東芝新型IC芯片再創(chuàng)佳績(jī),可大幅提升可穿戴設(shè)備與物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備續(xù)航能力
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出TCK12xBG系列負(fù)載開關(guān)IC,可支持極低的靜態(tài)電流[1]以及1A的額定輸出電流。該系列IC采用緊湊型WCSP4G封裝,可支持產(chǎn)品開發(fā)人員設(shè)計(jì)創(chuàng)新功耗更低、電池續(xù)航能力更強(qiáng)的新一代可穿戴設(shè)備與IOT設(shè)備。該產(chǎn)品于近日開始支持批量出貨。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202201/430907.htmTCK12xBG系列采用新型驅(qū)動(dòng)電路,具有0.08nA的典型導(dǎo)通靜態(tài)電流。與東芝當(dāng)前產(chǎn)品TCK107AG相比,新系列產(chǎn)品的靜態(tài)電流降低大約99.9%,實(shí)現(xiàn)了極大的能效提升,因此由小型電池供電的可穿戴設(shè)備和IOT設(shè)備的運(yùn)行時(shí)間將得到顯著提升。
WCSP4G是專為該產(chǎn)品開發(fā)的一種新型封裝,比TCK107AG小34%左右,僅為0.645mm×0.645mm,便于小型電路板安裝。器件特有的背面涂層設(shè)計(jì)用于支持便捷安裝,即便是如此微小的芯片也無(wú)需擔(dān)心在安裝過(guò)程中造成芯片損傷。
東芝計(jì)劃推出三款該系列IC:高電平有效時(shí)啟動(dòng)自動(dòng)放電的TCK127BG;高電平有效時(shí)不啟動(dòng)自動(dòng)放電的TCK126BG;以及低電平有效時(shí)啟動(dòng)自動(dòng)放電的TCK128BG。該系列器件為產(chǎn)品開發(fā)人員和設(shè)計(jì)人員提供了根據(jù)設(shè)計(jì)要求自由選擇最佳負(fù)載開關(guān)IC的可能。
東芝將持續(xù)不斷地改進(jìn)低靜態(tài)電流技術(shù)產(chǎn)品,推進(jìn)設(shè)備小型化和降低功耗,并為可持續(xù)發(fā)展的未來(lái)做出貢獻(xiàn)。
■ 應(yīng)用:
- 可穿戴設(shè)備、IOT設(shè)備、智能手機(jī)(傳感器電源開關(guān)等)
- 替代由MOSFET、晶體管等分立半導(dǎo)體器件構(gòu)成的負(fù)載開關(guān)電路
■ 特性:
- 超低靜態(tài)電流(導(dǎo)通狀態(tài)):IQ=0.08nA(典型值)
- 低待機(jī)電流(關(guān)斷狀態(tài)):IQ(OFF)+I(xiàn)SD(OFF)=13nA(典型值)
- 緊湊型WCSP4G封裝:0.645mm×0.645mm(典型值),厚度:0.465mm(最大值)
- 背面涂層可減少電路板安裝過(guò)程中的損傷
■ 主要規(guī)格:
(除非另有說(shuō)明,@Ta=25℃)
器件型號(hào) | TCK126BG | TCK127BG | TCK128BG | ||
封裝 | 名稱 | WCSP4G | |||
尺寸典型值(mm) | 0.645×0.645 厚度:0.465(最大值) | ||||
絕對(duì)最大額定值 | 輸入電壓VIN(V) | -0.3~6.0 | |||
控制電壓VCT(V) | -0.3~6.0 | ||||
輸出電流IOUT(A) | 直流 | 1.0 | |||
脈沖 | 2.0 | ||||
功耗PD(W) | 1.0 | ||||
工作范圍 (@Ta_opr= -40℃至85℃) | 輸入電壓VIN(V) | 1.0~5.5 | |||
輸出電流IOUT最大值(A) | 1.0 | ||||
電氣特性 | 靜態(tài)電流(導(dǎo)通狀態(tài)) IQ典型值(nA) | @VIN=5.5V | 0.08 | ||
待機(jī)電流(關(guān)斷狀態(tài)) IQ(OFF)+I(xiàn)SD(OFF) 典型值(nA) | @VIN=5.5V | 13 | |||
導(dǎo)通電阻RON典型值(mΩ) | @VIN=5.0V, IOUT=-0.5A | 46 | |||
@VIN=3.3V, IOUT=-0.5A | 58 | ||||
@VIN=1.8V, IOUT=-0.5A | 106 | ||||
@VIN=1.2V, IOUT=-0.2A | 210 | ||||
@VIN=1.0V, IOUT=-0.05A | 343 | ||||
交流特性 | VOUT上升時(shí)間tr 典型值(μs) | @VIN=3.3V | 363 | 363 | 363 |
VOUT下降時(shí)間tf 典型值(μs) | 125 | 32 | 32 | ||
導(dǎo)通時(shí)延tON 典型值(μs) | 324 | 324 | 324 | ||
關(guān)斷時(shí)延tOFF 典型值(μs) | 10 | 10 | 10 | ||
自動(dòng)放電功能 | - | 內(nèi)置 | 內(nèi)置 | ||
開關(guān)控制邏輯 | 高電平有效 | 高電平有效 | 低電平有效 | ||
庫(kù)存查詢與購(gòu)買 | 在線購(gòu)買 | 在線購(gòu)買 | 在線購(gòu)買 |
注:
[1] 1mm2或更緊湊的封裝,額定輸出電流為1A的負(fù)載開關(guān)IC。截至2022年1月的東芝調(diào)查。
評(píng)論