三星、英特爾大陸相繼擴(kuò)廠　打造次世代存儲器基地

　　英特爾(Intel)在陸大肆投資，轉(zhuǎn)換新的存儲器工廠;在西安生產(chǎn)3D NAND Flash的三星電子(Samsung Electronics)也在漸進(jìn)式地提高當(dāng)?shù)禺a(chǎn)量與技術(shù)水準(zhǔn)，大陸儼然成為全球前兩大半導(dǎo)體企業(yè)的次世代存儲器基地。

　　據(jù)Digital Times報導(dǎo)，英特爾未來3~5年內(nèi)將投資35億美元，將位于大連的半導(dǎo)體組裝廠轉(zhuǎn)換為次世代存儲器制造廠，連同設(shè)備投資的整體投資規(guī)模上看55億美元。業(yè)界預(yù)估大連廠最快在2016年下半正式稼動。

　　英特爾的這項投資震撼市場，主因是英特爾一向?qū)⒆罴舛斯S設(shè)在美國，海外生產(chǎn)線的技術(shù)水準(zhǔn)則相對落后2個世代左右。然而這次卻決定在大連廠生產(chǎn)最新Optane技術(shù)的固態(tài)硬碟(SSD)等次世代產(chǎn)品。

　　英特爾是全球半導(dǎo)體企業(yè)中最積極進(jìn)軍大陸市場的企業(yè)之一，與大陸國營企業(yè)清華紫光集團(tuán)的合作關(guān)系尤其密切。目前與清華紫光集團(tuán)子公司，同時也是移動應(yīng)用處理器(AP)市場黑馬的展訊，從技術(shù)協(xié)力到委托代工有著全方位的合作關(guān)系。

　　除了英特爾，積極耕耘大陸的還有三星電子。三星電子身為全球最大的存儲器半導(dǎo)體企業(yè)，最尖端3D NAND Flash產(chǎn)品也在大陸西安廠生產(chǎn)，更有逐漸提高產(chǎn)量的趨勢。

　　2014年西安廠每月平均晶圓投片量為1萬~2萬片，2015年第3季每月平均5萬片，2016年月產(chǎn)量可望達(dá)10萬片，占三星NAND Flash總產(chǎn)量的30%以上。此外，另一韓國存儲器大廠SK海力士(SK Hynix)，也有一半的DRAM是在大陸無錫廠制造。

　　大陸快速躍升為次世代存儲器生產(chǎn)的主要基地，原因在于大陸不但是全球最大存儲器消費國，培育存儲器產(chǎn)業(yè)的意志更是強(qiáng)烈。由于大陸90%以上的存儲器依賴海外進(jìn)口，因此特別積極招攬存儲器業(yè)者在當(dāng)?shù)卦O(shè)廠。

　　半導(dǎo)體業(yè)界人士表示，英特爾、三星電子等業(yè)者積極設(shè)廠大陸，是研判未來大陸的存儲器市場結(jié)構(gòu)，很可能會從進(jìn)口轉(zhuǎn)為內(nèi)制內(nèi)銷，對存儲器產(chǎn)業(yè)成長也會有很大的影響。