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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率半導(dǎo)體

英飛凌奧地利12 吋功率半導(dǎo)體廠啟用

  • 英飛凌科技（Infineon）今日宣布，正式啟用其位于奧地利菲拉赫的 12 吋薄晶圓功率半導(dǎo)體芯片廠。這座12吋廠采用當(dāng)今最高的建筑工藝，大量的使用再生能源與節(jié)能設(shè)計(jì)，一落成就是座零碳排的現(xiàn)代化廠房，同時(shí)它也充分結(jié)合了自動(dòng)化與數(shù)字化控制的技術(shù)，并使用人工智能方案來進(jìn)行維護(hù)，以達(dá)成最高的營運(yùn)效率。 英飛凌的資深員工，將第一片出廠的晶圓遞交給執(zhí)行長為了實(shí)現(xiàn)這座高科技半導(dǎo)體廠房，英飛凌共募集了16 億歐元的投資額，是歐洲微電子領(lǐng)域中最大規(guī)模的投資項(xiàng)目之一，也是現(xiàn)代化程度最高的半導(dǎo)體組件工廠之一。英飛凌
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SiC大戰(zhàn)拉開帷幕，中國勝算幾何

  • 近些年，隨著電動(dòng)汽車以及其他系統(tǒng)的增長，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷需求的突然激增，因此也吸引了產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注。在產(chǎn)業(yè)應(yīng)用進(jìn)一步成熟的趨勢下，SiC的爭奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。碳化硅材料之殤SiC器件成本高的一大原因就是SiC襯底貴，目前，襯底成本大約是加工晶片的50%，外延片是25%，器件晶圓生產(chǎn)環(huán)節(jié)20%，封裝測試環(huán)節(jié)5%。SiC襯底不止貴，生產(chǎn)工藝還復(fù)雜，與硅相比，碳化硅很難處理、研磨和鋸切，挑戰(zhàn)非常大。所以大多數(shù)企業(yè)都是從Cree、Rohm等供應(yīng)商購買襯底。SiC器件廣泛用于光伏逆變器、工
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功率半導(dǎo)體－馬達(dá)變頻器內(nèi)的關(guān)鍵組件

  • 全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的馬達(dá)，而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預(yù)期到 2040 年將成長一倍。隨著對(duì)能源成本和資源有限的意識(shí)不斷提高，未來提升驅(qū)動(dòng)馬達(dá)用電效率的需求將會(huì)越來越顯著。
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東芝將增產(chǎn)純電動(dòng)車功率半導(dǎo)體，投資約250億日元

  • 日經(jīng)中文網(wǎng)3月10日消息，東芝將在位于日本石川縣的主力工廠引進(jìn)能大量生產(chǎn)純電動(dòng)汽車（EV）等使用的功率半導(dǎo)體的制造設(shè)備。在去碳化潮流下，純電動(dòng)車用半導(dǎo)體需求不斷擴(kuò)大。東芝將投資約250億日元，將石川工廠的產(chǎn)能提高2成。全球只有部分大型半導(dǎo)體廠商使用該設(shè)備來制造功率半導(dǎo)體。 將電力高效轉(zhuǎn)化成動(dòng)力的功率半導(dǎo)體可以降低純電動(dòng)車等的耗電量。
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功率半導(dǎo)體行業(yè)專題報(bào)告：新能源汽車重塑功率半導(dǎo)體價(jià)值

  • 汽車“四化”趨勢明確，對(duì)半導(dǎo)體需求價(jià)值量倍增汽車行業(yè)向電動(dòng)化、智能化、數(shù)字化及聯(lián)網(wǎng)化方向發(fā)展，直接帶動(dòng)汽車 含硅量提升。新能源電動(dòng)汽車的出現(xiàn)意味著傳統(tǒng)汽車的核心競爭要素將 被取代，產(chǎn)品價(jià)值鏈被重塑。新能源車中對(duì)于電力控制的需求大幅增加，功率器件中特別是 IGBT 是 工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心元器件，其通過信號(hào)指令來調(diào)節(jié)電路中的 電壓、電流等以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)控的目的，保障電子產(chǎn)品、電力設(shè)備正常運(yùn) 行，同時(shí)降低電壓損耗，使設(shè)備節(jié)能高效。汽車半導(dǎo)體作為汽車電動(dòng)化 關(guān)鍵載體之一，需求價(jià)值成倍增長，據(jù)估算純電
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總投資60億，這個(gè)半導(dǎo)體項(xiàng)目預(yù)計(jì)本月建成、年底投片生產(chǎn)

