臺積電三星戰(zhàn)火延燒:前高管泄密案臺積電勝訴
原臺積電公司研發(fā)高管梁孟松跳槽三星并泄露28nm制程機(jī)密案件,臺高院已判決臺積電一方勝訴。梁曾在臺積電擔(dān)任研發(fā)部門高管,離職臺積電后入職三星任LSI部門CTO。臺積電公司公關(guān)部高管在受訪電話中稱:“依照判決,梁先生必須從現(xiàn)在起至今年年底期間暫停為三星工作。”
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/279999.htm據(jù)悉,梁所泄露給三星的技術(shù)機(jī)密,將有助于三星在14nm FinFET工藝技術(shù)方面趕超臺積電,而14nm FinFET工藝則會是業(yè)界大佬高通,蘋果等下一代移動設(shè)備產(chǎn)品的主流半導(dǎo)體制作工藝。而回顧2012年,臺積電推出28nm制程技術(shù)后,他們在該工藝節(jié)點(diǎn)上幾乎在代工市場獨(dú)大了兩年。
三星公司則拒絕對此判決作出任何評論。
今年二月份,三星曾透過一家公關(guān)公司Edelman向媒體表態(tài)稱:“三星會努力遵守各項(xiàng)法律和倫理標(biāo)準(zhǔn)。不過,由于這個(gè)案件的雙方是臺積電和梁先生,我們不想摻和進(jìn)去,妄加評論就更不適當(dāng)。”
不過今年二月份,前臺積電法律顧問曾表示:盡管三星并不是本案的直接被告,但無疑已被牽扯其中。因?yàn)楸桓媪合壬霓q護(hù)律師費(fèi)用應(yīng)該是有三星出資贊助的,另外三星還為他出具了許多書面的證據(jù)。
臺積電的28nm制程技術(shù)在過去5年以來一直是該公司最主要的盈利技術(shù)和賺錢法寶,當(dāng)然它同時(shí)還為下一代20/16nm工藝技術(shù)打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
三星今年推出了14nm FinFET技術(shù),以抗衡臺積電的16nm FinFET技術(shù)。三星和臺積電兩家一直在為了爭奪蘋果iPhone/iPad相關(guān)訂單而惡戰(zhàn)。
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