價(jià)格和需求同亮眼，HBM存儲(chǔ)及先進(jìn)封裝將迎來(lái)擴(kuò)產(chǎn)

市場(chǎng)對(duì)人工智能的熱情還在持續(xù)升溫，隨著芯片庫(kù)存調(diào)整卓有成效，以及市場(chǎng)需求回暖推動(dòng)，全球存儲(chǔ)芯片價(jià)格正從去年的暴跌中逐步回升，內(nèi)閃存產(chǎn)品價(jià)格均開始漲價(jià)。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于AI需求高漲，目前英偉達(dá)（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供應(yīng)緊俏，除了CoWoS是供應(yīng)瓶頸，HBM亦同，主要是HBM生產(chǎn)周期較DDR5更長(zhǎng)，投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個(gè)季度以上所致。

行業(yè)人士表示，在產(chǎn)能緊缺下目前DRAM以及綁定英偉達(dá)新款A(yù)I芯片的HBM存儲(chǔ)系統(tǒng)售價(jià)更高。在此帶動(dòng)下，從今年一季度財(cái)報(bào)開始，三星、美光業(yè)績(jī)開始翻盤。并且，三星、美光、SK海力士三大存儲(chǔ)原廠在發(fā)布最新擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)態(tài)或財(cái)報(bào)后，股價(jià)應(yīng)聲大漲。據(jù)悉，包括三大原廠及晶圓代工大廠臺(tái)積電、英特爾在內(nèi)的廠家均在加大晶圓投入，并針對(duì)HBM存儲(chǔ)芯片以及先進(jìn)封裝進(jìn)行一系列的產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)，市場(chǎng)逐步進(jìn)入到新一輪上升周期中。

三星美國(guó)投資追加至440億美元？或新建一座晶圓廠和一個(gè)封裝廠

近日據(jù)外媒消息，三星計(jì)劃將在美國(guó)德克薩斯州的投資增加至約440億美元，大部分新支出將集中在泰勒市附近。目前三星正在當(dāng)?shù)亟ㄔO(shè)一家芯片廠，現(xiàn)計(jì)劃再建一家芯片制造廠以及一個(gè)先進(jìn)封裝廠。

消息人士稱，宣布三星擴(kuò)大投資的活動(dòng)預(yù)計(jì)將于4月15日在泰勒舉行。對(duì)此三星未予置評(píng)。此前2021年消息顯示，三星曾承諾向泰勒投資170億美元用于建設(shè)一家尖端芯片制造工廠，這次是在此基礎(chǔ)上追加的投資，金額翻倍。據(jù)了解，AI人工智能相關(guān)部件上如HBM，以及2.5D和3D封裝技術(shù)將是三星此次投資的重點(diǎn)。

寒冬尾聲，邁過(guò)2023年慘淡的業(yè)績(jī)后，三星再次迎來(lái)亮眼財(cái)報(bào)。近日其發(fā)布業(yè)績(jī)指引稱，三星第一季度營(yíng)收同比增加11.4%，達(dá)到71萬(wàn)億韓元（約合人民幣3805億元）。營(yíng)利將同比增長(zhǎng)約931%，從6400億韓元（約合人民幣34.30億元）至6.6萬(wàn)億韓元（約合人民幣353億元）。不過(guò)，最終正式財(cái)報(bào)結(jié)果將在4月底公布。

此外，三星HBM芯片需求也在不斷上升。近日英偉達(dá)CEO黃仁勛在英偉達(dá)GTC 2024活動(dòng)的媒體見面會(huì)上暗示，英偉達(dá)有意采購(gòu)三星的HBM芯片。近期外媒消息顯示，英偉達(dá)最快將從9月開始大量購(gòu)買三星電子的12層HBM3E。該消息還在進(jìn)一步證實(shí)中。

SK海力士美國(guó)38.7億美元建HBM先進(jìn)封裝廠

2024年4月4日，SK海力士宣布，在美國(guó)印第安納州西拉斐特（West Lafayette）建造適于AI的存儲(chǔ)器先進(jìn)封裝生產(chǎn)基地，同時(shí)與美國(guó)普渡（Purdue）大學(xué)等當(dāng)?shù)匮芯繖C(jī)構(gòu)進(jìn)行半導(dǎo)體研究和開發(fā)合作。公司計(jì)劃向該項(xiàng)目投資38.7億美元。

