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中國在科技戰(zhàn)爭持續(xù)的背景下,在縮小與韓國和美國在移動(dòng)存儲芯片領(lǐng)域的差距方面取得了重要進(jìn)展。

作者:EEPW 時(shí)間:2023-11-30 來源:EEPW 收藏

中國一家領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司取得了該國首款新一代先進(jìn)移動(dòng)芯片,實(shí)現(xiàn)了縮小與韓國和美國競爭對手的差距的關(guān)鍵進(jìn)展。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202311/453463.htm

技術(shù)(CXMT)在其官方網(wǎng)站上的一份聲明中表示,他們已經(jīng)生產(chǎn)出中國首款低功耗雙數(shù)據(jù)率5(LPDDR5)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取器(DRAM)芯片,這是一種由韓國三星電子在2018年首次推出的新一代存儲芯片。

這一突破是在美國加大對中國先進(jìn)芯片制造業(yè)發(fā)展的制裁力度的背景下取得的,這將使中國能夠減少對進(jìn)口產(chǎn)品的依賴,這些產(chǎn)品用于電子設(shè)備,如手機(jī)和筆記本電腦。

總部位于合肥的CXMT表示,他們的一款產(chǎn)品,即12GB版本,每個(gè)都裝有8個(gè)容量為12Gb的芯片,已經(jīng)通過了中國智能手機(jī)制造商,包括小米和傳音的驗(yàn)證。

LPDDR5存儲芯片突破發(fā)生在中國報(bào)告半導(dǎo)體開發(fā)和制造技術(shù)方面進(jìn)展緩慢但穩(wěn)步的時(shí)候,盡管中國被拒絕使用來自荷蘭公司ASML的關(guān)鍵高端光刻系統(tǒng)以及一些日本供應(yīng)商。

在最近的突破中,華為技術(shù)公司通過推出其由本地制造的先進(jìn)芯片驅(qū)動(dòng)的Mate 60 Pro智能手機(jī),使全球大吃一驚。

第三方拆解報(bào)告得出的結(jié)論是,該芯片可能由中國頂級芯片代工廠,中芯國際,使用現(xiàn)有設(shè)備制造。

中芯國際去年10月首次在上交所科創(chuàng)板上市,市值已飆升至4600億元。 數(shù)據(jù)來源:Wind

中芯國際通過制造所謂的中端芯片成為中國半導(dǎo)體領(lǐng)域的先行者,不過,其技術(shù)仍遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于全球領(lǐng)先芯片公司。

宏基副總裁陳念偉在接受21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者采訪時(shí)表示,中芯國際生產(chǎn)的中端芯片憑借“一定的”技術(shù)水平取得了成功,但追趕最先進(jìn)制程的先進(jìn)芯片仍需要大量資金和人才。

中芯國際仍然沒有擺脫從國際芯片制造設(shè)備制造商購買的依賴。

“CXMT在提高生產(chǎn)產(chǎn)量、在價(jià)格和質(zhì)量上保持競爭力方面仍然面臨重重困難,與韓國DRAM制造商相比可能會有所不及,”研究公司Counterpoint的副總監(jiān)Brady Wang表示,并補(bǔ)充說,用于生產(chǎn)芯片的技術(shù)可能不如韓國先進(jìn),以便符合美國設(shè)定的限制。

三星于2018年推出了業(yè)內(nèi)首款8Gb LPDDR5芯片,并于2021年基于14納米工藝更新到16Gb LPDDR5X芯片,提供高達(dá)8500兆位每秒的數(shù)據(jù)處理速度,比上一代快1.3倍以上。

SK海力士于2021年3月開始大規(guī)模生產(chǎn)其LPDDR5移動(dòng)DRAM,而美光于2020年初宣布其LPDDR5芯片,稱將在小米的Mi 10智能手機(jī)上使用。



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