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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率半導(dǎo)體

全球十大功率半導(dǎo)體廠商排名，英飛凌超德儀

  • 　　IHS報告指出，受到整體經(jīng)濟環(huán)境不佳影響，2015年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為340.11億美元，比2014年小幅衰退2.6%。在大環(huán)境不佳的情況下，個別廠商的經(jīng)營策略對其營運表現(xiàn)好壞，影響更為關(guān)鍵。英飛凌(Infineon)藉由購并國際整流器(International Rectifier, IR)及LS Power Semitech，在市占率方面以些微差距險勝長年盤據(jù)功率半導(dǎo)體市場龍頭寶座的德州儀器(TI)。但德儀的表現(xiàn)亦相當(dāng)不錯，在整體市場衰退的情況下，營收仍成長了0.7%。 　　就個別產(chǎn)品細項
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美國西北大學(xué)侯振宇團隊開發(fā)新型高功率半導(dǎo)體放大器

  • 　　半導(dǎo)體光放大器(Semiconductor Optical Amplifier)是光放大器的一種。光放大器是在光通信或者其他光學(xué)應(yīng)用中對光信號進行放大的一種子系統(tǒng)產(chǎn)品。光放大器的原理基本上是基于激光的受激輻射，通過將泵浦源的能量轉(zhuǎn)變?yōu)樾盘柟獾哪芰繌亩鴮崿F(xiàn)放大作用。泵浦的類別主要有光泵浦和電泵浦。目前研究比較廣泛的光放大器是光纖放大器。它使用的泵浦是光泵浦。光纖放大器自從1990年代商業(yè)化以來，已經(jīng)極大的改變了光纖通信工業(yè)，是直接導(dǎo)致20世紀(jì)末互聯(lián)網(wǎng)爆炸(通常所說的”dot com&rdqu
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SiC功率半導(dǎo)體市場將開始高速發(fā)展

  • 　　SiC功率半導(dǎo)體正進入多個應(yīng)用領(lǐng)域 　　當(dāng)首款碳化硅(SiC)二極管于2001年推出時，整個產(chǎn)業(yè)都對SiC功率半導(dǎo)體的未來發(fā)展存在疑慮，它會有市場嗎?它能夠真正實現(xiàn)商業(yè)化嗎?然而15年之后的今天，人們不再會有這樣的疑慮。SiC功率半導(dǎo)體市場是真實存在的，而且具有廣闊的發(fā)展前景。2015年，SiC功率半導(dǎo)體市場(包括二極管和晶體管)規(guī)模約為2億美元，到2021年，其市場規(guī)模預(yù)計將超過5.5億美元，這期間的復(fù)合年均增長率預(yù)計將達19%。毫無懸念，消耗大量二極管的功率因素校正(powerfactorcor
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中國大陸功率半導(dǎo)體專利大飛躍，日企如何競爭？

  • 功率半導(dǎo)體器件是日本的優(yōu)勢領(lǐng)域，如今在這個領(lǐng)域，中國的實力正在快速壯大。日本要想在這個領(lǐng)域繼續(xù)保持強大的競爭力，重要的是大力研發(fā)SiC、GaN、組裝等關(guān)鍵技術(shù)，以確保日本的優(yōu)勢地位，并且向開發(fā)高端IGBT產(chǎn)品轉(zhuǎn)型，以避開MOSFET領(lǐng)域的價格競爭。
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功率半導(dǎo)體的新機遇在哪里？

  • 　　隨著功率半導(dǎo)體器件在移動通訊、消費電子、新能源交通、發(fā)電與配電領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用，“中國智造”時代的來臨給功率半導(dǎo)體行業(yè)帶來新的發(fā)展機遇和增長動力。氮化鎵、碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、IGBT、射頻通訊等最新技術(shù)都將推動應(yīng)用市場的快速發(fā)展。 　　蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司總裁張乃千在“用于4G基站GaN功率放大器”的演講中表示，未來移動通信對于基站而言，需要的頻率更高，更寬的帶寬，更高效率的功率放大器。由于出色的物理特性，氮化鉀射頻設(shè)備在功率
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重慶萬國打造國家重要集成電路產(chǎn)業(yè)基地

