美光確認EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節(jié)點導入

三星、SK海力士及美光確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。

芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。

此外，這個1γ工藝要更先進，10nm級別的內(nèi)存工藝中前三代是1x、1y、1z，再往后是1a、1β、1γ等。在美光之前，三星及SK海力士都更早進入了EUV節(jié)點，從去年底就開始部署EUV光刻工藝了，而且比美光更激進，最快在1a工藝節(jié)點就會量產(chǎn)EUV內(nèi)存芯片。