?氮化鎵 文章 進入?氮化鎵技術(shù)社區(qū)
氮化鎵：開啟終極半導(dǎo)體商業(yè)化革命
- 上海PCIM Asia展會現(xiàn)場，氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems)聯(lián)合創(chuàng)始人兼總裁Girvan Patterson手持一塊用于服務(wù)器電源的集成電路板展示：“由于使用氮化鎵晶體管器件，這塊電路板的尺寸縮小到了原先的1/4。更為重要的是，它在性能、能源效率、系統(tǒng)成本等方面相比當(dāng)下主流的硅基功率電子元件有了跨越式提升。” 被稱為“終極半導(dǎo)體材料”的氮化鎵研究和應(yīng)用是全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點，在光電子器件和微電子器件領(lǐng)域市場前景廣闊。“
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日本松下將量產(chǎn)新一代半導(dǎo)體：氮化鎵
- 據(jù)日經(jīng)BP報道，松下研發(fā)出用于電源和馬達(dá)控制的新一代半導(dǎo)體，將于2016年春季在日本國內(nèi)企業(yè)中率先量產(chǎn)。新一代半導(dǎo)體采用氮化鎵(GaN)，能將耗電量控制在原來一半左右。據(jù)悉，松下目前已與日本國內(nèi)外約10家企業(yè)就供貨進入最終交涉，新一代半導(dǎo)體被松下定位為重振持續(xù)虧損的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的戰(zhàn)略產(chǎn)品，松下計劃首先將向服務(wù)器電源裝置等供貨。 氮化鎵被稱為“終極半導(dǎo)體材料”，世界上僅有美國風(fēng)險企業(yè)涉足。松下將在生產(chǎn)子公司松下電器半導(dǎo)體有限公司(panasonic Semiconductor
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Qorvo：關(guān)于氮化鎵的十個重要事實
- 從下一代的國防和航天應(yīng)用，到有線電視、VSAT、點對點(PtP)、基站基礎(chǔ)設(shè)施，Qorvo的GaN(氮化鎵)產(chǎn)品和技術(shù)為您身邊的各種系統(tǒng)提供領(lǐng)先的 性能支持，讓您能夠隨時聯(lián)網(wǎng)并受到保護。這些領(lǐng)先性能包括：高功率密度、寬頻性能、高功率處理……閱讀下面的“氮化鎵的十個重要事實”，真正了解這個在我 們的工作和生活中發(fā)揮重要作用的關(guān)鍵技術(shù)。 關(guān)于氮化鎵的十個重要事實： 一、氮化鎵器件提供的功率密度比砷化鎵器件高十倍。由于氮化鎵器件的功率密度較高，
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北美稱半導(dǎo)體市場未來翻倍增長 氮化鎵需求增長
- 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是整個電子信息產(chǎn)業(yè)鏈中最關(guān)鍵的產(chǎn)業(yè)之一，它為集成芯片產(chǎn)業(yè)、LED產(chǎn)業(yè)、光伏產(chǎn)業(yè)等產(chǎn)業(yè)提供關(guān)鍵性基礎(chǔ)材料，對整個電子信息產(chǎn)業(yè)影響巨大。上世紀(jì)中葉，單晶硅和半導(dǎo)體晶體管的發(fā)明及其硅集成電路的研制成功，引發(fā)了第三次技術(shù)革命;上世紀(jì)70年代初石英光導(dǎo)纖維材料和GaAs激光器的發(fā)明，促進了光纖通信技術(shù)迅速發(fā)展并逐步形成了高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，使人類進入了信息時代。 半導(dǎo)體產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在電子工業(yè)和微電子工業(yè)中，用來制作各種晶體管、集成電路、固態(tài)激光器等各種精密原器件。 有
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安森美半導(dǎo)體與 Transphorm合作提供領(lǐng)先業(yè)界能效的基于氮化鎵(GaN)的電源系統(tǒng)方案
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)與功率轉(zhuǎn)換專家Transphorm宣布已建立了新的合作關(guān)系，共同開發(fā)及共同推廣基于氮化鎵(GaN)的產(chǎn)品和電源系統(tǒng)方案，用于工業(yè)、計算機、電信及網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的各種高壓應(yīng)用。 這策略合作充分發(fā)揮兩家公司固有的實力。Transphorm是公認(rèn)的第一家將600伏(V)GaN硅晶體管量產(chǎn)通過授證的公司，并在這先進技術(shù)有無與倫比的經(jīng)驗。安森美半導(dǎo)體是一家領(lǐng)先的高能效電源方案供應(yīng)商，在系統(tǒng)設(shè)計具備深厚的專知和技術(shù)，提供寬廣的陣容產(chǎn)品，從功率分立器件
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Veeco推出EPIK700 MOCVD系統(tǒng) 加快固態(tài)照明的普及
- 今日，Veeco公司推出了最新的的TurboDisc®EPIK700™氮化鎵(GaN)金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)系統(tǒng)，結(jié)合了該行業(yè)最高的生產(chǎn)率與最佳良率這兩大優(yōu)勢，運營成本低，從而進一步降低通用照明應(yīng)用的發(fā)光二極管(LED)的制造成本。 EPIK700 MOCVD系統(tǒng)采用了Veeco大生產(chǎn)驗證過的TurboDisc技術(shù)，具有行業(yè)內(nèi)最大的反應(yīng)腔，其產(chǎn)能相當(dāng)于目前的其它反應(yīng)腔的兩倍多。反應(yīng)腔的容量增加，再加上腔內(nèi)波長均勻性以及生產(chǎn)力的提升，與之前的反應(yīng)腔相比，其產(chǎn)量提高了
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在高頻降壓轉(zhuǎn)換器的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN FET）
- 我們會探討在高頻降壓轉(zhuǎn)換器使用最優(yōu)版圖并在1MHz頻率開關(guān)時可實現(xiàn)高于96%效率。降壓轉(zhuǎn)換器縱然具備最優(yōu)電...
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納米級壓電LED陣列推動機器人觸感皮膚技術(shù)發(fā)展
- 電子簽名、指紋掃描、以及機器人觸感皮膚之間有什么共同點？得益于一套能將氧化鋅納米線陣列轉(zhuǎn)化成微型L...
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美公司推出全球首款新型氮化鎵晶圓 可制造軍用設(shè)備
- 據(jù)中國國防科技信息網(wǎng)報道，美國射頻微系統(tǒng)公司(RFMD)日前推出世界首個用于制造射頻功率晶體管的碳化硅基氮化鎵晶圓，以滿足軍用和商用需求。該公司實現(xiàn)了從現(xiàn)有高產(chǎn)量、6寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)向6寸氮化鎵晶圓生產(chǎn)和研發(fā)的轉(zhuǎn)變，以降低成本滿足不斷增長的氮化鎵器件市場需求。 RFMD公司總裁兼首席執(zhí)行官鮑勃稱：“我們很高興在RFMD公司的現(xiàn)有高產(chǎn)量6寸砷化鎵生產(chǎn)線上推出業(yè)界首款6寸碳化硅基氮化鎵射頻技術(shù)。氮化鎵器件和砷化鎵器件在制造上的合并是我們“砷化鎵中氮化鎵代工廠”策略
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