KLA-Tencor推出達(dá)到關(guān)鍵性45nm晶片幾何度量要求的完整度量解決方案

　　KLA-Tencor 公司推出了 WaferSight 2，這是半導(dǎo)體行業(yè)中第一個(gè)讓晶片供應(yīng)商和芯片制造商能夠以 45nm 及更小尺寸所要求的高精度和工具匹配度，在單一系統(tǒng)中度量裸晶片平面度、形狀、卷邊及納米形貌的度量系統(tǒng)。憑借業(yè)界領(lǐng)先的平面度和納米形貌測量精度，加之更高的工具到工具匹配度，WaferSight 2 讓晶片供應(yīng)商能夠率先生產(chǎn)下一代晶片，并讓集成電路 (IC) 制造商對未來晶片質(zhì)量的控制能力更具信心。

　　領(lǐng)先的光刻系統(tǒng)供應(yīng)商的研究表明，在 45nm 工藝中，晶片平面度的細(xì)微差異會(huì)消耗高達(dá) 50% 的關(guān)鍵光刻焦深預(yù)算。在 KLA-Tencor 公司 WaferSight 1 系統(tǒng)占據(jù)市場領(lǐng)先地位的基礎(chǔ)上，WaferSight 2 系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)更嚴(yán)格的裸晶片平面度規(guī)格，并幫助芯片制造商戰(zhàn)勝焦深挑戰(zhàn)，其快速精確的新一代 45nm 平面度測量功能將讓晶片制造商和集成電路公司雙雙獲益。

　　KLA-Tencor 的成長與新興市場副總裁 Jeff Donnelly 表示：“在 45nm 及更小尺寸級別，晶片平面度、形狀及表面形貌的差異對制程區(qū)段、光刻優(yōu)率及其它制造工藝的影

　　響更大。與先前的 ADE Wafersight 1 相比，新型 WaferSight 2 系統(tǒng)具備更佳的光學(xué)與測量隔離，可實(shí)現(xiàn)更高的分辨率、匹配率和精確度，不僅能幫助晶片制造商大幅提升其制造規(guī)格，以滿足 45nm 的要求，還能讓芯片制造商測量將要使用的晶片，以確保生產(chǎn)的工藝質(zhì)量。同時(shí)，這套系統(tǒng)的產(chǎn)能可降低運(yùn)營成本，并提高效率。”

　　納米形貌控制已成為 45nm 節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵，因?yàn)樗腔瘜W(xué)機(jī)械研磨 (CMP) 中縮小制程極限的根本，且會(huì)引起光刻中的微距量測 (CD) 差異。新型 WaferSight 2 具備業(yè)界領(lǐng)先的納米形貌測量性能和更高精度，并且是第一個(gè)以單一非破壞性測量方式進(jìn)行前后兩面納米形貌測量的系統(tǒng)。

　　WaferSight 2 將平面度和納米形貌測量合并在一個(gè)系統(tǒng)上，與多工具解決方案相比，可縮短周期時(shí)間，減少在制品 (WIP) 的排隊(duì)與移動(dòng)時(shí)間，縮小所占空間，并提高設(shè)施的使用效率。WaferSight 2 還可與 KLA-Tencor 的數(shù)據(jù)管理系統(tǒng) FabVision® 無縫結(jié)合，形成一套可離線分析存檔數(shù)據(jù)或當(dāng)前度量數(shù)據(jù)的完整解決方案，并可提供完全自定義的圖表和報(bào)告。

　　WaferSight 2 測試現(xiàn)場合作伙伴 Soitec 公司的 SOI 產(chǎn)品平臺(tái)副總裁 Christophe Maleville 表示：“我們對 WaferSight 2 系統(tǒng)的評估表明，這套工具的所有測量模式在同類產(chǎn)品中均具備領(lǐng)先性能，可提供卓越的長期重復(fù)能力與測量穩(wěn)定性。Wafersight 2 系統(tǒng)的先進(jìn)性能使其適合于新一代 45nm 生產(chǎn)，且在評估測試階段和實(shí)際生產(chǎn)中，均表現(xiàn)出極佳的穩(wěn)定性。WaferSight 2 度量系統(tǒng)已被接受用于硅和 SOI 生產(chǎn)，且將成為 Soitec 以后晶片幾何度量的一個(gè)關(guān)鍵系統(tǒng)?！?/P>

