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三星否認HBM3E品質問題,聲明巧妙回避

作者: 時間:2024-05-28 來源:全球半導體觀察 收藏

有報導稱,的高頻寬存儲器()產品因過熱和功耗過大等問題,未能通過Nvidia品質測試,對此否認。韓媒BusinessKorea報導稱,表示正與多間全球合作伙伴順利開展供應測試,強調將繼續(xù)合作,確保品質和可靠性。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202405/459296.htm

三星聲明表示,“我們正與全球各合作伙伴順利測試供應,努力提高所有產品品質和可靠性,也嚴格測試HBM產品的品質和性能,以便為客戶提供最佳解決方案?!?/p>

三星近期開始量產第五代HBM產品,即8-Hi(24GB)和12-Hi(36GB)容量的HBM3E設備。

外媒Tom′s Hardware認為,三星雖然聲稱最新HBM產品可與多種處理器正常工作,但沒明確說明能否與Nvidia所有處理器正常工作。Nvidia有多種GPU采用HBM3E存儲器,包括H200及B200、B100和GB200,雖然都需要HBM3E存儲器堆疊,但對功耗和散熱要求不同。

因此該報導認為,三星HBM3E存儲器可能非常適合H200、B200及AMD即將推出的Instinct MI350X,但可能無法滿足Nvidia GB200要求。




關鍵詞: 三星 內存 HBM

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