用模擬開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)信號(hào)復(fù)用

　　請(qǐng)注意模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器，它們是信號(hào)通道的關(guān)鍵元件。設(shè)計(jì)人員應(yīng)當(dāng)了解這些重要模擬部件的應(yīng)用和規(guī)格。

　　要 點(diǎn)

　　模擬開(kāi)關(guān)的主要規(guī)格是電壓、導(dǎo)通電阻、電容、電荷注入、速度和封裝。

　　介質(zhì)絕緣工藝可防止一些開(kāi)關(guān)的閂鎖。

　　開(kāi)關(guān)的工作范圍從直流到 400 MHz ，甚至更高。

　　MEMS （微機(jī)電系統(tǒng)）開(kāi)關(guān)在高頻下運(yùn)行良好，但存在可靠性問(wèn)題，并且封裝費(fèi)用昂貴。
　　如果您是在仿真一個(gè)模擬開(kāi)關(guān)，要確保對(duì)全部寄生成分的建模。

　　沒(méi)有哪個(gè) IC 原理圖符號(hào)能比模擬開(kāi)關(guān)的符號(hào)更簡(jiǎn)單（圖 1a ）。一個(gè)基本開(kāi)關(guān)僅包括輸入、輸出、控制腳和一對(duì)電源腳。然而，在這簡(jiǎn)單的外觀(guān)（圖 1b ）后面，隱藏著極其復(fù)雜的東西。很多規(guī)格，包括電源電壓和導(dǎo)通電阻，都對(duì)部件運(yùn)行非常重要。模擬開(kāi)關(guān)也有許多交流規(guī)格，如帶寬和開(kāi)關(guān)時(shí)間。所有這些規(guī)格（包括泄漏電流）都會(huì)隨溫度而變化，有時(shí)是徹底改變。與其它所有模擬部件一樣，開(kāi)關(guān)也有相互作用并有一組連續(xù)值的規(guī)格。這些規(guī)格并非白或黑，而是灰色梯度（參考文獻(xiàn) 1 ）。

　　一個(gè)模擬開(kāi)關(guān)是復(fù)雜的，但要把它們聯(lián)結(jié)成組，或者把它們集成到一個(gè) IC 里以提供 DPDT （雙刀雙擲）功能或多路復(fù)用器，就會(huì)更加復(fù)雜。例如，一個(gè)為 ADC 送入信號(hào)的多路復(fù)用器應(yīng)當(dāng)是一種先開(kāi)后合的器件——也就是說(shuō)，在接通之前，它應(yīng)當(dāng)斷開(kāi)觸點(diǎn)，防止輸入信號(hào)相互短路。但是一個(gè)音頻輸出上的多路復(fù)用器可能需要先合后開(kāi)器件——也就是說(shuō)，它必須先接通，然后再斷開(kāi)，以防止音頻信號(hào)中出現(xiàn)令人不快的卡嗒聲和爆破音。如所有模擬部件一樣，事情要比第一眼看上去更復(fù)雜。

　　尋找新用途

　　模擬開(kāi)關(guān)總是在儀器和工業(yè)市場(chǎng)中占有一席之地。數(shù)據(jù)采集卡重定模擬輸入的路徑，為接至 ADC 的測(cè)量提供多個(gè)通道，并把模擬輸出傳遞到連接器或內(nèi)部電路節(jié)點(diǎn)。這些卡中的模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器傳統(tǒng)上是高壓部件，以保持它們的工業(yè)、軍用和醫(yī)用傳統(tǒng)。這些有幾十年歷史的應(yīng)用將永遠(yuǎn)存在，但是幾項(xiàng)新的技術(shù)進(jìn)展正在使模擬開(kāi)關(guān)的使用發(fā)生巨大的變化。

