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智能手機(jī)內(nèi)部的印刷電路板（PCB）區(qū)域已成為移動終端第二大最珍貴且競爭最激烈的領(lǐng)域， 僅次于無線電頻譜。具有諷刺意味的是，本來為緩解帶寬稀缺問題而出現(xiàn)的新增無線電頻段的擴(kuò)展，卻恰恰加劇了智能手機(jī)內(nèi)PCB空間的壓力。更多的頻段需要更 多獨立的射頻（RF）前端元件，如功率放大器、多頻帶開關(guān)、雙工器、濾波器以及匹配元件等。加上對更大屏幕、四核應(yīng)用處理器、無線連接、電池和附加元件的 需求，全部這些都要被封裝在超薄外殼內(nèi)，顯而易見，再沒有多余的空間來擴(kuò)大射頻前端，何況要滿足單一SKU覆蓋全球LTE漫游所需的兩倍或三倍頻段擴(kuò)展（見圖1）。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/259757.htm
圖1 典型智能手機(jī)中有限的PCB空間
美國高通技術(shù)公司（QTI）推出的Qualcomm RF360射頻前端解決方案， 旨在解決這一問題以及其它相關(guān)問題。該解決方案有一個高度集成的射頻前端，基本整合了調(diào)制解調(diào)器和天線之間的所有基本組件，包括：集成天線開關(guān)的射頻功率 放大器、無線電收發(fā)器、天線匹配調(diào)諧器和包絡(luò)功率追蹤器。這是一個“360度全方位”方案，能夠簡化和解決蜂窩射頻前端面臨的眾多復(fù)雜挑戰(zhàn)。首先，該方法 能夠通過改進(jìn)性能和尺寸來實現(xiàn)產(chǎn)品頻帶擴(kuò)展和延伸，從而使產(chǎn)品具備最強(qiáng)的吸引力，并縮減單一SKU設(shè)計尺寸來實現(xiàn)顯著生產(chǎn)規(guī)模優(yōu)勢的最大化。該前端解決方 案于今年2月發(fā)布，OEM廠商采用該方案的產(chǎn)品預(yù)計將在2013年晚些時候推出。該前端從設(shè)計之初就是一個完整的系統(tǒng)級解決方案，可以與終端的調(diào)制解調(diào) 器、收發(fā)器以及傳感器交互工作，實現(xiàn)全新的獨特性能提升。
設(shè)計方法
在廣泛的技術(shù)層面，在2G和3G網(wǎng)絡(luò)在全球的的覆蓋范圍不斷擴(kuò)大的基礎(chǔ)上，前端設(shè)計主要用于解決伴隨4G LTE（FDD和TDD）擴(kuò)展帶來的射頻頻段不統(tǒng)一問題，以及在不增加空間需求或影響性能的前提下滿足在單一終端或盡量少的SKU上支持所有相關(guān)頻段的需求。
在經(jīng)濟(jì)層面，該前端設(shè)計旨在幫助蜂窩終端制造商擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，并顯著降低成本。相比之前OEM廠商需要多達(dá)10個不同的設(shè)計才能滿足全球所需LTE頻段組合的需求，現(xiàn)在3個或甚至更少的設(shè)計就可以實現(xiàn)，而且無需改變電路板布局或增加電路板空間就可以處理這些設(shè)計的差異。
射頻頻段擴(kuò)展，而不增加PCB空間
當(dāng)今射頻面臨的核心挑戰(zhàn)是解決服務(wù)需求和網(wǎng)絡(luò)容量爆炸式增長所需的更多蜂窩頻段——目前全球頻 段總數(shù)已達(dá)到40個。另外，OEM廠商需要同時推出多部手持終端以實現(xiàn)其產(chǎn)品投資的最大化回報，這進(jìn)一步加劇了挑戰(zhàn)的復(fù)雜性。移動終端制造商不得不為每款 終端推出多個版本，每個版本產(chǎn)量有限，使用的傳統(tǒng)射頻解決方案只能處理個別頻段，或者在單一終端中集成多個芯片組，以實現(xiàn)更大的覆蓋范圍。
美國高通公司的解決方案通過單一電路板級SKU 解決了射頻頻帶擴(kuò)展的挑戰(zhàn)。該SKU模塊支持各種模式和頻段（從GSM之后的所有主要蜂窩制式和目前3GPP協(xié)議中包括的全部頻段）的組合，支持全球漫 游，特別是4G LTE。在沒有單一射頻解決方案可以處理全球所有頻段的情況下，不采用強(qiáng)制方法組合大量離散零件怎么可能實現(xiàn)呢？這需要整合關(guān)鍵技術(shù)，將所有的關(guān)鍵技術(shù)都 集成到美國高通公司的解決方案內(nèi)，將其優(yōu)化成為一個端對端系統(tǒng)。
