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?半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入?半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
臺(tái)積電張忠謀:半導(dǎo)體行業(yè)不能守成 要做世界級(jí)公司
- 【因?yàn)樵嫉亩x是18~24個(gè)月晶體管密度會(huì)倍增,但我們已經(jīng)用遠(yuǎn)快于摩爾定律的速度來(lái)發(fā)展半導(dǎo)體工藝,會(huì)以快于摩爾定律的時(shí)間來(lái)倍增晶體管密度,并維持到至少2025年以前】 摩爾定律的極限在哪里? 在臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀看來(lái),實(shí)際上摩爾定律在半導(dǎo)體行業(yè)中早已不適用了。 “因?yàn)樵嫉亩x是18~24個(gè)月晶體管密度會(huì)倍增,但我們已經(jīng)用遠(yuǎn)快于摩爾定律的速度來(lái)發(fā)展半導(dǎo)體工藝,會(huì)以快于摩爾定律的時(shí)間來(lái)倍增晶體管密度,并維持到至少2025年以前。”10月23日,在臺(tái)積電30周年
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 半導(dǎo)體
我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料制造設(shè)備取得新突破
- 近日,863計(jì)劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域“大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究”課題通過(guò)了技術(shù)驗(yàn)收。 通常,國(guó)際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料稱之為第三代半導(dǎo)體材料。其在禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和漂移速度、熱導(dǎo)率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢(shì),特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯,由于第三代半導(dǎo)體材料的制造裝備對(duì)設(shè)備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場(chǎng)分布、設(shè)備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質(zhì)量和成品率的關(guān)鍵技術(shù)有很高的
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 SiC
MEMS是什么?看完這篇就懂了
- MEMS是什么?看完這篇就懂了-MEMS全稱Micro Electromechanical System,微機(jī)電系統(tǒng)。是指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級(jí),是一個(gè)獨(dú)立的智能系統(tǒng)。
- 關(guān)鍵字: MEMS 微機(jī)電系統(tǒng) 半導(dǎo)體
?半導(dǎo)體介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條?半導(dǎo)體!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)?半導(dǎo)體的理解,并與今后在此搜索?半導(dǎo)體的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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