  • 　　美國萬國半導(dǎo)體(簡稱“AOS公司”)成立于2000年，總部位于美國硅谷，是一家集半導(dǎo)體設(shè)計、晶圓制造、封裝測試為一體的企業(yè)，主要從事功率半導(dǎo)體器件(含功率MOSFET、IGBT和功率集成電路產(chǎn)品)的產(chǎn)品設(shè)計和生產(chǎn)制造。目前AOS公司在美國俄勒岡有一座8英寸晶圓廠、在上海松江有二座封裝工廠，在美國硅谷、臺灣、上海均設(shè)有研發(fā)中心。產(chǎn)品市場涉及筆記本電腦、液晶電視、手機、家電、通訊設(shè)備、工業(yè)控制、照明應(yīng)用、汽車電子等領(lǐng)域。 　　重慶項目概況 　　重慶萬國半導(dǎo)體12英寸功率半導(dǎo)體芯
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SiC功率半導(dǎo)體接合部的自我修復(fù)現(xiàn)象，有望改善產(chǎn)品壽命

  • 　　大阪大學(xué)和電裝2016年3月28日宣布，在日本新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)(NEDO)的項目下，發(fā)現(xiàn)了有望提高碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體長期可靠性的接合材料自我修復(fù)現(xiàn)象。研究人員發(fā)現(xiàn)，在高溫的設(shè)備工作環(huán)境下，用作接合材料的銀燒結(jié)材料自行修復(fù)了龜裂，這大大提高了SiC半導(dǎo)體在汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用可能性。 　　此次的SiC接合使用銀膏燒結(jié)粘接法，該方法使用微米級和亞微米級的混合銀顆粒膏，以250℃低溫在空氣環(huán)境實施30分鐘接合工藝，獲得了裸片粘接構(gòu)造。與常見的使用納米顆粒施加高壓的接合方法相比有很多優(yōu)點，包
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功率半導(dǎo)體市場蓬勃 并木精密攻研鉆石單晶襯底

  • 　　并木精密寶石株式會社(Namiki) 多年來為全球前5大藍寶石晶體生長及襯底加工廠， 此次于慕尼黑上海電子展暨國際電子電路展(SEMICON China展會)上并木精密寶石株式會社原田裕幸部長接受了媒體采訪，透露了并木精密寶石在2016年至2020年的發(fā)展策略。 　　   　　雖然目前藍寶石市場混亂且未來應(yīng)用規(guī)模尚不明朗，并木精密寶石因在技術(shù)及成本上具優(yōu)勢，2016年仍會維持產(chǎn)能規(guī)模，并持續(xù)加速改善熱場及工藝，使得單臺長晶爐產(chǎn)能再提高25%;同時面向市場上藍寶石手機屏幕片應(yīng)用的殷切
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新一代功率半導(dǎo)體氧化鎵，開始提供外延晶圓

  • 　　日本風(fēng)險企業(yè)Novel Crystal Technology公司(總部：埼玉縣狹山市)將于2015年10月開始銷售新一代功率半導(dǎo)體材料之一——氧化鎵的外延晶圓(β型Ga2O3)。這款晶圓是日本信息通信研究機構(gòu)(NICT)、日本東京農(nóng)工大學(xué)和田村制作所等共同研究的成果。Novel Crystal Technology公司是從田村制作所分離出來的風(fēng)險企業(yè)，定位于“NICT技術(shù)轉(zhuǎn)移企業(yè)”。該公司的目標(biāo)是2016年度實現(xiàn)銷售額6000萬日元，2020年
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英飛凌連續(xù)12年蟬聯(lián)全球功率半導(dǎo)體市場第一