　　模擬開(kāi)關(guān)最大規(guī)模用途之一是手機(jī)和其它的手提消費(fèi)設(shè)備。Fairchild Semiconductor 的開(kāi)關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)線(xiàn)總監(jiān) Jerry Johnston 稱(chēng)：“我不知道哪款手機(jī)里一個(gè)開(kāi)關(guān)也沒(méi)有。”大小和功能是電話(huà)中使用模擬開(kāi)關(guān)的推動(dòng)因素。手機(jī)外殼中只有很小的空間放置連接器，這意味著模擬開(kāi)關(guān)必須將信號(hào)從多個(gè) IC 傳遞到一個(gè) USB 端口、視頻端口、音頻端口或電源連接器。這些開(kāi)關(guān)也有多種功能，這更增加了在手機(jī)中的應(yīng)用。一款手機(jī)通常包括一只基帶 IC 和 RF 信號(hào)鏈。一款全功能手機(jī)也可能要帶有數(shù)碼相機(jī)和攝像頭，兩者都有相關(guān)的閃存系統(tǒng)，并且能做 MP3 和視頻播放器。它也支持 USB、藍(lán)牙和無(wú)線(xiàn) LAN 連接。Johnston了解一些高端手機(jī)有多達(dá) 14 個(gè)模擬開(kāi)關(guān)。

　　基于類(lèi)似的原因，模擬開(kāi)關(guān)日益增長(zhǎng)的另一應(yīng)用是便攜計(jì)算機(jī)。即使最基本的筆記本電腦也有攝像頭、 IR（紅外線(xiàn)）端口、藍(lán)牙和無(wú)線(xiàn)功能。此外與手機(jī)類(lèi)似，便攜計(jì)算機(jī)只有有限的外表面供放置連接器。盡管不像手機(jī)的空間限制那么嚴(yán)格，但是這種約束仍然為模擬開(kāi)關(guān)提供了許多應(yīng)用。

　　家庭娛樂(lè)設(shè)施是模擬開(kāi)關(guān)的另一種大批量應(yīng)用。任何一個(gè)裝配電視、 DVD 播放機(jī)、立體聲收音機(jī)、游戲系統(tǒng)、有線(xiàn)系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)的人，都可以證實(shí)這些任務(wù)要求的視頻與音頻信號(hào)布線(xiàn)挑戰(zhàn)。如同手機(jī)一樣，這些家庭娛樂(lè)系統(tǒng)可能用到一些數(shù)字信號(hào)，但是仍然必須使用模擬開(kāi)關(guān)來(lái)完成該設(shè)備的信號(hào)傳送。例如，許多家庭娛樂(lè)系統(tǒng)有多個(gè) HDMI（高清晰多媒體接口）數(shù)字信號(hào)通道，這些產(chǎn)品需要模擬開(kāi)關(guān)傳送那些信號(hào)，因?yàn)槭褂脭?shù)字開(kāi)關(guān)能引起扭曲及延遲。數(shù)字開(kāi)關(guān)在完成功率時(shí)會(huì)建立一個(gè)或多個(gè)門(mén)延遲，那些延遲可能不確定，而是隨著開(kāi)關(guān)路由或溫度而更改，門(mén)的上升和下降次數(shù)可能更改數(shù)字信號(hào)的占空比。

　　模擬開(kāi)關(guān)的另一個(gè)大量應(yīng)用是車(chē)載娛樂(lè)設(shè)備，它有與家庭娛樂(lè)系統(tǒng)一樣的信號(hào)路由問(wèn)題，而且空間更少。汽車(chē)電子設(shè)備，或“telematics”（車(chē)載通信系統(tǒng)）同時(shí)包含了信號(hào)路由以及娛樂(lè)、計(jì)算機(jī)和手機(jī)環(huán)境的管理挑戰(zhàn)。

　　重要規(guī)格

　　模擬開(kāi)關(guān)能經(jīng)受的電壓與機(jī)械開(kāi)關(guān)的額定電壓一樣重要，有時(shí)它指示出開(kāi)關(guān)的預(yù)期市場(chǎng)。12V到 36V開(kāi)關(guān)的目標(biāo)常常是儀表、軍用和醫(yī)用市場(chǎng)。那些必須從外部測(cè)量一些未知電壓的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，也得益于采用高額定電壓的模擬開(kāi)關(guān)。因?yàn)樵O(shè)計(jì)人員無(wú)法控制所測(cè)電壓的水平，所以，重要的是開(kāi)關(guān)能承受盡可能高的電壓。對(duì)于可靠性的同樣要求，促進(jìn)了對(duì)介質(zhì)絕緣模擬開(kāi)關(guān)和故障保護(hù)模擬開(kāi)關(guān)的開(kāi)發(fā)。

