聯(lián)發(fā)科緊迫盯人 高通有意拉開差距雙方策略亦步亦趨

　　聯(lián)發(fā)科順利完成旗下智能型手機(jī)芯片產(chǎn)品線布局，由單核開始，一路完成雙核、4核，甚至到最高階的8核手機(jī)芯片解決方案，產(chǎn)品市場輻射也已涵蓋全球低、中、高階智能型手機(jī)市場。雖然董事長蔡明介仍然謙言，落后領(lǐng)導(dǎo)廠商1~2年的技術(shù)時(shí)間差，但勤能補(bǔ)拙的堅(jiān)持，已給予高通(Qualcomm)相當(dāng)大的競爭壓力。

　　甚至聯(lián)發(fā)科在產(chǎn)品行銷、市場布局、生產(chǎn)制造、品牌推廣等策略上，與高通亦步亦趨的緊盯動(dòng)作，更直接曝露出聯(lián)發(fā)科有心取而代之的企圖心，在雙方即將在2014年下半于大陸4G手機(jī)芯片市場再次大打出手，預(yù)期高通、聯(lián)發(fā)科近年來雙人跳恰恰的競爭動(dòng)作，仍將持續(xù)下去。

　　其實(shí)從2013年下半聯(lián)發(fā)科率先宣布推出8核手機(jī)芯片解決方案，并立即獲得大陸智能型手機(jī)品牌業(yè)者歡迎那刻開始，聯(lián)發(fā)科與高通的競爭姿態(tài)，就從原來的聯(lián)發(fā)科一路苦追態(tài)勢，轉(zhuǎn)化成雙人跳恰恰的形式。雙方不斷在8核心手機(jī)芯片、64位元芯片解決方案、3G手機(jī)晶圖及4G手機(jī)芯片之間的競爭大戰(zhàn)中，進(jìn)行你搶我奪、我攻你守的肉搏戰(zhàn)。

　　面對(duì)聯(lián)發(fā)科不斷先采取緊迫盯人的防守陣勢，再兼用快速反擊的偷襲策略，高通其實(shí)已開始出現(xiàn)攻難破、守難防的尷尬情形，這讓聯(lián)發(fā)科更加信心大振，在看準(zhǔn)高通已不敢隨意唆哈，以免出現(xiàn)殺敵一千、自傷八百的情形下，預(yù)期聯(lián)發(fā)科的緊迫盯人動(dòng)作未來只會(huì)更加嚴(yán)密。

　　就拿這次高通前腳在中芯投片28納米制程產(chǎn)能，后腳聯(lián)發(fā)科就迅速跟進(jìn)的情形來看，聯(lián)發(fā)科的緊迫盯人戰(zhàn)術(shù)，其實(shí)已從原來的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)(產(chǎn)品對(duì)產(chǎn)品)，擴(kuò)展到線對(duì)線(整體產(chǎn)業(yè)鏈上、下游)格局，甚至未來還將進(jìn)一步往面對(duì)面(軟體平臺(tái)、客戶陣營、通訊標(biāo)準(zhǔn))的方向來走。

　　不打算留任何一點(diǎn)會(huì)壯大競爭對(duì)手的優(yōu)勢，正是目前聯(lián)發(fā)科及高通在互相競爭過程中，彼此卻有如默契般的一同踩著雙人舞節(jié)奏;國外一線IC設(shè)計(jì)業(yè)者也指出，聯(lián)發(fā)科這套緊迫盯人戰(zhàn)術(shù)，在聯(lián)發(fā)科目前擁有近萬名研發(fā)工程師的充分資源當(dāng)后盾下，確實(shí)非常難纏。

　　畢竟，聯(lián)發(fā)科可以輕易針對(duì)領(lǐng)先者所新推出的產(chǎn)品規(guī)格、效能、差異化，甚至是整個(gè)技術(shù)演進(jìn)藍(lán)圖一一拆解后，另外因地置宜開發(fā)出更能滿足終端客戶所需，又或更有競爭力的芯片解決方案。

　　最后再藉由公司近萬名研發(fā)工程師勤能補(bǔ)拙的硬實(shí)力，來縮短領(lǐng)先者的時(shí)間優(yōu)勢，同時(shí)減少產(chǎn)品競爭力的彼此差距。在聯(lián)發(fā)科2014年下半仍有一場大陸4G手機(jī)芯片追逐戰(zhàn)將上映下，預(yù)期高通與聯(lián)發(fā)科的雙人恰恰舞步還得繼續(xù)跳下去，直到一方體力不支為止。 360°：高通28納米制程采用狀況

　　高通目前主要采用28納米制程產(chǎn)能的芯片解決方案多數(shù)為智能型手機(jī)平臺(tái)系列產(chǎn)品，包括4核、8核及64位元等主力3G及4G手機(jī)芯片解決方案。根據(jù)高通的規(guī)劃，4核及8核64位元4G手機(jī)單芯片預(yù)計(jì)將在2014年底配合臺(tái)積電轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程，屆時(shí)該公司將不必再與其他國內(nèi)、外芯片供應(yīng)商在28納米產(chǎn)能上搶破頭。

　　不過，由于其他采用40納米制程的無線連結(jié)及無線周邊芯片解決方案，未來也可能需要升級(jí)到28納米制程，所以，預(yù)期高通28納米制程產(chǎn)能需求未來仍將有一段高峰期，需等到臺(tái)積電20納米制程良率完全成熟后，方有可能自高峰下滑。