DRAM產(chǎn)業(yè)十年一劫，中國(guó)全面搶灘市場(chǎng)

　　中國(guó)扶植自有DRAM供應(yīng)鏈計(jì)劃浮上臺(tái)面，業(yè)界透露中國(guó)將分三個(gè)階段著手，包括扶植大型集團(tuán)建立自有技術(shù)、高關(guān)稅逼迫國(guó)際大廠合作、強(qiáng)制品牌系統(tǒng)廠采用， 由于上一輪全球DRAM市場(chǎng)崩盤(pán)是在2008年發(fā)生，業(yè)界直指十年一劫的DRAM淘汰賽恐將在2017年再度引爆，對(duì)于既有DRAM業(yè)者SK海力士、美光 (Micron)等恐造成不小沖擊。

　　半導(dǎo)體業(yè)者表示，中國(guó)建立DRAM產(chǎn)業(yè)最難解問(wèn)題，似乎是如何取得被三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士、美光三大廠所把持的DRAM技術(shù)，然事實(shí)上，中國(guó)發(fā)展DRAM產(chǎn)業(yè)真正瓶頸在于國(guó)際大廠所布下綿密的DRAM專利網(wǎng)，近年來(lái)一直沒(méi)有新的DRAM供應(yīng)商，主要便是因?yàn)镈RAM芯片專利問(wèn)題。

　　半導(dǎo)體業(yè)者指出，若是中國(guó)制造的DRAM芯片只在中國(guó)地區(qū)銷(xiāo)售，不賣(mài)到其他國(guó)家，專利問(wèn)題便難成為其阻礙，以中國(guó)龐大內(nèi)需市場(chǎng)來(lái)看，中國(guó)DRAM芯片產(chǎn)出絕對(duì)可自給自足，國(guó)際大廠即使手握再多專利，恐怕也拿中國(guó)沒(méi)輒。

　　中國(guó)扶植DRAM產(chǎn)業(yè)將分為三階段，首先是點(diǎn)名大型集團(tuán)，并挑選一個(gè)省份出線，由中國(guó)中央力量扶植建立自有技術(shù)，目前中國(guó)有5~6個(gè)省份爭(zhēng)取投入DRAM生產(chǎn)，包括面板廠京東方急欲建立DRAM技術(shù)已浮上臺(tái)面。另外，中國(guó)吸引包括爾必達(dá)(Elpida)等國(guó)際人才加入，以及中國(guó)基金購(gòu)并SDRAM IC設(shè)計(jì)公司矽成，均是建立半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自有技術(shù)途徑。

　　中國(guó)扶植DRAM供應(yīng)鏈第二階段是仿效面板產(chǎn)業(yè)，祭出進(jìn)口關(guān)稅手段，逼迫國(guó)際 DRAM大廠合作，透過(guò)合資或拿出技術(shù)換取較好的條件，而中國(guó)龐大的內(nèi)需市場(chǎng)就是最好的談判籌碼。至于第三階段則是強(qiáng)制包括聯(lián)想、華為、中興、小米等中國(guó)品牌系統(tǒng)業(yè)者采用，以提升自有DRAM芯片市場(chǎng)滲透率。

　　半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為，上一輪全球DRAM產(chǎn)業(yè)崩盤(pán)發(fā)生在2008年，亦是臺(tái)灣 DRAM廠集體申請(qǐng)紓困的苦難期，爾必達(dá)在當(dāng)時(shí)倒下，美光來(lái)臺(tái)尋求臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部金援，茂德退出市場(chǎng)，力晶轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠，南亞科及華亞科分別轉(zhuǎn)型為 SDRAM供應(yīng)商及代工廠，近年來(lái)DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展及廠商獲利穩(wěn)定，引發(fā)中國(guó)覬覦。

　　面對(duì)中國(guó)全面搶灘DRAM市場(chǎng)，業(yè)者預(yù)期恐將剩下DRAM龍頭三星能夠與中國(guó)纏斗，業(yè)界對(duì)于海力士和美光處境十分憂心，不過(guò)，既有國(guó)際大廠都同時(shí)生產(chǎn)DRAM及NAND Flash，加上PC、手機(jī)、服務(wù)器有不同景氣循環(huán)，國(guó)際大廠仍將具備一定的競(jìng)爭(zhēng)力。