　　介質(zhì)絕緣是把 IC 中每個(gè)晶體管放在自己的玻璃外套中（圖2和參考文獻(xiàn)2）。玻璃有比硅更低的介電常數(shù)，對(duì)介質(zhì)絕緣的部件產(chǎn)生非常低的內(nèi)電容。因此，如果輸入信號(hào)超出電源軌（圖3），寄生SCR （可控硅整流器）的形成就能引起IC基材的閂鎖。制造商通常采用廉價(jià)的 CMOS 工藝為電子消費(fèi)產(chǎn)品制造部件，而這些部件的最大額定電壓為5.5V。例如，F(xiàn)airchild的 FSA2270T雙路SPDT （單刀雙擲）模擬開(kāi)關(guān)擺幅低于負(fù)電壓軌，這樣在沒(méi)有負(fù)電源軌情況下也能通過(guò)雙極音頻信號(hào)（參考文獻(xiàn)3）。另外一個(gè)例子是德州儀器公司的 TS3USB221 多路復(fù)用器/解復(fù)用器開(kāi)關(guān)，其工作電壓為 2.3V。

　　故障保護(hù)是另一個(gè)重要規(guī)格。具備這一特性的器件，即使其輸入電壓超過(guò)電源軌也不會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞。例如，Maxim 公司的 MAX388 模擬多路復(fù)用器的故障防護(hù)達(dá) 100V 。除提供內(nèi)部故障保護(hù)之外，線(xiàn)路還可以設(shè)計(jì)為在過(guò)壓情況下保護(hù)模擬開(kāi)關(guān)（參考文獻(xiàn)4）。

　　導(dǎo)通電阻是模擬開(kāi)關(guān)的另一個(gè)極為重要的規(guī)格。如果您的設(shè)計(jì)包含了一個(gè)為模擬開(kāi)關(guān)提供緩沖的運(yùn)算放大器，導(dǎo)通電阻似乎并不重要。運(yùn)算放大器的輸入阻抗可能在兆歐水平，所以把一個(gè) 100Ω的模擬開(kāi)關(guān)與輸入端串聯(lián)，意味著這個(gè)阻抗是可忽略的，但是僅對(duì)直流。開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻能對(duì)放大器的雜散電容和輸入電容作出反應(yīng)。這個(gè)反應(yīng)能建立一個(gè)極點(diǎn)，使信號(hào)鏈的頻率響應(yīng)驟降，可能達(dá)到無(wú)法接受的水平。許多其它信號(hào)通路應(yīng)用需要更低的導(dǎo)通電阻。盡管幾十年前100Ω是可以接受的，那時(shí)工程師使用的是Fairchild通用CD4066 CMOS 模擬開(kāi)關(guān)，但許多器件的導(dǎo)通電阻很快降低到 10Ω，現(xiàn)在已有多款低于 1Ω的模擬開(kāi)關(guān)。例如， Pericom 公司的 PI3A3159 SPDT 模擬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻為0.4Ω。這些新部件可以在低至 2.7V 的工作電壓下，實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻。

　　另一個(gè)重要規(guī)格是關(guān)態(tài)電阻，它量度的是開(kāi)關(guān)阻擋信號(hào)的能力。模擬開(kāi)關(guān)的基本關(guān)態(tài)電阻就是 MOS 晶體管的關(guān)態(tài)電阻，通常高于多數(shù)線(xiàn)路的需求。關(guān)態(tài)電阻也是 ESD （靜電放電）保護(hù)二極管的一個(gè)功能，這些二極管在 IC 片芯上，防止晶體管的處理和組裝中出現(xiàn)損壞（圖 4）。把關(guān)態(tài)電阻看成是一個(gè)泄露規(guī)格可能更有幫助。因?yàn)樾孤┟?10℃會(huì)加倍，應(yīng)總是在預(yù)期的電路最高工作溫度上檢查關(guān)態(tài)電阻。此外，關(guān)態(tài)電阻和泄漏是應(yīng)用于直流或低頻的規(guī)格。在更高頻率時(shí)，開(kāi)關(guān)電容支配著關(guān)態(tài)電阻和泄漏。