SK海力士表示，印第安納州工廠預(yù)計(jì)在2028年下半年開始量產(chǎn)新一代HBM等適于AI的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。公司將以此領(lǐng)先激活全球AI半導(dǎo)體供應(yīng)鏈?！?/p>

另外，SK海力士還將順利推進(jìn)已計(jì)劃的韓國(guó)國(guó)內(nèi)投資項(xiàng)目。公司將投資120萬(wàn)億韓元建設(shè)的龍仁半導(dǎo)體集群目前正在進(jìn)行用地在建工程。SK海力士計(jì)劃在明年3月開工建造第一座工廠，并于2027年初完工。而且還將建造“迷你工廠”以此加強(qiáng)材料、零部件、設(shè)備生態(tài)系統(tǒng)。據(jù)悉，迷你工廠是為了驗(yàn)證半導(dǎo)體材料、零部件、設(shè)備等，具備300毫米晶圓工藝設(shè)備的研究設(shè)施。

據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷預(yù)估，截至2024年底，整體DRAM產(chǎn)業(yè)規(guī)劃生產(chǎn)HBM TSV的產(chǎn)能約為250K/m，占總DRAM產(chǎn)能（約1,800K/m）約14%，供給位元年成長(zhǎng)約260%。此外，2023年HBM產(chǎn)值占比之于DRAM整體產(chǎn)業(yè)約8.4%，至2024年底將擴(kuò)大至20.1%。

TrendForce集邦咨詢觀察，以HBM產(chǎn)能來(lái)看，三星、SK海力士（SK hynix）至今年底的HBM產(chǎn)能規(guī)劃最積極，三星HBM總產(chǎn)能至年底將達(dá)約130K（含TSV）；SK海力士約120K，但產(chǎn)能會(huì)依據(jù)驗(yàn)證進(jìn)度與客戶訂單持續(xù)而有變化。另以現(xiàn)階段主流產(chǎn)品HBM3產(chǎn)品市占率來(lái)看，目前SK海力士于HBM3市場(chǎng)比重逾9成，而三星將隨著后續(xù)數(shù)個(gè)季度AMD MI300逐季放量持續(xù)緊追。

美光Q2財(cái)報(bào)大漲，HBM3E貢獻(xiàn)巨大

近日，美光也公布了2024年第二季度最新財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示美光營(yíng)收58.2億美元，環(huán)比上漲了23%，同比大漲57.7%。美光在NON-GAAP準(zhǔn)則下調(diào)整后的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同樣由虧轉(zhuǎn)盈，數(shù)據(jù)顯示美光Q2調(diào)整后營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到2.04億美元。相比之下上年同期虧損20.77億美元，第一財(cái)季虧損9.55億美元。

美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在與分析師的電話會(huì)議上表示：“美光已經(jīng)恢復(fù)盈利，并比預(yù)期提前足足一個(gè)季度實(shí)現(xiàn)了正向的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率?！睒I(yè)績(jī)預(yù)期方面，美觀預(yù)計(jì)在HBM強(qiáng)勁需求驅(qū)動(dòng)之下，第三財(cái)季營(yíng)收區(qū)間將達(dá)到64億美元至68億美元，意味著同比激增70%到81%。

3月尾聲，美光宣布其位于西安的封裝和測(cè)試新廠房已正式破土動(dòng)工。此前，在2023年6月，美光宣布在西安追加投資43億元人民幣。該投資計(jì)劃包括加建上述的封裝和測(cè)試新廠房以及收購(gòu)力成半導(dǎo)體（西安）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“力成西安”）的封裝設(shè)備。其中加建的新廠房將引入全新產(chǎn)線，制造更廣泛的產(chǎn)品解決方案，包括但不限于移動(dòng)DRAM、NAND及SSD，從而拓展西安工廠現(xiàn)有的DRAM封裝和測(cè)試能力。據(jù)悉，該新廠房預(yù)計(jì)將于2025年下半年投產(chǎn)，并根據(jù)市場(chǎng)需求逐步增產(chǎn)。新廠房落成后，美光西安工廠的總面積將超過(guò)13.2萬(wàn)平方米（140萬(wàn)平方英尺）。

在擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度上，美光管理層表示，2024財(cái)年新工廠和設(shè)備的預(yù)算將維持在75億美元至80億美元，并且該公司將繼續(xù)在中國(guó)、日本和印度開展項(xiàng)目。

