獲高通及聯(lián)發(fā)科訂單 聯(lián)電28nm向前沖

　　晶圓代工二哥聯(lián)電28納米高介電金屬閘極(HKMG)制程良率獲得重大突破，順利拿下高通及聯(lián)發(fā)科訂單，將成下半年成長(zhǎng)主要?jiǎng)幽堋?/p>本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/248306.htm

　　為了拉近與龍頭臺(tái)積電間的差距，聯(lián)電14納米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程將于明年上半年開始試產(chǎn)，10納米世代將加入由IBM主導(dǎo)的通用平臺(tái)(CommonPlatform)聯(lián)盟，與三星、格羅方德(GlobalFoundries)共同合作開發(fā)。

　　聯(lián)電昨(11)日召開股東常會(huì)，通過配發(fā)0.5元現(xiàn)金股利及私募案，董事長(zhǎng)洪嘉聰除了強(qiáng)調(diào)私募案絕對(duì)不會(huì)折價(jià)發(fā)行的立場(chǎng)，也表示28納米多晶矽氮氧化矽(PolySiON)及HKMG制程良率顯著提升，且在14納米以下制程開發(fā)上，聯(lián)電延續(xù)2012年與IBM簽訂的授權(quán)協(xié)議，在10納米世代加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟。

　　聯(lián)電5月營(yíng)收達(dá)119.3億元改寫歷史新高，財(cái)務(wù)長(zhǎng)劉啟東表示，第2季產(chǎn)能利用率逼近9成，8寸廠產(chǎn)能全線滿載，其中LCD驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)能更是供不應(yīng)求。聯(lián)電臺(tái)灣地區(qū)8寸廠擴(kuò)產(chǎn)空間有限，蘇州和艦則將在本季將月產(chǎn)能由4.4萬片提升到4.8～5萬片，也不排除透過并購(gòu)方式擴(kuò)產(chǎn)，至于第3季營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)看來將會(huì)比第2季更好。

　　法人預(yù)估，聯(lián)電第2季營(yíng)收季增率將介于12～14%間，毛利率25%目標(biāo)也會(huì)達(dá)陣，以此推估，聯(lián)電第2季獲利將有機(jī)會(huì)上看37～40億元，較第1季成長(zhǎng)超過2倍，每股凈利將賺逾0.3元。

　　聯(lián)電今年第2季移動(dòng)裝置芯片接單強(qiáng)勁，40納米接單全滿，28納米HKMG制程因良率上有明顯突破，也傳出獲得高通、聯(lián)發(fā)科等手機(jī)芯片代工訂單。而聯(lián)電不評(píng)論接單情況，但劉啟東表示，28納米第2季營(yíng)收占比將達(dá)1%，第4季會(huì)達(dá)5%，HKMG制程接單將成主流。

　　臺(tái)積電今年全力沖刺20納米產(chǎn)能，明年則轉(zhuǎn)進(jìn)16納米FinFET制程世代。聯(lián)電因?yàn)?8納米明顯落后，所以決定跳過20納米，直接轉(zhuǎn)進(jìn)與IBM合作的14納米FinFET制程，預(yù)估明年上半年開始試產(chǎn)。同時(shí)，聯(lián)電南科12寸廠Fab12A的第5期將在明年下半年開出產(chǎn)能。

　　聯(lián)電也決定在10納米世代加入IBM主導(dǎo)的通用平臺(tái)，將與IBM、三星，以及格羅方德共同研發(fā)10納米技術(shù)，以縮減與臺(tái)積電間的技術(shù)差距。