　　對(duì)于現(xiàn)代模擬開(kāi)關(guān)這么小的東西，不可避免會(huì)存在電容。引腳挨的很近，因此可以預(yù)計(jì)它們之間有數(shù)皮法的耦合電容。另外還必須處理晶體管結(jié)構(gòu)和基材之間的電容。制造商采用專(zhuān)有工藝生產(chǎn)現(xiàn)代部件，這樣部件就能在 RF 范圍工作，輕易地達(dá)到數(shù)百兆赫。

　　Maxim Intergratd Products公司的副業(yè)務(wù)經(jīng)理Manav Malhotra 稱(chēng)，一些客戶(hù)要求制造商確定模擬開(kāi)關(guān)的插入損耗和回波損耗，這是與射頻（RF）設(shè)計(jì)相關(guān)的規(guī)格。半導(dǎo)體模擬開(kāi)關(guān)也有其弱點(diǎn)：各引腳與地或電源之間的電容。舌簧繼電器和 MEMS （微機(jī)電系統(tǒng)）開(kāi)關(guān)有較小的雜散電容，使它們適合于延伸至千兆赫范圍的頻率，但是繼電器和 MEMS 都是機(jī)械性器件，在幾十萬(wàn)到數(shù)百萬(wàn)次的運(yùn)行循環(huán)中會(huì)磨損。舌簧繼電器開(kāi)關(guān)的激勵(lì)需要很大功率；MEMS 器件的運(yùn)行需要成本昂貴的封裝，將硅梁保持在一個(gè)空區(qū)中。即使信號(hào)僅是數(shù)百千赫，也應(yīng)當(dāng)觀(guān)察模擬開(kāi)關(guān)的引腳（包括地和電源）之間的電容，確定該器件是否能提供所需的隔離和串?dāng)_規(guī)格。

　　電荷注入是模擬開(kāi)關(guān)中的另一個(gè)重要規(guī)格。打開(kāi)開(kāi)關(guān)會(huì)使電荷注入信號(hào)通道，在采樣保持穩(wěn)壓器和饋入放大器的多路復(fù)用器中，這可能會(huì)產(chǎn)生災(zāi)難性的后果。那些配合內(nèi)部電容的 IC設(shè)計(jì)能盡可能減少電荷注入。啟動(dòng)信號(hào)的上升沿越快，電荷注入的問(wèn)題就會(huì)越嚴(yán)重。降低模擬開(kāi)關(guān)控制信號(hào)的轉(zhuǎn)換速率有可能把電荷注入降低到可接受的水平。如果在設(shè)計(jì)的信號(hào)通道中有任何高阻抗節(jié)點(diǎn)，請(qǐng)一定要評(píng)估這個(gè)因素。電荷注入常常是含模擬開(kāi)關(guān)音頻電路產(chǎn)生爆破聲和卡嗒聲的原因。如同所有規(guī)格一樣，要在預(yù)期的全部設(shè)計(jì)工作溫度范圍上檢查這個(gè)因素。

　　許多模擬開(kāi)關(guān)要傳送快速的數(shù)字信號(hào)，因此對(duì)于許多用戶(hù)來(lái)說(shuō)，激勵(lì)速度是一個(gè)重要規(guī)格。即使在傳統(tǒng)應(yīng)用中，如數(shù)據(jù)采集多路復(fù)用器，必須在采樣保持分析時(shí)考慮開(kāi)關(guān)速度因素，以確保在 ADC 測(cè)量之前，信號(hào)已經(jīng)穩(wěn)定到一個(gè)準(zhǔn)確的水平。也應(yīng)當(dāng)注意信號(hào)鏈中任何模擬開(kāi)關(guān)的 PSRR （電源抑制比）。正如輸出和電源之間的電容能快速衰減信號(hào)一樣，同一個(gè)電容也能把電源軌上的高頻噪聲成份傳入輸出信號(hào)。最近，很多模擬電路采用開(kāi)關(guān)電源供電。一定要檢查電源軌的頻譜內(nèi)容。如果頻率足夠高，它們將通過(guò)模擬開(kāi)關(guān)的內(nèi)部電容進(jìn)入設(shè)計(jì)的輸出。在部件的電源腳串接一只電阻或電感，并在靠近模擬開(kāi)關(guān)的位置放一個(gè)或多個(gè)去耦電容，可確保電源噪聲不會(huì)進(jìn)入設(shè)計(jì)的信號(hào)通道。這也會(huì)使線(xiàn)路對(duì) RFI（射頻干擾，參考文獻(xiàn) 5）有更強(qiáng)的抗干擾能力。