  • 據(jù)濟(jì)南日報(bào)報(bào)道，總投資60億元的富能功率半導(dǎo)體項(xiàng)目預(yù)計(jì)今年6月建成，年底實(shí)現(xiàn)投片生產(chǎn)。據(jù)濟(jì)南市人民政府辦公廳發(fā)布2020年度市級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目名單，富能功率半導(dǎo)體項(xiàng)目規(guī)劃建設(shè)月產(chǎn)10萬片的兩座8英寸廠及一座月產(chǎn)5萬片的12英寸廠，一期總投資金額約人民幣60億元，主要建設(shè)月產(chǎn)3萬片的8英寸硅基功率元件產(chǎn)能和月產(chǎn)1000片的6英寸碳化硅（SiC）功率元件產(chǎn)能，應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)、工業(yè)、電網(wǎng)以及新能源車等。項(xiàng)目投產(chǎn)后預(yù)計(jì)年產(chǎn)量48萬片，年產(chǎn)值可達(dá)36億元。據(jù)此前公開消息，該項(xiàng)目計(jì)劃2020年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，2022年滿產(chǎn)。
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Littelfuse新的功率半導(dǎo)體裝配工廠破土動(dòng)工

  • 中國，北京，2019年7月16日訊 --全球領(lǐng)先的電路保護(hù)、電源控制和傳感技術(shù)制造商Littelfuse，Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：LFUS）今日宣布它最近在菲律賓利帕市的一家新的功率半導(dǎo)體組裝工廠破土動(dòng)工。 這將是該公司在菲律賓的第三家制造工廠，它將致力于功率半導(dǎo)體模塊的裝配和測試操作。“基于收購IXYS和加入到我們產(chǎn)品組合的高性能功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，對(duì)菲律賓這家最先進(jìn)的新工廠的投資將進(jìn)一步擴(kuò)展我們的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的能力，這是Littelfuse增長戰(zhàn)略的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！盠ittelfuse半導(dǎo)體
  • 關(guān)鍵字： Littelfuse  功率半導(dǎo)體  裝配工廠  

功率半導(dǎo)體市場分析匯總，這一篇就夠了

  • 從長遠(yuǎn)來看，由于決定核心競爭力的前段制造能力和關(guān)乎企業(yè)發(fā)展 速度的設(shè)計(jì)能力對(duì)于一家功率半導(dǎo)體企業(yè)而言缺一不可，再加上掌握封測環(huán) 節(jié)一方面可以占據(jù)更廣闊的利潤空間，另一方面可以增強(qiáng)對(duì)產(chǎn)品性能的把控、與設(shè)計(jì)制造環(huán)節(jié)形成協(xié)同效應(yīng)，因此我們判斷從長遠(yuǎn)來看IDM是功率半導(dǎo)體 廠商的必然選擇。
  • 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體  晶圓  

2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾人民幣2,900億元

  • TrendForce在最新《中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》指出，受益新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià)，帶動(dòng)2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣，其中離散式元件市場規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣，較2017年增長8%。
  • 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體  IGBT  

瞄準(zhǔn)市場 錯(cuò)位發(fā)展——中國需要提升模擬和功率半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)能

