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11 月 10 日消息 全球頂級半導體峰會之一的 Flash Memory 峰會將于 2020 年 11 月 10 日在美國加州圣克拉拉會議中心舉行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 閃存技術，該技術具有 176 層存儲單元堆疊。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/202011/420116.htm新的 176 層閃存是美光與英特爾分手以來所研發(fā)的第二代產(chǎn)品，上一代 3D NAND 則是 128 層設計，算是美光的過渡節(jié)點。而目前在三星的存儲技術大幅度領先之下，美光 128 層 3D NAND 并沒有特別高。此外，雖然升級到了 176 層，但仍落后于三星。美光方面并未公布太多關于該技術的信息。
176 層 NAND 支持的接口速度為 1600MT / s，高于其 96 層和 128 層閃存的 1200MT / s。與 96L NAND 相比，讀（寫）延遲提高了 35% 以上，與 128L NAND 相比，提高了 25% 以上。與使用 96L NAND 的 UFS 3.1 模塊相比，美光芯片的總體混合工作負載改善了約 15%。
IT之家了解到，美光表示其 176 層 3D NAND 已開始批量生產(chǎn)，并已在某些英睿達的消費級 SSD 產(chǎn)品中出貨。
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