第一個關(guān)鍵技術(shù)是包絡(luò)功率追蹤器（ET），它根據(jù)信號的瞬態(tài)需求來調(diào)整功率放大器（PA）電 源，。該技術(shù)是傳統(tǒng)平均功率追蹤器（APT）的升級，APT根據(jù)功率水平分組而不是瞬時信號需求來調(diào)整功率放大器的供電量。使用APT技術(shù)時，未使用的電 量不僅浪費電池電力，而且還會產(chǎn)生余熱，這增加了對散熱空間的需求（見圖2a）。而借助包絡(luò)追蹤器，電量的提供取決于被傳輸信號內(nèi)容的瞬時需要（見圖 2b）。
圖2采用平均功率追蹤器（a）的功率損失與采用功率包絡(luò)追蹤器（b）的功率節(jié)省量對比。
包絡(luò)功率追蹤器與終端調(diào)制解調(diào)器交互工作，調(diào)整傳輸功率以滿足被傳輸內(nèi)容的瞬時需求，而不是在 恒定功率下的長時間間隔后調(diào)整。這是業(yè)內(nèi)首個用于3G/4G LTE移動終端的調(diào)制解調(diào)器輔助包絡(luò)追蹤器，它將功耗降低最高達(dá)20％，發(fā)熱降低近30％（基于QTI的測試和分析）。這延長了電池續(xù)航時間，降低了智能 手機(jī)超薄機(jī)身內(nèi)部的發(fā)熱。
包絡(luò)追蹤器與調(diào)制解調(diào)器一起運(yùn)行，檢測瞬時功率需求，并管理功率放大器。借助基于CMOS的功率放大器，集成水平可以大幅提高，進(jìn)而衍生出完全集成的射頻前端系統(tǒng)級芯片這一想法。系統(tǒng)級芯片是指先進(jìn)的3D封裝技術(shù)，現(xiàn)在已可用于射頻前端。
RF POP
美國高通公司前端解決方案的第二個關(guān)鍵技術(shù)是業(yè)內(nèi)首次使用的3D 射頻封裝或RF POPTM解決方案，采用先進(jìn)的3D封裝技術(shù)，單一封裝內(nèi)集成了單芯片多模功率放大器和天線開關(guān)（AS），并將濾波器和雙工器集成到一個單一基底中，然后 將基底置于基礎(chǔ)組件之上，整合成一個單一的“3D”芯片組組合，從而降低了整體的復(fù)雜性，摒棄了當(dāng)今射頻前端模塊中常見的引線接合。集成功率放大器和天線 開關(guān)的封裝作為基底層，管腳對所有頻段配置都一致，包含濾波器和雙工器的封裝針對全球和/或多地區(qū)頻段組合進(jìn)行配置，置于PA/AS基底之上，就像在一個 通用基底上定制的“頂”。這一組合厚一毫米，在電路板上所占的面積只有美國高通公司前代射頻前端解決方案的一半。重要的是，針對不同地區(qū)的定制終端無需更 改電路板布局，因為基礎(chǔ)PA/ AS層可以保持不變（見圖3）。
圖3 射頻POP 3D設(shè)計CMOS前端。
這種設(shè)計基于可支持700MHz到2.7GHz的全球LTE頻段以及傳統(tǒng)2G/3G頻段的架 構(gòu)，降低了“頂”部簡化版本所需的本地RF頻段定制。借助RF POP方案，兩三個PCB設(shè)計現(xiàn)在就可以實現(xiàn)此前的數(shù)十個或更多設(shè)計才能達(dá)到的全球支持，因為多頻段配置可以使用相同的電路板布局。這為推動LTE生產(chǎn)規(guī) 模效益創(chuàng)造了可能性，效果正如四頻之于GSM以及五頻之于3G 。
相比之下，基于PCB模塊的傳統(tǒng)解決方案混合搭配不同技術(shù)，如基于GaAs和基于CMOS的組 件，成為單一終端運(yùn)行環(huán)境下的最佳解決方案。要適應(yīng)更廣泛的環(huán)境則更為復(fù)雜，在某些情況下還會導(dǎo)致單一終端內(nèi)存在多個并行解決方案。取決于設(shè)計的頻段組 合，這些并行解決方案需要多個功率放大器、更多的獨立芯片以及相關(guān)的引線結(jié)合，這會帶來輻射干擾，增加了阻抗匹配需求，因而阻礙了技術(shù)集成。如果需要更多 頻段，必須改變電路板（其中包括尺寸增加的可能性），并減少每一個獨特設(shè)計的數(shù)量（見圖4）。
圖4 并行的傳統(tǒng)射頻前端獨立設(shè)計。
第三個關(guān)鍵技術(shù)是自適應(yīng)天線調(diào)諧。更薄、更時尚的移動終端設(shè)計讓射頻問題變得更加嚴(yán)峻，即用戶 的手掌和頭部與天線的實際距離變得更近，這使天線受到目標(biāo)頻率的干擾；這是除了用戶手掌和/或頭部的物理障礙造成基站信號衰減外，另一個導(dǎo)致信號丟失的原 因。基站需要向移動終端發(fā)送指令增加傳輸功率以補(bǔ)償丟失的信號。如果終端傳輸功率升高，那么電池的消耗也會加快。如果終端已經(jīng)處于最大傳輸功率，那么通話 就會受到影響，甚至導(dǎo)致掉話（見圖5）。
