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功耗降低 23%、量產(chǎn)率提高 20%,三星開始量產(chǎn) 12 納米 DDR5 DRAM

作者:故淵 時(shí)間:2023-05-18 來源:IT之家 收藏

IT之家 5 月 18 日消息,在去年 12 月宣布開發(fā) 16Gb 的 之后,于今天宣布已大規(guī)模量產(chǎn) 12 納米工藝的 。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202305/446709.htm

存儲芯片行業(yè)當(dāng)前正處于低谷期,通過量產(chǎn) 12nm 的 ,希望進(jìn)一步鞏固其在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

IT之家從新聞稿中獲悉,與上一代相比,新芯片的功耗降低了 23%,而晶圓生產(chǎn)率提高了 20%,這意味著芯片尺寸比上一代更小,單個(gè)晶圓可以多生產(chǎn) 20% 的芯片。

功耗降低 23%、量產(chǎn)率提高 20%,三星開始量產(chǎn) 12 納米 DDR5 DRAM

三星表示 16Gb DRAM 降低的功耗將使服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商能夠減少能源消耗和碳足跡。

該芯片還具有 7.2Gbps 的最大速度,這意味著它可以在大約一秒鐘內(nèi)處理 60GB,滿足數(shù)據(jù)中心,AI 和新的計(jì)算應(yīng)用需求。

12nm 節(jié)點(diǎn)的實(shí)現(xiàn)要?dú)w功于三星使用了一種新型高 k 材料,該材料能讓芯片準(zhǔn)確區(qū)分?jǐn)?shù)據(jù)信號的差異。



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