　　還有一個(gè)規(guī)格的重要性和其它規(guī)格一樣，這就是部件采用的封裝。如果設(shè)計(jì)一種手持式儀器或手機(jī)，就需要使器件采用 SC-70 或更小的封裝。如果要使用的是電源切換部件，那么可能需要大型封裝幫助功率耗散，防止部件變得過(guò)熱。另外一個(gè)封裝考慮是與標(biāo)準(zhǔn)部件引出腳的一致性。例如，如果需要更換一個(gè) Intersil DG403單片模擬開(kāi)關(guān)，那么需要一個(gè)有相同封裝和出腳的部件。要得到一個(gè)低導(dǎo)通電阻的小封裝部件是一個(gè)挑戰(zhàn)。Maxim Integrated Products公司的接口開(kāi)關(guān)和保護(hù)業(yè)務(wù)部的執(zhí)行董事 Jeffery DeAngelis 稱(chēng)：“多數(shù)開(kāi)關(guān)面臨的挑戰(zhàn)是物理問(wèn)題。要得到更小的導(dǎo)通電阻，得在 FET 中并排放多個(gè)金手指 （柵極結(jié)構(gòu)）。這么做得到了更低的導(dǎo)通電阻，但是片芯增大。”

　　電流消耗是另一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。一些部件會(huì)根據(jù)應(yīng)用的控制信號(hào)電平而改變電源的電流。要在電路試驗(yàn)板上評(píng)估電源的電流，不要假設(shè)數(shù)據(jù)單上的標(biāo)稱(chēng)數(shù)值就適用于電路。此外要注意電源電流會(huì)隨著溫度而變化。

　　處理權(quán)衡問(wèn)題

　　由于需要考慮那么多規(guī)格，一位勤勉的模擬工程師應(yīng)當(dāng)審視那些模擬開(kāi)關(guān)固有的基本權(quán)衡。所有工程師都知道最重要的規(guī)格是成本。低成本的開(kāi)關(guān)無(wú)過(guò)于老式的 CD4066 CMOS 模擬開(kāi)關(guān)。它的工作電壓高達(dá) 15V，可以并聯(lián)使用多個(gè)開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)適當(dāng)級(jí)別的導(dǎo)通電阻。在另一個(gè)極端上，介質(zhì)隔離的 Intersil H 303ARH 擁有抗輻射加固的硅柵，使它適合軍事和人造衛(wèi)星應(yīng)用。另一個(gè)權(quán)衡涉及電源電壓。通常情況下，電源電壓越高，導(dǎo)通電阻越低。例如，STMicroelectronics使用新工藝制作 STG3699B 四單刀雙擲開(kāi)關(guān)，使之有 0.5Ω的導(dǎo)通電阻。

　　另外一個(gè)權(quán)衡是電源電流。高速運(yùn)行的器件需要更高的電源電流，能以更快的速率轉(zhuǎn)換晶體管門(mén)。CMOS 或 DMOS 模擬開(kāi)關(guān)常常有低的電源電流。例如， STMicro 的 STG3684 單刀雙擲開(kāi)關(guān)僅僅使用200 nA。此電流隨著溫度而上升。該公司某些部件的規(guī)格設(shè)定在+ 85℃，如 STG3689。

　　其他權(quán)衡包括封裝的大小和功耗。電源切換（開(kāi)關(guān)電源）設(shè)計(jì)需要較大的封裝，從而可能需要低導(dǎo)通電阻，因?yàn)楣苄驹酱?，電阻越低。新穎的工藝和電路技術(shù)也已經(jīng)在這個(gè)領(lǐng)域做出了巨大的進(jìn)步。Vishay 現(xiàn)在提供 14 種導(dǎo)通電阻小于 1Ω的開(kāi)關(guān)。而且這些部件的封裝和 SC-70 一樣小，底面積為 3mm × 2mm。

