AMAT全方位強(qiáng)化功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備業(yè)務(wù)

　　美國應(yīng)用材料公司(Applied Materials，AMAT)瞄準(zhǔn)近年來需求高漲的功率半導(dǎo)體及MEMS器件市場，將強(qiáng)化200mm晶圓生產(chǎn)設(shè)備相關(guān)業(yè)務(wù)，將來還打算支持功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的300mm晶圓及SiC/GaN的生產(chǎn)。

　　AMAT的主力業(yè)務(wù)歸根結(jié)底還是300mm晶圓相關(guān)設(shè)備，但該公司“也一直在致力于200mm設(shè)備的業(yè)務(wù)”(AMAT元件及系統(tǒng)部門全球服務(wù)總監(jiān)田中豐)。除了銷售新的200mm設(shè)備之外，最近該公司還在開展對客戶擁有的200mm設(shè)備進(jìn)行升級(改造)的服務(wù)，使這些設(shè)備能夠制造功率半導(dǎo)體及MEMS。該公司表示，其中尤其值得期待的是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。

　　作為200mm設(shè)備的新市場，功率半導(dǎo)體及MEMS器件領(lǐng)域值得期待。

　　IGBT的構(gòu)造。要求實施厚膜外延及深溝道等工序。

　　制造Si-IGBT及超結(jié)MOSFET等功率半導(dǎo)體時，必須要使用厚膜的硅外延成膜設(shè)備、厚膜的鋁濺射(PVD)設(shè)備以及深蝕刻設(shè)備等。而且，要想以低成本制造功率半導(dǎo)體，改善處理能力也很有必要。

　　超結(jié)MOSFET的構(gòu)造。除厚膜外延及深蝕刻外，還需實施填充溝道的間隙填充外延等工序。

　　瞄準(zhǔn)功率半導(dǎo)體及MEMS器件領(lǐng)域的舉措田中介紹稱，面向功率半導(dǎo)體的200mm設(shè)備業(yè)務(wù)與300mm設(shè)備業(yè)務(wù)相比，“競爭環(huán)境大為不同”。300mm設(shè)備方面，AMAT的競爭對手是同行業(yè)的大型設(shè)備廠商，而200mm設(shè)備則不同，“免不了要與從事二手設(shè)備改造等業(yè)務(wù)的特定設(shè)備廠商競爭”。

　　這里說的特定廠商是指專門從事外延設(shè)備及濺射設(shè)備等特定設(shè)備的再生業(yè)務(wù)的廠商，其優(yōu)勢是價格低。在功率半導(dǎo)體制造的部分工序中，這些廠商的設(shè)備足以滿足需求，因此AMAT面臨著殘酷的價格競爭。但在這些特定廠商的設(shè)備無法獲得充分特性的重要工序方面，AMAT則可發(fā)揮其技術(shù)優(yōu)勢，尤其是在厚膜的外延成膜設(shè)備、鋁濺射設(shè)備及深溝道蝕刻設(shè)備等領(lǐng)域，AMAT可輕松發(fā)揮技術(shù)上的優(yōu)越性。

　　具體而言，厚膜的外延成膜設(shè)備方面，AMAT計劃在2014年滿足進(jìn)一步厚膜化的需求，并改善處理能力。雖然目前能實現(xiàn)的膜厚最大為100μm，但2014年將達(dá)到150μm，此外還將把成膜速度從目前的4μm/分鐘提高至5μm/分鐘。另外，在厚膜的鋁濺射設(shè)備方面，還打算在2014年內(nèi)確立膜厚達(dá)到5μm、鋁成膜速度達(dá)到2μm/分鐘的技術(shù)。

　　此外，AMAT還將大力開發(fā)為超結(jié)MOSFET形成溝道的深溝道蝕刻設(shè)備、填充溝道的間隙填充外延設(shè)備、離子注入設(shè)備，以及厚度不到100μm的薄化晶圓的處理技術(shù)等。

　　將來的舉措方面，AMAT提到了支持300mm晶圓及SiC/GaN的生產(chǎn)需求的措施。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，在硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，2～3年后部分器件將開始用300mm晶圓來制造。從目前看，估計有很多廠商不會購置新的300mm設(shè)備，而是對已有的300mm設(shè)備實施改造來制造功率半導(dǎo)體。為此，AMAT將積極展開準(zhǔn)備工作，以便使在200mm設(shè)備中確立的面向功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)能夠推廣到300mm設(shè)備。