?半導(dǎo)體文章進(jìn)入?半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

Gartner：全球半導(dǎo)體銷售額急速放慢

　　Gartner近日發(fā)布報(bào)告稱，2011年全球半導(dǎo)體銷售額已經(jīng)放慢，總營(yíng)收約為2990億美元，比2010年下降了0.1%。這項(xiàng)新的報(bào)告比Gartner今年第二季度作出的預(yù)測(cè)有所變化，此前Gartner預(yù)測(cè)全球半導(dǎo)體銷售額今年會(huì)上漲5.1%。　　
關(guān)鍵字： Gartner 半導(dǎo)體 DRAM

瑞信認(rèn)為半導(dǎo)體庫(kù)存明年Q1去化

　　晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)8月營(yíng)收受急單挹注，第三季成績(jī)可望優(yōu)于原先法說預(yù)期，不過，高盛證券、瑞信證券、巴克萊證券等外資對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第四季走勢(shì)仍不樂觀，素有外資半導(dǎo)體一哥之稱的巴克萊證券亞洲區(qū)半導(dǎo)體首席分析師陸行之更是首先發(fā)難認(rèn)為，明年半導(dǎo)體將進(jìn)入停滯性成長(zhǎng)，以新臺(tái)幣計(jì)價(jià)預(yù)估，明年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將僅有0-5%的成長(zhǎng)，瑞信證券的看法則沒有這么悲觀，認(rèn)為明年第一季庫(kù)存去化完成后，半導(dǎo)體仍將進(jìn)入強(qiáng)勁循環(huán)反彈。　
關(guān)鍵字：臺(tái)積電半導(dǎo)體晶圓

物理所合作研究基于I II V族半導(dǎo)體的新型稀磁體

　　半導(dǎo)體科學(xué)和技術(shù)構(gòu)成現(xiàn)代信息社會(huì)的基礎(chǔ)，隨著信息存儲(chǔ)密度迅猛增長(zhǎng)，為突破摩爾定律瓶頸需要發(fā)展新的信息存儲(chǔ)載體。在制作和研發(fā)工藝成熟的半導(dǎo)體中注入自旋，形成兼具電荷屬性和自旋特性的稀磁半導(dǎo)體，成為解決這個(gè)關(guān)鍵問題最可能的突破口。　　
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體薄膜材料稀磁體

2011年中國(guó)汽車電子銷售額將增長(zhǎng)近10%

　　據(jù)IHS iSuppli公司的中國(guó)研究報(bào)告，2011年中國(guó)汽車電子市場(chǎng)銷售額預(yù)計(jì)將達(dá)到192億美元，比去年的175億美元增長(zhǎng)9.7%。　　銷售額增長(zhǎng)率接近兩位數(shù)，顯示出中國(guó)汽車電子市場(chǎng)充滿活力。在中國(guó)市場(chǎng)，電子系統(tǒng)目前在普通汽車中占總體成本的40%。此外，中國(guó)有越來越多的汽車開始采用更復(fù)雜的電子系統(tǒng)。
關(guān)鍵字：汽車電子半導(dǎo)體主動(dòng)安全系統(tǒng)

新日本無線和UMCJ的半導(dǎo)體制造協(xié)同生產(chǎn)完成

新日本無線株式會(huì)社基于和UMCJ株式會(huì)社的合作協(xié)議，已經(jīng)開展進(jìn)行了半導(dǎo)體制造（前工程的晶片工藝制造）的協(xié)同生產(chǎn)，并完成了晶片工藝的開發(fā)、產(chǎn)品開發(fā)及生產(chǎn)體制的健全，現(xiàn)在樣品發(fā)貨已經(jīng)開始，特此做以下匯報(bào)。
關(guān)鍵字：新日本無線半導(dǎo)體