　　可能忽略的一個(gè)權(quán)衡是導(dǎo)通電阻會(huì)跟隨施加的信號(hào)而發(fā)生變化。如果使用高壓電源和小信號(hào)擺幅，那么這種變化可能不是問(wèn)題。然而，如果信號(hào)是軌至軌地?cái)[至電源電壓，將需要一種較新的器件，它能在通過(guò)的信號(hào)電壓范圍上提供一致的導(dǎo)通電阻。

　　CMOS 模擬開(kāi)關(guān)會(huì)更便宜，但是運(yùn)行電壓更低。DMOS 開(kāi)關(guān)有更高的電壓，轉(zhuǎn)換更快。DMOS 開(kāi)關(guān)通常有更嚴(yán)格的驅(qū)動(dòng)器要求。Vishay 開(kāi)發(fā)了 DG611 開(kāi)關(guān)，它同時(shí)使用 CMOS 和 DMOS 以獲得實(shí)現(xiàn)兩種工藝的優(yōu)點(diǎn)（參考文獻(xiàn) 6）。Analog Devices 公司產(chǎn)品經(jīng)理Liam S渋lleabh噄n 認(rèn)為，辨別模擬開(kāi)關(guān)制造商的一個(gè)條件是看它提供定制或?qū)Ｓ泄に嚨哪芰?，如該公司?35V iCMOS 工藝，它能使部件適合于具體的應(yīng)用。他說(shuō)：“如果比較一下 ADG408 和我們的新產(chǎn)品 ADG1408，408 的導(dǎo)通電阻為 100Ω，而 1408 的導(dǎo)通電阻為 4.7Ω。 公司提供的1408采用相同的 TSSOP 封裝，但是也有另外的封裝選擇 LFCSP，它要小 70%。”

　　MEMS 部件可能是模擬開(kāi)關(guān)的未來(lái)權(quán)衡。現(xiàn)在的問(wèn)題是機(jī)械可靠性和價(jià)格。MEMS 開(kāi)關(guān)是機(jī)械式的，雖然可以預(yù)期它們的可靠性?xún)?yōu)于舌簧繼電器開(kāi)關(guān)，但它們?nèi)匀粫?huì)磨損或徹底損壞。此外，MEMS 結(jié)構(gòu)不能采用環(huán)氧樹(shù)脂作密封，所以  MEMS 封裝總是比硅模擬開(kāi)關(guān)封裝更貴。此外， MEMS 開(kāi)關(guān)的切換時(shí)間較長(zhǎng)，因?yàn)樗鼈兪菣C(jī)械式的。

　　放眼審視模擬開(kāi)關(guān)的大量應(yīng)用和多面性的規(guī)格，您能夠發(fā)現(xiàn)的內(nèi)容遠(yuǎn)超過(guò)眼前這些無(wú)處不在的小部件所呈現(xiàn)的東西（參考文獻(xiàn) 7）。在您設(shè)計(jì)自己的下一個(gè)信號(hào)鏈時(shí)，一定理解它們的使用和規(guī)格。如果您正在做一個(gè)包含模擬開(kāi)關(guān)的 Spice仿真，要確保模型是完整的，能顯示寄生和雜散電容和打線(xiàn)的電感。許多Spice模型沒(méi)有考慮電荷注入，或?qū)娮桦S外加電壓而發(fā)生的變化。如果實(shí)驗(yàn)板出現(xiàn) Spice運(yùn)行時(shí)不曾出現(xiàn)的問(wèn)題，不必感到驚訝。在溫度范圍內(nèi)檢查一切，確保能買(mǎi)到您選擇的部件，并且它會(huì)在產(chǎn)品壽命周期內(nèi)保持量產(chǎn)。如果正確地使用了模擬開(kāi)關(guān)，就可以實(shí)現(xiàn)各種性能，并降低成本，這是其他方式不能做到的。

參考文獻(xiàn)
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