Rambus在三星14/11nm的HBM2E解決方案擴展其高性能內存子系統(tǒng)產品

Rambus Inc.作為業(yè)界領先的芯片和IP核供應商，致力于使數據傳輸更快更安全。近日宣布推出Rambus HBM2E內存接口子系統(tǒng)，該子系統(tǒng)包括一個完全集成的PHY和控制器，在三星先進的14 / 11nm FinFET工藝上經過硅驗證。 通過利用30多年的信號完整性專業(yè)知識，Rambus解決方案的運行速度高達3.2 Gbps，可提供410 GB / s的帶寬。 這種性能滿足了TB級帶寬加速器的需求，此類加速器針對性能要求最為嚴苛的AI / ML訓練和高性能計算（HPC）應用。

新聞摘要：

●   支持需要TB級帶寬的加速器，用于人工智能/機器學習（AI / ML）訓練應用

●   完全集成的HBM2E內存接口子系統(tǒng)，由經過驗證的PHY和控制器組成，在先進的Samsung 14/11nm FinFET工藝上經過硅驗證

●   擁有無與倫比的系統(tǒng)專業(yè)知識作為后盾，為客戶提供中介層和封裝參考設計支持，以加快產品上市時間

三星電子設計平臺開發(fā)副總裁Jongshin Shin說：“我們與Rambus的合作將業(yè)界領先的內存接口設計專業(yè)知識與三星最尖端的工藝和封裝技術結合在一起。AI和HPC系統(tǒng)的設計人員可以使用HBM2E內存實現平臺設計，利用三星先進的14 / 11nm工藝，以達到無與倫比的性能水平?！?/p>

完全集成的，可投入生產的Rambus HBM2E內存子系統(tǒng)以3.2 Gbps的速度運行，為設計人員在平臺實現上提供了很大的裕量空間。 Rambus和三星合作，通過利用三星的14/11nm工藝和先進的封裝技術對HBM2E PHY和內存控制器IP核進行硅驗證。

Rambus IP部門總經理Matt Jones表示：“由于硅片的運行速度高達3.2 Gbps，客戶可以為自己的設計留出足夠的余地來實現HBM2E存儲器子系統(tǒng)?？蛻魧⑹芤嬗谖覀兊娜嬷С?，其中包括2.5D封裝和中介層參考設計提供，有助于確保客戶一次到位成功實現?！?/p>

●   Rambus HBM2E內存接口（PHY和控制器）的優(yōu)點：

●   通過單個HBM2E DRAM 3D器件實現每引腳3.2 Gbps的速度，提供410 GB / s的系統(tǒng)帶寬

●   硅HBM2E PHY和控制器完全集成并經過驗證，可降低ASIC設計的復雜性并加快上市時間

●   作為IP授權的一部分，提供包含2.5D封裝和中介層參考設計

●   提供Rambus系統(tǒng)和SI / PI專家的技術支持，幫助ASIC設計人員確保設備和系統(tǒng)的最大信號與電源完整性

●   具有特色的LabStation?開發(fā)環(huán)境，可協(xié)助客戶回片后快速點亮系統(tǒng),校正和偵