探源蘋果內(nèi)存控制IC問題的真與假

　　iPhone 6上市后，市場(chǎng)一直供不應(yīng)求，尤其128GB的iPhone 6 Plus更是最缺貨的一款。11月4日一則來自iPhone 6 Plus 128GB的最新消息， 或許讓果粉「退而求其次」，改買64GB甚至更低容量機(jī)種，在「擠牙膏」的效應(yīng)下，恐造成全系列iPhone 6的新機(jī)供應(yīng)更加吃緊。

　　AppleInsider10月23日曾報(bào)導(dǎo)，蘋果支援社群(Support Communities)論壇最近有多名用戶重復(fù)抱怨iPhone 6 Plus系統(tǒng)崩潰、或不斷重開機(jī)的問題，目前還不清楚故障的原因?yàn)楹?，有人已?jīng)因此連換四支iPhone 6 Plus。

　　根據(jù)韓國(guó)媒體的分析，這些問題主要發(fā)生在128GB版iPhone 6 Plus，可能跟三階儲(chǔ)存單元(Triple-Level Cell，簡(jiǎn)稱TLC)NAND型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)的控制IC有關(guān)。BusinessKorea 3日?qǐng)?bào)導(dǎo)，TLC flash是一種固態(tài)的NAND Flash，每一個(gè)快閃媒介單元都能儲(chǔ)存3位元的資料，容量為單階儲(chǔ)存單元(Single-Level Cell，簡(jiǎn)稱SLC)、多階儲(chǔ)存單元(Multi-Level Cell，簡(jiǎn)稱MLC)的兩到三倍之多。另外，TLC flash的價(jià)格也較為便宜。不過，TLC讀取/寫入資料的速度卻不如SLC或MLC。

　　坊間傳言，此次蘋果為了節(jié)省成本而在128GB iPhone 6 Plus與部份機(jī)種運(yùn)用了TLC NAND Flash。在此之前，TLC NAND Flash都只用在部分iPad，而較為昂貴、但穩(wěn)定度高的MLC NAND Flash則應(yīng)用于大多數(shù)的iPhone。

　　部分業(yè)界人士認(rèn)為，倘若TLC Flash真的是iPhone 6 Plus系統(tǒng)崩潰的主因，那么蘋果也許會(huì)召回已經(jīng)出售的所有產(chǎn)品。 至截稿前，蘋果尚未回應(yīng)相關(guān)報(bào)導(dǎo)，也尚未宣布任何iPhone召回計(jì)劃。

　　那么NAND內(nèi)存芯片控制IC到底是做什么用的呢?

　　據(jù)集微網(wǎng)所知，這顆內(nèi)存控制IC是擔(dān)任電子裝置與NAND快閃存儲(chǔ)器之間的溝通橋梁，負(fù)責(zé)中介、控制的角色，能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)的順利存取。此外，它還能提升數(shù)據(jù)的存取速度、加強(qiáng)除錯(cuò)能力，延長(zhǎng)NAND芯片的壽命。NAND內(nèi)存芯片控制IC并非昂貴的零組件，成本甚至僅iPhone新機(jī)價(jià)格的千分之一。但如若少了它，你想拍下美美的照片存起來，或想下載影片至手機(jī)里，都將成為空談，它的重要性可想而知。

　　根據(jù)iFixit拆解報(bào)告顯示iPhone 6 Plus采用的SK Hynix海力士的NAND Flash，按照蘋果封閉式NAND控制IC策略，蘋果NAND Flash控制IC可能由韓國(guó)SK Hynix海力士NAND芯片廠提供，或由蘋果自行設(shè)計(jì)。由于此次可能因NAND控制IC出錯(cuò)導(dǎo)致128GB容量的iPhone 6 Plus系統(tǒng)崩潰，蘋果可能會(huì)轉(zhuǎn)變NAND控制IC策略，改為外購(gòu)，為臺(tái)灣群聯(lián)等業(yè)者增添新一輪的轉(zhuǎn)單可能。

　　目前為止，遇到問題的用戶發(fā)現(xiàn)了幾個(gè)共通點(diǎn)，即128GB iPhone 6 Plus是最容易受到影響的機(jī)種、用戶安裝的應(yīng)用程式數(shù)量超過700款，且系統(tǒng)未與使用者互動(dòng)便即崩潰。部份網(wǎng)友認(rèn)為是硬件有瑕疵，因?yàn)樘O果最近發(fā)布的iOS 8.1系統(tǒng)更新并未解決這個(gè)問題，其他人則把一切麻煩怪到軟件頭上。

　　這一問題對(duì)于iPhone來說屬于首次出現(xiàn)，因?yàn)橹甶Phone使用的是MLC NAND 閃存，遇到這些問題的用戶只能將手機(jī)拿到Apple Store并更換新機(jī)。

　　最新來自蘋果內(nèi)部的消息人士聲稱，召回計(jì)劃完全是虛假的。蘋果官方支持論壇上關(guān)于崩潰的帖子只有159個(gè)回復(fù)，其中很多來自同一個(gè)人。這些用戶通常安裝了500或1000個(gè)應(yīng)用，消息稱蘋果已經(jīng)了解問題，推測(cè)該問題與閃存有關(guān)并不準(zhǔn)確。

　　據(jù)iFixit拆解報(bào)告顯示iPhone 6 Plus采用海力士H2JTDG8UD1BMS，集微網(wǎng)小編查到的規(guī)格表中并未明確指明其是TLC還是MLC，只歸類為E2NAND 3.0，而在TECHINSIGHTS所查，海力士H2JTDG8UD1BMS是16 nm NAND MLC Flash Memory，目前能夠確定的消息是iPhone 6 plus采用的NAND存儲(chǔ)器是MLC而不是TLC。

　　無論此輪iPhone 6 Plus問題是否與閃存控制IC有關(guān)，iPhone的每一個(gè)動(dòng)態(tài)都將牽動(dòng)無數(shù)果粉的心。