今年半導(dǎo)體晶片市場(chǎng)衰退抑或增長(zhǎng) 分析師各執(zhí)一詞

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)SemicoResearch日前調(diào)降了2011年晶片市場(chǎng)預(yù)測(cè)值，預(yù)測(cè)該市場(chǎng)銷售額將比2010年衰退2%。該機(jī)構(gòu)先前預(yù)測(cè)2011年晶片市場(chǎng)成長(zhǎng)率為6%，而其他市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)最近對(duì)今年晶片市場(chǎng)的成長(zhǎng)率預(yù)測(cè)也大多在6%左右或更高。　　
關(guān)鍵字： Semico 半導(dǎo)體晶片

中科院半導(dǎo)體所成功研制視覺芯片

　　在國(guó)家自然科學(xué)基金委、科技部和中科院的支持下，中科院半導(dǎo)體所吳南健研究員、張萬成和付秋喻等成功研制出新型視覺芯片。日前，該項(xiàng)研究成果發(fā)表在最新出版的《固態(tài)電路國(guó)際學(xué)術(shù)期刊》上。　　
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體視覺芯片

日韓連手合資開發(fā)手機(jī)半導(dǎo)體

　　日本NTT移動(dòng)通信網(wǎng)公司、富士通等將與韓國(guó)三星電子合作開發(fā)新世代智能型手機(jī)用的中核半導(dǎo)體，目標(biāo)在明年成立合資新公司。　　日本多家通訊大廠將與三星連手，開發(fā)目前占有美國(guó)企業(yè)高市占率的通訊用半導(dǎo)體技術(shù)。日韓希望連手確保半導(dǎo)體開發(fā)的主導(dǎo)權(quán)，以利開拓全球市場(chǎng)。　
關(guān)鍵字：三星半導(dǎo)體

2011年上半年中國(guó)集成電路運(yùn)行情況良好

　　2011年上半年，中國(guó)集成電路總產(chǎn)量達(dá)到405.6億塊，同比增長(zhǎng)25.2%。全行業(yè)實(shí)現(xiàn)銷售收入793.26億元，同比增速為19.1%。從前6個(gè)月情況看，雖然受到日本地震等因素的影響，但在內(nèi)需市場(chǎng)增長(zhǎng)迅速以及幾個(gè)大項(xiàng)目建成投產(chǎn)的帶動(dòng)下，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)仍保持了較快增長(zhǎng)的勢(shì)頭。　　
關(guān)鍵字：集成電路，半導(dǎo)體

萊迪思MachXO2 PLD系列現(xiàn)有小尺寸WLCSP封裝

2011年9月6日-萊迪思半導(dǎo)體公司（NASDAQ: LSCC）2011年9月6日宣布MachXO2 PLD系列的2.5mmx2.5mm 25球型晶圓級(jí)芯片尺寸封裝（WLCSP）的樣片現(xiàn)已發(fā)運(yùn)。目前MachXO2器件結(jié)合了超小封裝尺寸——至今在PLD市場(chǎng)還未被超越——具有行業(yè)最低功耗和最豐富功能的低密度PLD。使用低功耗65nm工藝的嵌入式閃存技術(shù)構(gòu)建，MachXO2系列增加了3倍的邏輯密度，提高了10倍的嵌入式存儲(chǔ)器，并且與前代產(chǎn)品相比減少了100倍的靜態(tài)功耗。MachXO2器件具有業(yè)界最穩(wěn)定的PLD功
關(guān)鍵字：萊迪思半導(dǎo)體 MachXO2

Semico稱今年半導(dǎo)體晶片市場(chǎng)將衰退2%

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)SemicoResearch日前調(diào)降了2011年晶片市場(chǎng)預(yù)測(cè)值，預(yù)測(cè)該市場(chǎng)銷售額將比2010年衰退2%。該機(jī)構(gòu)先前預(yù)測(cè)2011年晶片市場(chǎng)成長(zhǎng)率為6%，而其他市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)最近對(duì)今年晶片市場(chǎng)的成長(zhǎng)率預(yù)測(cè)也大多在6%左右或更高。　　Semico下修預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)的舉動(dòng)，可能是2011年晶片市場(chǎng)開始走下坡以來，最令人不安的一個(gè)征兆;有不少晶片業(yè)者與半導(dǎo)體相關(guān)廠商，最近也發(fā)出下半年景氣不佳的警訊。Semico總裁JimFeldhan接受EETimes訪問時(shí)表示，該公司是根據(jù)與客戶的會(huì)談，以及其他
關(guān)鍵字： iSuppli 半導(dǎo)體晶片

