探源蘋果內(nèi)存控制IC問題的真與假

　　iPhone 6上市后，市場一直供不應(yīng)求，尤其128GB的iPhone 6 Plus更是最缺貨的一款。11月4日一則來自iPhone 6 Plus 128GB的最新消息， 或許讓果粉「退而求其次」，改買64GB甚至更低容量機種，在「擠牙膏」的效應(yīng)下，恐造成全系列iPhone 6的新機供應(yīng)更加吃緊。

　　AppleInsider10月23日曾報導(dǎo)，蘋果支援社群(Support Communities)論壇最近有多名用戶重復(fù)抱怨iPhone 6 Plus系統(tǒng)崩潰、或不斷重開機的問題，目前還不清楚故障的原因為何，有人已經(jīng)因此連換四支iPhone 6 Plus。

　　根據(jù)韓國媒體的分析，這些問題主要發(fā)生在128GB版iPhone 6 Plus，可能跟三階儲存單元(Triple-Level Cell，簡稱TLC)NAND型快閃存儲器(NAND Flash)的控制IC有關(guān)。BusinessKorea 3日報導(dǎo)，TLC flash是一種固態(tài)的NAND Flash，每一個快閃媒介單元都能儲存3位元的資料，容量為單階儲存單元(Single-Level Cell，簡稱SLC)、多階儲存單元(Multi-Level Cell，簡稱MLC)的兩到三倍之多。另外，TLC flash的價格也較為便宜。不過，TLC讀取/寫入資料的速度卻不如SLC或MLC。

　　坊間傳言，此次蘋果為了節(jié)省成本而在128GB iPhone 6 Plus與部份機種運用了TLC NAND Flash。在此之前，TLC NAND Flash都只用在部分iPad，而較為昂貴、但穩(wěn)定度高的MLC NAND Flash則應(yīng)用于大多數(shù)的iPhone。

　　部分業(yè)界人士認為，倘若TLC Flash真的是iPhone 6 Plus系統(tǒng)崩潰的主因，那么蘋果也許會召回已經(jīng)出售的所有產(chǎn)品。 至截稿前，蘋果尚未回應(yīng)相關(guān)報導(dǎo)，也尚未宣布任何iPhone召回計劃。

　　那么NAND內(nèi)存芯片控制IC到底是做什么用的呢?

　　據(jù)集微網(wǎng)所知，這顆內(nèi)存控制IC是擔任電子裝置與NAND快閃存儲器之間的溝通橋梁，負責中介、控制的角色，能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)的順利存取。此外，它還能提升數(shù)據(jù)的存取速度、加強除錯能力，延長NAND芯片的壽命。NAND內(nèi)存芯片控制IC并非昂貴的零組件，成本甚至僅iPhone新機價格的千分之一。但如若少了它，你想拍下美美的照片存起來，或想下載影片至手機里，都將成為空談，它的重要性可想而知。

　　根據(jù)iFixit拆解報告顯示iPhone 6 Plus采用的SK Hynix海力士的NAND Flash，按照蘋果封閉式NAND控制IC策略，蘋果NAND Flash控制IC可能由韓國SK Hynix海力士NAND芯片廠提供，或由蘋果自行設(shè)計。由于此次可能因NAND控制IC出錯導(dǎo)致128GB容量的iPhone 6 Plus系統(tǒng)崩潰，蘋果可能會轉(zhuǎn)變NAND控制IC策略，改為外購，為臺灣群聯(lián)等業(yè)者增添新一輪的轉(zhuǎn)單可能。

　　目前為止，遇到問題的用戶發(fā)現(xiàn)了幾個共通點，即128GB iPhone 6 Plus是最容易受到影響的機種、用戶安裝的應(yīng)用程式數(shù)量超過700款，且系統(tǒng)未與使用者互動便即崩潰。部份網(wǎng)友認為是硬件有瑕疵，因為蘋果最近發(fā)布的iOS 8.1系統(tǒng)更新并未解決這個問題，其他人則把一切麻煩怪到軟件頭上。

　　這一問題對于iPhone來說屬于首次出現(xiàn)，因為之iPhone使用的是MLC NAND 閃存，遇到這些問題的用戶只能將手機拿到Apple Store并更換新機。

　　最新來自蘋果內(nèi)部的消息人士聲稱，召回計劃完全是虛假的。蘋果官方支持論壇上關(guān)于崩潰的帖子只有159個回復(fù)，其中很多來自同一個人。這些用戶通常安裝了500或1000個應(yīng)用，消息稱蘋果已經(jīng)了解問題，推測該問題與閃存有關(guān)并不準確。

　　據(jù)iFixit拆解報告顯示iPhone 6 Plus采用海力士H2JTDG8UD1BMS，集微網(wǎng)小編查到的規(guī)格表中并未明確指明其是TLC還是MLC，只歸類為E2NAND 3.0，而在TECHINSIGHTS所查，海力士H2JTDG8UD1BMS是16 nm NAND MLC Flash Memory，目前能夠確定的消息是iPhone 6 plus采用的NAND存儲器是MLC而不是TLC。

　　無論此輪iPhone 6 Plus問題是否與閃存控制IC有關(guān)，iPhone的每一個動態(tài)都將牽動無數(shù)果粉的心。