今年美光推出了HBM3E（第五代HBM）新品，該公司表示是市場(chǎng)針對(duì)AI應(yīng)用的最高規(guī)格DRAM產(chǎn)品。目前美光已開始批量生產(chǎn)HBM3E，其24GB 8H HBM3E產(chǎn)品將供貨給英偉達(dá)，并將應(yīng)用于NVIDIA H200 Tensor Core GPU。

TrendForce集邦咨詢表示，從NVIDIA此前發(fā)布的AI產(chǎn)品規(guī)劃來(lái)看，B100系列的后繼產(chǎn)品為X100、GX200等產(chǎn)品，雖然信息尚未明朗。然而，根據(jù)其設(shè)計(jì)態(tài)勢(shì)與對(duì)主權(quán)AI（Sovereign AI）的推動(dòng)，積極發(fā)展NVLink串連更多算力，以及大幅降低相對(duì)能耗預(yù)計(jì)為考量重點(diǎn)，而后者或?qū)⑹蛊浞e極采用具備高效能特性的HBM。

美光新品有望從中受益更多，官方表示，公司有望在2024財(cái)年從HBM中獲得數(shù)億美元的收入，并預(yù)計(jì)從第三財(cái)季開始，HBM收入將增加我們的DRAM 和整體毛利率。我們的2024年HBM已售罄，并且2025年的絕大多數(shù)供應(yīng)已分配完畢。

目前，據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年SK海力士占據(jù)了46％到49％的HBM市場(chǎng)份額，三星市場(chǎng)份額也差別不大，美光目前只占有4％到6％的市場(chǎng)份額。據(jù)行業(yè)人士觀點(diǎn)，在美光新品持續(xù)發(fā)力情況下，受到美國(guó)地緣優(yōu)勢(shì)影響，美國(guó)本地科技巨頭或加大采購(gòu)力度，助力其市場(chǎng)份額提升。

英特爾獲得美國(guó)芯片法案最大一筆補(bǔ)貼

近日，美國(guó)拜登總統(tǒng)在亞利桑那州宣布為英特爾提供85億美元的直接撥款和110億美元的貸款，以及未來(lái)5年25%的稅收減免。據(jù)悉，各項(xiàng)補(bǔ)貼總計(jì)接近200億美元，為《芯片法案》出臺(tái)之后最大的一筆補(bǔ)貼。

英特爾官方信息顯示，英特爾正計(jì)劃未來(lái)5年在亞利桑那州、俄亥俄州、新墨西哥州和俄勒岡州投資1000億美元，以擴(kuò)大先進(jìn)芯片制造能力，并在2030年重回晶圓代工第二寶座，此番補(bǔ)貼為其“五年大計(jì)”助力不少。

對(duì)于此次200億美元補(bǔ)貼，英特爾稱將在美國(guó)新建晶圓廠和先進(jìn)封裝項(xiàng)目，預(yù)計(jì)25%至30%用在建造生產(chǎn)設(shè)施，其余約70%用于設(shè)備，具體包括：亞利桑那州的Octillo園區(qū)新建兩座晶圓廠，分別為Fab 52和Fab 62，打造下一代EUV生產(chǎn)線為Intel 18/20A工藝服務(wù)；俄亥俄州新奧爾巴尼園區(qū)的兩座新建晶圓廠；俄勒岡州希爾斯伯勒?qǐng)@區(qū)進(jìn)行的擴(kuò)建和改造，涉及D1X晶圓廠等設(shè)施，近期開始安裝ASML的High-NA EUV光刻機(jī)；新墨西哥州里奧蘭喬的Fab 9和Fab 11X，用于先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)。

其中作為英特爾代工計(jì)劃的重中之重，俄亥俄州哥倫布市附近的空地將從2027年起建設(shè)成為“全球最大的AI芯片制造基地”。

英特爾最新動(dòng)態(tài)顯示，該公司晶圓代工架構(gòu)再次調(diào)整，英特爾將其財(cái)務(wù)架構(gòu)將拆分為英特爾代工和英特爾產(chǎn)品兩大板塊，屆時(shí)，英特爾代工業(yè)務(wù)將成為一個(gè)獨(dú)立的運(yùn)營(yíng)部門，擁有自己的損益表。