日韓企業(yè)擬于2012設(shè)立合資公司確保IC研發(fā)主導(dǎo)權(quán)

　　日經(jīng)新聞13日?qǐng)?bào)導(dǎo)，NTTDoCoMo、富士通(Fujitsu)等日本通訊相關(guān)公司計(jì)劃和南韓三星電子合作，于2012年設(shè)立一家合資公司，研發(fā)使用于智能型手機(jī)的核心半導(dǎo)體產(chǎn)品「通訊IC」。報(bào)導(dǎo)指出，在現(xiàn)行3G手機(jī)的通訊IC市場(chǎng)上，美國(guó)高通(Qualcomm)握有36.8%市占率(其次為臺(tái)灣聯(lián)發(fā)科(2454)的16.4%)，且若單就智慧手機(jī)市場(chǎng)來看，高通的市占率達(dá)8成左右，而過度依賴高通恐對(duì)「彈性的」手機(jī)產(chǎn)品研發(fā)造成影響，故日韓企業(yè)擬藉由合作來確保IC研發(fā)的主導(dǎo)權(quán)。
關(guān)鍵字：富士通 IC 半導(dǎo)體

安森美半導(dǎo)體NCP1294太陽(yáng)能充電控制器及其設(shè)計(jì)要點(diǎn)

安森美半導(dǎo)體NCP1294太陽(yáng)能充電控制器及其設(shè)計(jì)要點(diǎn)　　眾所周知，太陽(yáng)能電池板有一個(gè)IV曲線，它表示該太陽(yáng)能電池板的輸出性能，分別代表著電流電壓數(shù)值。兩條線的交叉點(diǎn)表示的電壓電流就是這塊太陽(yáng)能電池板的功率。不
關(guān)鍵字：及其設(shè)計(jì) 要點(diǎn) 控制器充電半導(dǎo)體 NCP1294 太陽(yáng)能安森美

惠瑞捷V93000 SOC測(cè)試平臺(tái)裝機(jī)數(shù)量達(dá)2,500臺(tái)

　　Advantest 集團(tuán)(東京證券交易所：6857;紐約證券交易所：ATE)旗下公司惠瑞捷 (Verigy)的 V93000 片上系統(tǒng) (SOC) 測(cè)試平臺(tái)安裝數(shù)量已達(dá) 2,500 臺(tái)，具有重大里程碑意義。此次具有里程碑意義的裝機(jī)為日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司(簡(jiǎn)稱 ASE，臺(tái)灣證券交易所：2311，紐約證券交易所：ASX)多系統(tǒng)訂單的一部分。日月光為世界最大的 IC 封裝和測(cè)試服務(wù)的獨(dú)立供應(yīng)商。　　
關(guān)鍵字：惠瑞捷 SOC 半導(dǎo)體

安森美NCP1294太陽(yáng)能充電控制器及其設(shè)計(jì)要點(diǎn)

　　眾所周知，太陽(yáng)能電池板有一個(gè)IV曲線，它表示該太陽(yáng)能電池板的輸出性能，分別代表著電流電壓數(shù)值。兩條線的交叉點(diǎn)表示的電壓電流就是這塊太陽(yáng)能電池板的功率。不利的是，IV曲線會(huì)隨輻照度、溫度和使用年限而變化。輻照度是給定表面輻射事件的密度，一般以每平方厘米或每平方米的瓦特?cái)?shù)表示。
關(guān)鍵字：安森美半導(dǎo)體 NCP1294