　　關(guān)于 KLA-Tencor：KLA-Tencor 是為半導(dǎo)體制造及相關(guān)行業(yè)提供產(chǎn)能管理和制程控制解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè)。該公司總部設(shè)在美國加州的圣何塞市，銷售及服務(wù)網(wǎng)絡(luò)遍布全球。KLA-Tencor 躋身于標(biāo)準(zhǔn)普爾 500 強(qiáng)公司之一，并在納斯達(dá)克全球精選市場上市交易，其股票代碼為 KLAC。有關(guān)該公司的更多信息，請?jiān)L問 http://www.kla-tencor.com。

　　WaferSight 2 技術(shù)概要

　　集成電路 (IC) 制程中的平面度、卷邊和納米形貌測量的重要性

　　平面度

　　在 45nm 節(jié)點(diǎn)，先進(jìn)的光刻光學(xué)技術(shù)可將焦深縮小到 100~150nm。更小的焦深對晶片上平面度變化的容差要求更為嚴(yán)格，因此，對于每個(gè)更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，必須更嚴(yán)格地控制晶片平面度與形狀參數(shù)。WaferSight 2 可以勝任 45nm 生產(chǎn)，因?yàn)樗邆浯渭{米級平面度測量精度，且其工具到工具匹配度比 WaferSight 1 提高了 200%。此業(yè)界領(lǐng)先性能可幫助晶片制造商提高優(yōu)率，并幫助芯片制造商降低對所要使用晶片的不確定性與風(fēng)險(xiǎn)。

　　卷邊

　　晶片鄰近邊緣區(qū)域(定義為從邊緣開始 1mm 至 5mm 的范圍內(nèi))的幾何一致性是制造過程中的一個(gè)新挑戰(zhàn)，這是因?yàn)?，與晶片的中心相比，鄰近邊緣區(qū)域存在各種加工差異。由此產(chǎn)生的形狀或厚度差異稱為卷邊 (ERO)。卷邊會(huì)嚴(yán)重影響在最外層區(qū)域的光刻焦點(diǎn)控制及該區(qū)域的化學(xué)機(jī)械研磨 (CMP) 一致性。

　　WaferSight 2 的 ERO 測量可提供所需的準(zhǔn)確數(shù)據(jù)，有助于控制晶片邊緣區(qū)域的卷邊效應(yīng)，并提高晶粒優(yōu)率。使用 WaferSight 2 可對角度 ERO 差異進(jìn)行定量分析，晶片供應(yīng)商之間，以及晶片和晶片內(nèi)部之間的差異在 ERO 數(shù)據(jù)中一目了然。這種 ERO 差異會(huì)影響 CMP 中邊緣覆膜厚度的一致性，因此，控制晶片 ERO 成為實(shí)現(xiàn)預(yù)期 CMP 性能的關(guān)鍵。

　　納米形貌

　　納米形貌是晶片上的納米級高度差異，它通過測量大約 2mm 至 10mm 的區(qū)域得出。國際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖 (ITRS) 指出，從峰頂?shù)焦鹊椎募{米形貌可能僅有幾納米，因此納米形貌的精度會(huì)受到測量系統(tǒng)上卡盤效應(yīng)的影響。WaferSight 2 使用全邊緣卡夾的晶片操作系統(tǒng)，在其獲取平面度和卷邊數(shù)據(jù)的相同掃描中，會(huì)捕捉來自晶片前后兩面的無偽差納米形貌數(shù)據(jù)，從而消除了卡盤效應(yīng)。