長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)宣布其設(shè)計(jì)產(chǎn)能12萬片生產(chǎn)線投產(chǎn)

新華社消息，在合肥召開的2019世界制造業(yè)大會(huì)上，總投資約1500億元的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn)，其與國(guó)際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級(jí)第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能每月12萬片晶圓。

該項(xiàng)目2016年5月由合肥市政府旗下合肥產(chǎn)投與兆易創(chuàng)新共同出資組建。目前，項(xiàng)目已獲得工信部旗下檢測(cè)機(jī)構(gòu)中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院的量產(chǎn)良率檢測(cè)報(bào)告。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官朱一明介紹，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)投產(chǎn)的8Gb DDR4通過了多個(gè)國(guó)內(nèi)外大客戶的驗(yàn)證，今年底正式交付，另有一款供移動(dòng)終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁平爾萱日前在另一場(chǎng)合表示，公司已經(jīng)成功把從奇夢(mèng)達(dá)獲得的46納米堆棧式DRAM平穩(wěn)過度到10納米級(jí)別，公司甚至在探索HKMG、EUV甚至GAA等新技術(shù)和新工藝在DRAM上的實(shí)現(xiàn)，力爭(zhēng)未來成為存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先者。