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三星系統(tǒng)IC業(yè)務(wù)2014年訂立技術(shù)領(lǐng)先目標(biāo)

作者: 時(shí)間:2013-12-30 來(lái)源:DIGITIME 收藏

  電子(SamsungElectronics)部門(mén)以系統(tǒng)單晶片(SystemonChip;SoC)、大型積體電路(LargeScaleIntegration;LSI)、晶圓代工為主要事業(yè),在SoC方面,主要供應(yīng)行動(dòng)應(yīng)用處理器(ApplicationProcessor;AP),除搭載于品牌行動(dòng)裝置外,亦對(duì)外販?zhǔn)劢o大陸等地區(qū)行動(dòng)裝置業(yè)者。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/203341.htm

  2013年三星采用英國(guó)安謀(ARM)公司的大小核(bigLITTLE)配置,發(fā)表以4大Cortex-A15搭配4小Cortex-A7的8核行動(dòng)AP,2014年三星行動(dòng)AP事業(yè)不僅計(jì)劃導(dǎo)入20奈米制程,亦將發(fā)展ARM架構(gòu)與其自有架構(gòu)的64位元核心,并供應(yīng)結(jié)合行動(dòng)AP與網(wǎng)通晶片的SoC。

  三星的LSI事業(yè)主要供應(yīng)CMOS影像感測(cè)IC(CMOSImageSensor;CIS)、顯示器驅(qū)動(dòng)IC(DisplayDriverIC;DDI)及智慧卡IC等產(chǎn)品,為提升CIS解析度,持續(xù)縮小畫(huà)素間距,以增加畫(huà)素?cái)?shù)量,2014年三星更計(jì)劃運(yùn)用可消除入射光損耗的背面照度(Back-SideIllumination;BSI)技術(shù),并搭配可降低BSI相鄰畫(huà)素間干擾的ISOCELL技術(shù),將其行動(dòng)裝置用CIS最高解析度自現(xiàn)行1,300萬(wàn)畫(huà)素提升至1,600萬(wàn)畫(huà)素。

  晶圓代工事業(yè)則以先進(jìn)制程、產(chǎn)能及矽智財(cái)(IntellectualProperty;IP)為主要訴求,2014年不僅將持續(xù)開(kāi)發(fā)3D封裝Widcon技術(shù)、14奈米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinField-EffectTransistor;FinFET)及其以下先進(jìn)制程,更將發(fā)展有利增加晶圓代工廠彈性的Foundry2.0營(yíng)運(yùn)模式。

  DIGITIMESResearch研究發(fā)現(xiàn),2013年三星事業(yè)部新增電源管理IC(PowerManagementIC;PMIC)與網(wǎng)通晶片等產(chǎn)品線,顯示漸朝齊備行動(dòng)裝置相關(guān)晶片產(chǎn)品線發(fā)展,以因應(yīng)該市場(chǎng)對(duì)行動(dòng)通訊應(yīng)用需求增加,此亦凸顯三星積極強(qiáng)化其內(nèi)制行動(dòng)裝置相關(guān)晶片能力的企圖心。

  三星部門(mén)三大事業(yè)及相關(guān)競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者

  資料來(lái)源:三星電子,DIGITIMES整理,2013/12



關(guān)鍵詞: 三星 系統(tǒng)IC

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