nm工藝 性能提升35%

與7nm技術(shù)相比,三星的3GAE工藝旨在將芯片面積減少45%,功耗降低50%或性能提高35%?;贕AA的工藝節(jié)點有望在下一代應(yīng)用中廣泛采用,例如移動、網(wǎng)絡(luò)通訊、汽車電子、人工智能(AI)和IoT物聯(lián)網(wǎng)等。

目前三星還在開發(fā)3GAE工藝中,不過他們4月份就發(fā)布了3GAE工藝的PDK 1.0工藝設(shè)計套件,旨在幫助客戶盡早開始設(shè)計工作,提高設(shè)計競爭力,同時縮短周轉(zhuǎn)時間(TAT)。

除了上述先進工藝之外,三星在低功耗的FD-SOI工藝上也會繼續(xù)深入開發(fā),今年會完成28FDS工藝后續(xù)的18FDS工藝以及1Gb容量的eMRAM存儲芯片后續(xù)的開發(fā)。

三星2021年量產(chǎn)3nm工藝 性能提升35%



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