三星新建5nm晶圓廠：先進(jìn)EUV技術(shù) 2021年投產(chǎn)

隨著時(shí)間邁入2020年中，以臺(tái)積電和三星為代表的芯片半導(dǎo)體也從7nm逐步向5nm進(jìn)發(fā)，實(shí)際上麒麟1020和蘋(píng)果A14芯片就是基于臺(tái)積電5nm工藝，表現(xiàn)相較7nm將會(huì)更上一層樓。

很明顯在7nm時(shí)代，三星是落后于臺(tái)積電的，不過(guò)這家巨頭似乎想在5nm時(shí)代彎道超車(chē)，近日據(jù)媒體報(bào)道，三星宣布將于漢城南部的平澤市建造全新的5nm晶圓廠。

該工廠是三星在韓國(guó)國(guó)內(nèi)的第六條晶圓代工產(chǎn)線，將應(yīng)用先進(jìn)的極紫外光微影（ExtremeUltravioletlithography，EUV）制程技術(shù)，拿7nmEUV工藝對(duì)比，三星5nmEUV工藝的性能提升10%，功耗降低了20%，邏輯面積效率提升25%。

三星表示這座工廠將于2021年下半年投產(chǎn)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于5G網(wǎng)絡(luò)和高效能運(yùn)算方面。

三星的野心不止于此，在規(guī)劃中的3nm時(shí)代，三星果斷拋棄了FinFET，押寶GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，試圖反超臺(tái)積電。