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武漢新芯:已建成IP體系,欲以存儲器為特色

  • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導體企業(yè),2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區(qū)投資,并由東湖高新區(qū)管理的全資國有企業(yè),前幾年委托SMIC(中芯國際)經營管理,從2012年底起獨立經營。
  • 關鍵字: XMC  存儲器  NAND  

東芝推出采用19納米第二代工藝技術的新型嵌入式NAND閃存模塊

  • 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC),該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術制造的NAND芯片。同時該模塊符合最新的e·MMC?[1]標準,旨在應用于智能手機、平板電腦和數字攝像機等廣泛的數字消費品。批量生產將從11月底開始。
  • 關鍵字: 東芝  嵌入式  NAND  

基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應用

  • 摘要: NAND Flash應用的困難在于管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。本文介紹了一種利用MCU存儲器管理接口結合I/O口來實現(xiàn)NAND Flash存儲結構的搭建和管理的方法,并介紹底層的驅動程序。
  • 關鍵字: Flash  嵌入式  MCU  存儲器  NAND  寄存器  201312  

Marvell擴大固態(tài)硬盤控制器在全球領先OEM中的市場份額

  • 全球整合式芯片解決方案的領導廠商美滿電子科技(Marvell,納斯達克代碼:MRVL)日前宣布,其完備的整合式芯片與軟件定義解決方案組合將繼續(xù)加速實現(xiàn)全球消費者和企業(yè)的“美滿互聯(lián)生活(Connected Lifestyle)”。當前,Marvell擁有豐富的端到端存儲、網絡、計算、移動和聯(lián)網解決方案,在行業(yè)中占據著獨一無二的領導地位。
  • 關鍵字: Marvell  固態(tài)硬盤  NAND  

可管理NAND:適用于移動設備的嵌入式大容量存儲

  • 與多年前相比,現(xiàn)在的移動消費電子裝置結構復雜,功能豐富,能夠存儲大量音樂、照片和視頻內容。讓人欣慰的是,存儲...
  • 關鍵字: NAND    移動設備    大容量存儲  

10月快閃存儲器NAND供過于求 合約價看漲

  •   市調機構集邦科技預期,第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩,10月合約價看漲。   集邦科技表示,海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發(fā)生火災意外,不僅帶動動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)價格飆漲,同時激勵9月NANDFlash合約價上漲3%至6%。   集邦科技指出,盡管NANDFlash市場銷售并無好轉跡象,不過,海力士無錫廠復工情況依然混沌不明,NANDFlash供給將連帶受到影響,預期第4季NANDFlash市場供過于求情況可望趨緩。   集邦預期,近期1至2個月
  • 關鍵字: 快閃存儲器  NAND  

用DNW通過USB燒uboot到nand

  • 燒寫前提:已經把FS2410開發(fā)板的S3C2410_BIOS.bin通過JTAG燒到了NOR里面了,這樣我們從NOR啟動才可以使用US...
  • 關鍵字: DNW  USB  uboot  nand  

采取多元化戰(zhàn)略,加強在華合作

  • 編者按:8月初,Spansion宣布兩項重大舉措:一,完成對富士通微控制器(MCU)和模擬業(yè)務的收購;二,簽署與XMC(武漢新芯集成電路制造公司)的技術許可協(xié)議??梢?,Spansion由最大的獨立閃存公司變身為多元產品公司,并且加深與中國代工廠的合作。是什么促使Spansion做此決定?Spansion對華戰(zhàn)略如何?
  • 關鍵字: 富士通  Spansion  MCU  NAND  201309  

三星宣布量產全球首個3D垂直閃存V-NAND

  •   三星電子在存儲技術上的領先的確無可匹敵,今天又宣布已經批量投產全球第一個采用3D垂直設計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭,3D堆疊已經成了潮流,處理器、內存什么的都要堆起來。   三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB),內部采用三星獨有的垂直單元結構,通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術、垂直互連工藝技術來連接3D單元陣列。   三星稱,這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上,可靠性提升最少2倍、最多10倍,而且寫入性能也可達到1xnm N
  • 關鍵字: 三星  V-NAND  

半導體廠擴產 力成進補

  •   不讓韓國三星專美于前,日本半導體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布,將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元),于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠,導入最新16至17納米制程,使總產能提升20%,明年4月量產,為在臺后段封測廠力成(6239)營運挹注成長動能。   這是三星在上月宣布調高今年半導體資本支出后,東芝近兩年來首度做出增產決定,因為蘋果中低價手機和大陸手機的強勁需求。   研究機構統(tǒng)計,去年全球NAND Flash出貨量,三星居全球
  • 關鍵字: 半導體  NAND  

NAND閃存第一季度意外出現(xiàn)短缺

  • 據IHS公司的移動與嵌入存儲市場追蹤報告,今年第一季度中國低端智能手機的需求大增,讓內存供應商措手不及,刺激了NAND閃存市場的增長并導致其出現(xiàn)供應短缺。
  • 關鍵字: IHS  NAND  

第一季度SSD出貨勁增,尤其是在超級本與PC平板領域

  • 據IHS公司的存儲市場追蹤報告,超薄/超級本PC以及PC平板的使用大增,在第一季度極大地推動了固態(tài)硬盤(SSD)的發(fā)展。SSD在這些領域的出貨量同比激增兩倍。
  • 關鍵字: IHS  SSD  NAND  HDD  

芯片制造設備行業(yè)2014年前景看好

  •   據國外媒體報道,芯片廠商尚未打破增長-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會SemiconWest上透露出的一個關鍵信息是,盡管對芯片產業(yè)2013年增長的預期落空,但明年的前景要光明得多。   SEMI(半導體設備暨材料協(xié)會)預計,2013年芯片制造設備營收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預測,2014年芯片制造設備營收將猛增21%。   當然,SEMI以往曾對芯片制造設備營收作出過高的預期。1年前,SEMI曾預計2013年芯片制造設備營收將增長約1
  • 關鍵字: 芯片制造  NAND  

2013年:芯片制造業(yè)陷入低谷 明年會變好

  •   根據國外媒體的報道,2013年全球的芯片制造業(yè)將出現(xiàn)衰退,預計芯片制造設備的全年營收下降2%,而此前SEMI曾經預計2013年芯片制造設備營收會增長10%。   這次衰退預計同樣出自SEMI,這表明此前他們對2013年的樂觀預計已經落空。實際上從2012年下半年開始,以NAND閃存為首的芯片廠商對芯片制造設備的訂單就已經開始萎縮。目前只有Intel、三星、臺積電三家狀況比較穩(wěn)定,主要是因為消費類電子產品對芯片需求量大,三家企業(yè)處于難以撼動的統(tǒng)治地位。   不過SEMI依然對2014年的發(fā)展
  • 關鍵字: 芯片制造  NAND  

中國廠商成全球芯片行業(yè)增長新引擎

  •   導語:路透社今天撰文指出,近年來高端手機市場的需求趨于飽和,曾經推動芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋果公司的增長也開始放緩,但隨著華為、聯(lián)想等中國移動廠商的強勢崛起,以及中國移動市場的火爆,中國力量正成為全球芯片行業(yè)增長的新引擎。   以下為文章全文:   重新掌握主動   隨著中國低端智能手機和平板電腦的需求激增,以及華為等中國移動設備廠商的強勢崛起,東芝、SKHynix等亞洲存儲芯片廠商有望從這種趨勢中獲得重要回報。中國目前已取代美國,成為全球第一大智能手機市場
  • 關鍵字: DRAM  NAND  
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