三星否認HBM3E品質(zhì)問題，聲明巧妙回避

有報導(dǎo)稱，三星的高頻寬存儲器（HBM）產(chǎn)品因過熱和功耗過大等問題，未能通過Nvidia品質(zhì)測試，三星對此否認。韓媒BusinessKorea報導(dǎo)稱，三星表示正與多間全球合作伙伴順利開展HBM供應(yīng)測試，強調(diào)將繼續(xù)合作，確保品質(zhì)和可靠性。

三星聲明表示，“我們正與全球各合作伙伴順利測試HBM供應(yīng)，努力提高所有產(chǎn)品品質(zhì)和可靠性，也嚴(yán)格測試HBM產(chǎn)品的品質(zhì)和性能，以便為客戶提供最佳解決方案?！?/p>

三星近期開始量產(chǎn)第五代HBM產(chǎn)品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E設(shè)備。

外媒Tom′s Hardware認為，三星雖然聲稱最新HBM產(chǎn)品可與多種處理器正常工作，但沒明確說明能否與Nvidia所有處理器正常工作。Nvidia有多種GPU采用HBM3E存儲器，包括H200及B200、B100和GB200，雖然都需要HBM3E存儲器堆疊，但對功耗和散熱要求不同。

因此該報導(dǎo)認為，三星HBM3E存儲器可能非常適合H200、B200及AMD即將推出的Instinct MI350X，但可能無法滿足Nvidia GB200要求。