新聞中心

EEPW首頁 > 網(wǎng)絡與存儲 > 設計應用 > 應對人工智能數(shù)據(jù)中心的電力挑戰(zhàn)

應對人工智能數(shù)據(jù)中心的電力挑戰(zhàn)

作者: 時間:2024-06-24 來源:安森美 收藏


本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202406/460233.htm

image.png

國際能源署 (IEA)的數(shù)據(jù)表明,2022 年的耗電量約占全球總用電量的 2%,達到 460 TWh 左右。如今,加密貨幣和/機器學習 (AI/ML) 等高耗能應用方興未艾,而這些技術(shù)中通常需要部署大量的高性能圖形處理單元 (GPU)。因此,耗電量仍將不斷攀升。

應用的擴展速度令人震驚。ChatGPT 上線僅 5 天,用戶數(shù)量就達到了 100 萬,并在 2 個月內(nèi)突破了 1 億,這一增長速度遠超于 TikTok 和 Instagram。GPT-4 訓練包含超過 1.7 萬億參數(shù)和 13 萬億 token,總共使用了 2.5 萬個 NVIDIA A100 GPU,每臺服務器的功耗約為 6.5 kW。據(jù) OpenAI 稱,GPT-4 的訓練耗時 100 天,消耗能源約 50 GWh,耗資 1 億美元。

在當前環(huán)境中,我們很難準確估計未來耗電情況,其中為支持而部署的 GPU 消耗了大部分電力。國際能源署保守預測,到 2026 年,的耗電量將至少達到 650 TWh,甚至可能超過 1,000 TWh。

人工智能數(shù)據(jù)中心的架構(gòu)演變

早期數(shù)據(jù)中心將電網(wǎng)電壓集中轉(zhuǎn)換為 12V,然后通過總線將電力傳輸至服務器,再通過邏輯電平轉(zhuǎn)換器將電壓轉(zhuǎn)換為 3.3/5V。然而功率需求不斷提升,這種供電方法的電能損耗變得不可接受。因此,母線電壓被提高到 48V,電流減小到原來的 1/4,損耗降低到了原來的 1/16。

而目前處理器電壓進一步降低,從 3.3V 降到了低于 1V 的亞伏特級別,此時就需要使用多條功率相對較高的電壓軌。這進而催生了兩級電壓轉(zhuǎn)換方案。該方案使用 DC-DC 轉(zhuǎn)換器作為中間總線轉(zhuǎn)換器 (IBC),先將 48V 電壓轉(zhuǎn)換為 12V 的局部總線電壓,然后再將此轉(zhuǎn)換為所需的低電壓。

1719199390491380.png

圖1 典型服務器電源架構(gòu)–中間總線

人工智能數(shù)據(jù)中心需要高能效電源轉(zhuǎn)換

功率損耗帶來了雙重挑戰(zhàn),不僅會造成能源浪費、增加運營成本,而且會產(chǎn)生大量熱量,進而需占用更大空間、消耗更多成本。運營超大規(guī)模人工智能數(shù)據(jù)中心時,機架功率需求為 120 kW。將電網(wǎng)電力轉(zhuǎn)換為 GPU 所用電壓的能效約為 88%,這意味著會產(chǎn)生大約 15 kW 廢熱,并需要通過液冷技術(shù)進行有效散熱。

在服務器電源設計中,能效和功率密度是兩個重要概念,二者相輔相成。我們必須盡可能高效地將來自電網(wǎng)的能量轉(zhuǎn)換為有用功率,減少損耗。為此,電源拓撲不斷演變,業(yè)界開發(fā)了同步整流等技術(shù),并在整流器中采用 MOSFET 取代了損耗較大的二極管。

改進拓撲結(jié)構(gòu)只成功了一半。為了優(yōu)化能效,還必須盡可能提高所有元器件的能效,尤其是對轉(zhuǎn)換過程至關(guān)重要的 MOSFET。

MOSFET 并非無損耗器件,在導通和開關(guān)過程中也會產(chǎn)生損耗。隨著服務器電源不斷提高運行頻率以縮小尺寸,開關(guān)損耗成為了優(yōu)化的重點。

高效PowerTrench? MOSFET

(onsemi) 的中低壓 T10 PowerTrench? MOSFET 采用了新型屏蔽柵極溝槽技術(shù),降低了開關(guān)損耗和導通損耗,并進而顯著降低了其 Qg,RDS(ON) 也降至 1mOhm 以下。其中的先進軟恢復體二極管緩解了振鈴、過沖和噪聲問題,同時降低了 Qrr 損耗,為快速開關(guān)應用找到了性能與恢復時間的平衡點。

與早期器件相比,這些新型 MOSFET 可使開關(guān)損耗降低高達 50%,并使導通損耗降低 30% 以上。

1719199408719834.png

圖2 PowerTrench? T10 MOSFET的優(yōu)勢

新型 40V和 80V T10 PowerTrench 器件的 RDS(on) 表現(xiàn)出色。NTMFWS1D5N08X(80 V、1.43 mΩ、5 mm x 6 mm SO8-FL 封裝)和 NTTFSSCH1D3N04XL(40 V、1.3 mΩ、3.3 mm x 3.3 mm 源極向下雙散熱封裝)具有優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù) (FOM),是人工智能數(shù)據(jù)中心電源供應器(PSU) 和中間總線轉(zhuǎn)換器應用的理想選擇。T10 PowerTrench MOSFET 符合嚴格的 Open Rack V3 能效標準,即能效達到 97.5% 以上。



評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