Cell on Peri構(gòu)造有利IDM提升3D NAND Flash競(jìng)爭(zhēng)力

　　Cell on Peripheral Circuit(以下簡(jiǎn)稱Cell on Peri)構(gòu)造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營(yíng)開發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構(gòu)造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Manufacturer;IDM)三星、東芝(Toshiba)提升其3D NAND Flash競(jìng)爭(zhēng)力。

　　然而，Cell on Peri構(gòu)造將原先在不同制程制作的3D NAND Flash與邏輯電路結(jié)合于單一制程，雖有其優(yōu)點(diǎn)，但尚存諸多課題，包括相關(guān)產(chǎn)線與設(shè)備需延伸、擴(kuò)大，將導(dǎo)致業(yè)者的資本支出增加，且3D NAND Flash經(jīng)高溫制程后，恐因高溫而破壞下方CMOS電路，將影響良率。

　　由于三星同時(shí)生產(chǎn)3D NAND Flash與邏輯電路，如Cell on Peri構(gòu)造能克服良率與成本等問(wèn)題，可望成為其爭(zhēng)取蘋果(Apple)應(yīng)用處理器(Application Processor;AP)訂單的優(yōu)勢(shì)，而東芝半導(dǎo)體事業(yè)涵蓋3D NAND Flash與系統(tǒng)LSI，美光與英特爾陣營(yíng)亦可結(jié)合雙方3D NAND Flash與CPU，運(yùn)用Cell on Peri構(gòu)造，有助其提升3D NAND Flash競(jìng)爭(zhēng)力。

　　另外，3D NAND Flash若引進(jìn)Cell on Peri構(gòu)造，由于在形成周邊區(qū)域后，需經(jīng)過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨(Chemical Mechanical Polishing;CMP)制程使之平坦化，才能于其上形成3D NAND Flash晶胞陣列，將使得CMP制程的重要性提高。

　　美光與英特爾陣營(yíng)于3D NAND Flash所開發(fā)的Cell on Peri構(gòu)造

　　資料來(lái)源：美光、英特爾、南韓NH投資證券，DIGITIMES整理，2016/6