臺(tái)積電40nm制程仍存良率不足問題
據(jù)業(yè)界分析,臺(tái)積電的40nm制程目前仍然存在著良率不足的問題。今年早些時(shí)候,臺(tái)積電曾公開承認(rèn)此問題,但后來他們宣稱已解決先前大部分良率問題。不過,根據(jù)本周四Nvidia公司舉辦的一次會(huì)議的內(nèi)容,我們可以看出Nvidia公司內(nèi)部對(duì)臺(tái)積電的40nm產(chǎn)能及良率方面仍然存在較大的擔(dān)憂。而另外一 家廠商AMD也是深受其害。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/99651.htm不過并非所有廠商的情況均是如此,比如Altera公司便表示其委托臺(tái)積電代工的40nm FPGA產(chǎn)品“良率數(shù)據(jù)良好。”
相比之下,Nvidia則對(duì)臺(tái)積電的40nm制程良率表達(dá)了較為不信任的意見,據(jù)Barclays公司的分析師 C.J. Muse透露:“在Nvidia的會(huì)議上,與會(huì)者整晚都在討論臺(tái)積電的40nm產(chǎn)能及良率問題。”
“管理層討論了臺(tái)積電的良率改進(jìn),但他們認(rèn)為改進(jìn)的程度仍顯不足。盡管良率的確有所改進(jìn),但不容忽視的是臺(tái)積電曾提到目前40nm制程制作過程中仍存在腔體匹配問題(Chamber matching:即保證各個(gè)用于對(duì)晶圓進(jìn)行離子注入的工藝腔氣體配方成分盡量一致),希望他們能盡快解決。”
此前有消息指出,造成臺(tái)積電40nm制程腔體匹配問題的罪魁禍?zhǔn)资瞧潆x子注入設(shè)備的供應(yīng)商。
“AMD與Nvidia均受到此問題的影響,而AMD搶先兩個(gè)月推出DX11顯卡產(chǎn)品的優(yōu)勢則正逐步被這個(gè)問題所抵消掉.”
評(píng)論