  • 　　英飛凌科技股份公司連續(xù)十二次蟬聯(lián)全球功率半導(dǎo)體市場領(lǐng)袖。今年年初收購美國國際整流器公司之后，現(xiàn)在英飛凌以高達19.2%的市場份額，成為當(dāng)之無愧的市場領(lǐng)袖。而據(jù)美國市場調(diào)查機構(gòu)IHS公司2014年的調(diào)查結(jié)果，兩家公司2013年的市場份額總和約為17.5%。英飛凌最接近的競爭對手被遠遠拋開7個百分點。節(jié)能型功率半導(dǎo)體應(yīng)用廣泛，從微波爐，一直到大型風(fēng)電機組，各式各樣的設(shè)備中都能見到它們的身影。它們有助于高效地發(fā)電、輸電和轉(zhuǎn)換電力。IHS數(shù)據(jù)表明，2014年，全球功率半導(dǎo)體市場增長了6.3%，達到162億美元
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矢野經(jīng)濟研究所：SiC功率半導(dǎo)體將在2016年形成市場

  • 　　矢野經(jīng)濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導(dǎo)體市場的調(diào)查結(jié)果。 　　 ? 　　全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模的推移變化和預(yù)測(出處：矢野經(jīng)濟研究所) (點擊放大) 　　2013年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長，但2013年中國市場的需求恢復(fù)、汽車領(lǐng)域的穩(wěn)步增長以及新能源領(lǐng)域設(shè)備投資的擴大等起到了推動作用。 　　預(yù)計2014年仍將繼續(xù)增長，2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的需求有望擴大。矢野經(jīng)濟研究
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IC Insights：2015年功率半導(dǎo)體營收將創(chuàng)新高

  • 　　功率半導(dǎo)體(Power Transistor)市場將在今年開出紅盤。由于節(jié)能概念風(fēng)行，并快速滲透至汽車、工業(yè)和無線通訊等領(lǐng)域，因而刺激大量功率半導(dǎo)體需求。IC Insights最新報告指出，功率半導(dǎo)體在過去6年因總體經(jīng)濟動蕩、系統(tǒng)廠庫存調(diào)整幅度較大等因素，銷售額劇烈變化，但今年受惠于嵌入式設(shè)計需求大爆發(fā)，將開始恢復(fù)穩(wěn)定成長，并將以6%的年成長率，創(chuàng)下140億美元年營收新紀(jì)錄。 　　
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茲發(fā)現(xiàn)Power Integrations再次侵權(quán)Fairchild專利

  • 　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild 今天宣布 Power Integrations, Inc 因繼續(xù)營銷并銷售其LinkSwitch II產(chǎn)品系列而侵犯了Fairchild的美國 7,259,972 號專利，盡管在2012年陪審團已經(jīng)裁定與這些產(chǎn)品電源轉(zhuǎn)換芯片違反了此專利。 　　美國特拉華州的地區(qū)法院陪審團在周五裁定，Power Integrations導(dǎo)致消費者侵犯了Fairchild的專利權(quán)，并判決給付Fairchild 240萬美元的損失賠償。這一賠償數(shù)額約按進口到美國
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工業(yè)、汽車應(yīng)用推動功率半導(dǎo)體市場成長7%

  • 市場好轉(zhuǎn)，功率半導(dǎo)體廠商未來之間競爭日益激烈，本土功率器件廠商應(yīng)趁機崛起。
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華人科學(xué)家首獲國際功率半導(dǎo)體先驅(qū)獎

  • 　　在第27屆國際功率半導(dǎo)體器件與集成電路年會上，電子科技大學(xué)教授、中國科學(xué)院院士陳星弼因在高壓功率MOSFET理論與設(shè)計的卓越貢獻，獲“國際功率半導(dǎo)體先驅(qū)獎”，成為首位獲得該獎項的華人科學(xué)家。 　　國際功率半導(dǎo)體器件與集成電路年會是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域頂級學(xué)術(shù)年會，自1992年開始舉辦，每年一屆。至今僅有IGBT器件發(fā)明人C. Frank Wheatley和Resurf理論發(fā)明人Harry Vaes獲得該獎項。
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功率半導(dǎo)體介紹

　　《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細 ]

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