三星率先開發(fā)出12層3D硅穿孔堆疊：HBM存儲芯片容量提至24GB

三星電子宣1布率先在業(yè)內開發(fā)出12層3D-TSV(硅穿孔)技術。

隨著集成電路規(guī)模的擴大,如何在盡可能小的面積內塞入更多晶體管成為挑戰(zhàn),其中多芯片堆疊封裝被認為是希望之星。三星稱,他們得以將12片DRAM芯片通過60000個TSV孔連接,每一層的厚度僅有頭發(fā)絲的1/20。

總的封裝厚度為720μm,與當前8層堆疊的HBM2存儲芯片相同,體現(xiàn)了極大的技術進步。

這意味著,客戶不需要改動內部設計就可以獲得更大容量的芯片。同時,3D堆疊也有助于縮短數據傳輸的時間。

三星透露,基于12層3D TSV技術的HBM存儲芯片將很快量產,單片容量從目前的8GB來到24GB。