  • 　　近幾年，國內(nèi)各地陸續(xù)上馬的重大半導(dǎo)體代工項(xiàng)目大多在瞄著數(shù)字工藝。不僅僅臺(tái)積電和中芯國際等業(yè)內(nèi)傳統(tǒng)企業(yè)，甚至傳說中的“武漢弘芯”，以及某個(gè)在山東簽約的12吋項(xiàng)目，動(dòng)輒12吋，起步14nm——似乎數(shù)字工藝更“高大上”，更是中國需要。但，對(duì)國內(nèi)項(xiàng)目深入調(diào)研和思考后，芯謀研究認(rèn)為，相比“市長”需要先進(jìn)數(shù)字工藝，“市場”更需要模擬和功率的技術(shù)與產(chǎn)能?！　∫?、模擬晶圓生產(chǎn)線產(chǎn)能需求旺盛，國內(nèi)現(xiàn)有產(chǎn)能嚴(yán)重不足　　首先，中國的模擬芯片市場規(guī)模占全球40%以上，晶圓代工需求巨大?！　「鶕?jù)WSTS(全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織
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功率半導(dǎo)體氧化鎵到底是什么

  • 　　目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應(yīng)用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實(shí)現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會(huì)有非常廣闊的發(fā)展前景?！　∪欢?，SiC和GaN并不是終點(diǎn)，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨(dú)特優(yōu)勢。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來。　　實(shí)際上，氧化鎵并不是很新的技術(shù)，多年前就
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功率半導(dǎo)體的市場應(yīng)用及發(fā)展趨勢預(yù)測

  • 　　近日，國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商的好消息不斷，先是由佛山合芯半導(dǎo)體有限公司投資的合芯高端功率半導(dǎo)體項(xiàng)目全面投產(chǎn)，主要研究三極管、MOSFET封裝測試、可控硅、三端穩(wěn)壓管、高反壓開關(guān)三極管、信號(hào)放大三極管、集成電路等;然后是重慶萬國半導(dǎo)體科技有限公司的12英寸功率半導(dǎo)體晶元測試片已順利產(chǎn)出，預(yù)計(jì)年底正式量產(chǎn)，據(jù)悉，這是亞洲首款12寸半導(dǎo)體芯片?！　」β拾雽?dǎo)體器件也叫電力電子器件，它的作用是進(jìn)行功率處理的，是處理高電壓、大電流的。IGBT和功率MOSFET器件是目前應(yīng)用最廣泛的電力電子器件，作為新型功率半導(dǎo)體器件
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大國器重 功率半導(dǎo)體小行業(yè)大機(jī)會(huì)

  • 在傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體分立器件引領(lǐng)工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉(zhuǎn)變，實(shí)現(xiàn)家電工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。而隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，新興領(lǐng)域成為支撐功率半導(dǎo)體分立器件保持較好發(fā)展勢頭的重要市場。
  • 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體  MOSFET  

英飛凌著眼長期增長，在奧投資16億歐元新建300毫米芯片工廠

  • 　　英飛凌科技股份公司準(zhǔn)備新建一座功率半導(dǎo)體工廠。作為功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌將通過此項(xiàng)投資，為其長期盈利性增長奠定基礎(chǔ)。英飛凌將在奧地利菲拉赫現(xiàn)有生產(chǎn)基地附近，新建一座全自動(dòng)化芯片工廠，用于制造300毫米薄晶圓。奧地利總理Sebastian Kurz、英飛凌首席執(zhí)行官Reinhard Ploss博士和英飛凌奧地利首席執(zhí)行官Sabine Herlitschka博士在維也納共同為該項(xiàng)目進(jìn)行了推介。英飛凌計(jì)劃在未來6年內(nèi)為此項(xiàng)目投入約16億歐元。這座新建的高效率工廠將創(chuàng)造約400個(gè)就業(yè)崗位，尤其將吸引一
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  功率半導(dǎo)體  

工業(yè)及汽車功率模塊的市場技術(shù)方案需求

  • 功率半導(dǎo)體/電源管理方案的市場趨勢與各政府政策/各種能源法規(guī)/新應(yīng)用市場規(guī)模的增長等密切相關(guān)。近年來，中國是這趨勢變化最大的國家，因?yàn)樗鼣U(kuò)展工業(yè)/工廠自動(dòng)化和電動(dòng)汽車應(yīng)用，而由于空氣污染問題，中國政府將煤轉(zhuǎn)電政策推向全國。
  • 關(guān)鍵字： 安森美，功率半導(dǎo)體，電源管理  
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功率半導(dǎo)體介紹

　　《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細(xì) ]

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