圖5 傳統(tǒng)射頻前端信號干擾導(dǎo)致功耗增加或掉話
圖6 美國高通公司RF360信號干擾啟動重新調(diào)諧
相比之下，美國高通公司的系統(tǒng)與終端的傳感器相配合，監(jiān)測天線信號干擾和增益信號損失，此外，調(diào)制解調(diào)器還能指導(dǎo)天線匹配調(diào)諧器重新調(diào)諧到正確的頻率。這就避免了因補(bǔ)償越限頻率傳輸造成的功率增加，功率只需增加到能夠補(bǔ)償物理障礙產(chǎn)生的信號衰減即可（見圖6）。
功率放大器性能
美國高通公司RF360解決方案采用全面系統(tǒng)設(shè)計打造全CMOS射頻前端。在過去，與基于模塊 并采用GaAs/CMOS混合技術(shù)的解決方案相比，該前端被認(rèn)為不足以滿足蜂窩功率的性能需求。然而，QTI的測試已經(jīng)證明，在廣泛的傳輸功率水平上，僅 使用當(dāng)前一代支持包絡(luò)功率追蹤的CMOS集成方案與使用當(dāng)下平均功率追蹤的常規(guī)功率放大器相比，傳輸功率性能（TX功率產(chǎn)生的功耗）不相上下（見圖7）。
圖7 功率放大器性能對比
圖8 TX功率使用形態(tài)
美國高通公司的支持包絡(luò)追蹤的解決方案與傳統(tǒng)的平均功率追蹤的解決方案相比，在不同功率水平上 的差異很小。根據(jù)QTI在美國加州鄉(xiāng)村地區(qū)（2013年，連續(xù)監(jiān)測7天，從早8點到晚8 點）以及洛杉磯市區(qū)（2011年，連續(xù)監(jiān)測1天，從早6點至晚7點）的各個商用網(wǎng)絡(luò)上實地收集的數(shù)據(jù)，包絡(luò)追蹤器系統(tǒng)已在性能效率方面做了優(yōu)化，在現(xiàn)實世 界最常用的功率范圍內(nèi)提供最佳的通話時間和數(shù)據(jù)傳輸（見圖8），而且即使超出了這些最常用的傳輸功率范圍，其性能也接近傳統(tǒng)的功率放大器。
當(dāng)基于高/低頻段的實際功率使用分布來衡量功率性能時，使用美國高通公司RF360解決方案的功率放大器在總功耗上與鄉(xiāng)村地區(qū)的傳統(tǒng)功率放大器幾乎相同，比城市地區(qū)的傳統(tǒng)功率放大器還要略低一些（見圖9）。
圖9 基于使用的總功耗對比
圖10 采用天線調(diào)諧的TX功率使用分布轉(zhuǎn)移
值得注意的是，這些性能對比不包括使用高精度模擬電路進(jìn)行優(yōu)化功率放大器和ET操作帶來的提 升，例如，通過增加多個可編程增益狀態(tài)。天線調(diào)諧增益也沒有計入比較。QTI測試表明，2 dB增益來自于天線調(diào)諧，它將TX電源使用曲線的頻率在使用形態(tài)分布內(nèi)向“左”轉(zhuǎn)移–2 dB（見圖10）。
將這些轉(zhuǎn)移的TX功率使用頻率分布計入性能分析，能體現(xiàn)出總功耗的進(jìn)一步提升。因此，即使沒有功率放大器優(yōu)化和天線調(diào)諧增益，整體系統(tǒng)性能也能滿足當(dāng)下的需求，且與現(xiàn)有的前端解決方案不分上下，而且PCB空間需求更小，射頻頻段可擴(kuò)展性更大。
結(jié)論
美國高通公司的前端解決方案是一個創(chuàng)新集合體：
首款采用集成天線開關(guān)的完全集成式單芯片多模、多頻段CMOS的功率放大器首個堆棧式RF POP解決方案（3D封裝），縮小了射頻前端的空間，同時實現(xiàn)了通用電路板布局，并簡化RF頻段定制或擴(kuò)展首個支持LTE的CMOS功率放大器首個采用包 絡(luò)追蹤的CMOS功率放大器首個動態(tài)重構(gòu)LTE多模天線調(diào)諧器總體來說，它是第一款包括調(diào)制解調(diào)器和天線之間一切元件的、完全集成并基于CMOS的射頻前 端該解決方案重點解決全球LTE頻帶擴(kuò)展對移動終端的經(jīng)濟(jì)規(guī)模生產(chǎn)，以及極其有限的PCB空間所帶來的直接挑戰(zhàn)。RF POP方案實現(xiàn)了一個通用全球電路板級設(shè)計，它具有簡化的射頻頻帶擴(kuò)展或定制，可以幫助恢復(fù)終端的設(shè)計和生產(chǎn)規(guī)模。更小的射頻前端空間、散熱空間需求和尺 寸，以及更長的電池壽命，成就了外形超薄、功能強(qiáng)大且高效的終端設(shè)計。此外，該解決方案現(xiàn)已開始出樣，旨在滿足實現(xiàn)LTE規(guī)模經(jīng)濟(jì)和全球漫游的緊迫挑戰(zhàn)。
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