當(dāng)前，晶圓代工廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)已升級(jí)到2nm制程。其中，intel 18A便是英特爾針對(duì)臺(tái)積電下一代2納米制程技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)。據(jù)介紹，目前英特爾已經(jīng)收到了5家客戶的訂單承諾，并為這項(xiàng)特定的制造技術(shù)測(cè)試了十幾顆芯片。得一提的是，英特爾近日亦首次單獨(dú)披露了芯片制造業(yè)務(wù)的收入總額，其代工業(yè)務(wù)在2023年?duì)I業(yè)虧損70億美元，銷售額為189億美元?；粮癖硎?，2024年將是該公司芯片制造業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)虧損最嚴(yán)重的一年，預(yù)計(jì)到2027年左右才會(huì)實(shí)現(xiàn)運(yùn)營(yíng)盈虧平衡。

臺(tái)積電18日業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)，先進(jìn)封裝布局和CoWoS產(chǎn)能成焦點(diǎn)

臺(tái)積電已經(jīng)在先進(jìn)封裝上多次擴(kuò)產(chǎn)。3月18日，據(jù)中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電將在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)嘉義科學(xué)園區(qū)先進(jìn)封裝廠新廠加大投資，園區(qū)將撥出六座新廠用地給臺(tái)積電，比原本預(yù)期的四座多兩座，總投資額逾5000億新臺(tái)幣（約合人民幣1137億元），主要擴(kuò)充晶圓基片芯片（CoWoS）先進(jìn)封裝產(chǎn)能。另?yè)?jù)其他媒體消息顯示，臺(tái)積電正考慮在日本建設(shè)先進(jìn)的芯片封裝產(chǎn)能，選擇之一是將其CoWoS封裝技術(shù)引入日本。

3月18日晚間，臺(tái)積電官方雖未證實(shí)六座新廠及日本擴(kuò)建封裝廠的消息，但其表示，臺(tái)積電證實(shí)將在嘉義科學(xué)園區(qū)設(shè)2座CoWoS先進(jìn)封裝廠，首座 CoWoS 廠預(yù)計(jì)5月動(dòng)工，2028年量產(chǎn)。

據(jù)悉，從去年中至今年初，中國(guó)中國(guó)臺(tái)灣方面就積極協(xié)調(diào)臺(tái)積電先進(jìn)封裝廠進(jìn)駐位于太保的嘉科，相關(guān)環(huán)評(píng)、水電設(shè)施都已盤點(diǎn)、處理完成，預(yù)計(jì)4月就能動(dòng)工，這間接證實(shí)相關(guān)傳聞。

目前，臺(tái)積電的CoWoS產(chǎn)能全部位于中國(guó)臺(tái)灣。據(jù)路透社最新報(bào)道，知情人士透露，臺(tái)積電正考慮在日本建設(shè)先進(jìn)的芯片封裝產(chǎn)能，選擇之一是將其CoWoS封裝技術(shù)引入日本。審議工作還處于早期階段，尚未就潛在投資的規(guī)模或時(shí)間表做出決定。

根據(jù)官網(wǎng)，臺(tái)積電在中國(guó)臺(tái)灣共有5座先進(jìn)封測(cè)廠，位于新竹、臺(tái)南、桃園龍?zhí)丁⑴_(tái)中，以及苗栗竹南。其中位于苗栗竹南的先進(jìn)封測(cè)六廠，2023年6月上旬啟用，整合SoIC、InFO、CoWoS，以及先進(jìn)測(cè)試等多種臺(tái)積電3D Fabric先進(jìn)封裝與硅堆棧技術(shù)產(chǎn)能規(guī)劃。2023年7月下旬，臺(tái)積電在竹科銅鑼園區(qū)布局CoWoS晶圓新廠，預(yù)計(jì)2026年底完成建廠，規(guī)劃2027年第2季或第3季量產(chǎn)。

本月18日臺(tái)積電將舉行業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)，其先進(jìn)封裝布局和CoWoS產(chǎn)能進(jìn)展成為業(yè)界關(guān)注重點(diǎn)。法人評(píng)估到2025年上半年，臺(tái)積電CoWoS產(chǎn)能已被訂滿，今年臺(tái)積電供應(yīng)的CoWoS產(chǎn)能中，超過(guò)50%比重將由NVIDIA和博通占據(jù)。