功耗降低 23%、量產(chǎn)率提高 20%，三星開(kāi)始量產(chǎn) 12 納米 DDR5 DRAM

IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布開(kāi)發(fā) 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大規(guī)模量產(chǎn) 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。

存儲(chǔ)芯片行業(yè)當(dāng)前正處于低谷期，三星通過(guò)量產(chǎn) 12nm 的 DRAM，希望進(jìn)一步鞏固其在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

IT之家從三星新聞稿中獲悉，與上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圓生產(chǎn)率提高了 20%，這意味著芯片尺寸比上一代更小，單個(gè)晶圓可以多生產(chǎn) 20% 的芯片。

三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商能夠減少能源消耗和碳足跡。

該芯片還具有 7.2Gbps 的最大速度，這意味著它可以在大約一秒鐘內(nèi)處理 60GB，滿(mǎn)足數(shù)據(jù)中心，AI 和新的計(jì)算應(yīng)用需求。

12nm 節(jié)點(diǎn)的實(shí)現(xiàn)要?dú)w功于三星使用了一種新型高 k 材料，該材料能讓芯片準(zhǔn)確區(qū)分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)的差異。