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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率半導(dǎo)體

IC Insights：2015年功率半導(dǎo)體營收將創(chuàng)新高

  • 　　功率半導(dǎo)體(Power Transistor)市場將在今年開出紅盤。由于節(jié)能概念風(fēng)行，并快速滲透至汽車、工業(yè)和無線通訊等領(lǐng)域，因而刺激大量功率半導(dǎo)體需求。IC Insights最新報(bào)告指出，功率半導(dǎo)體在過去6年因總體經(jīng)濟(jì)動(dòng)蕩、系統(tǒng)廠庫存調(diào)整幅度較大等因素，銷售額劇烈變化，但今年受惠于嵌入式設(shè)計(jì)需求大爆發(fā)，將開始恢復(fù)穩(wěn)定成長，并將以6%的年成長率，創(chuàng)下140億美元年?duì)I收新紀(jì)錄。 　　
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茲發(fā)現(xiàn)Power Integrations再次侵權(quán)Fairchild專利

  • 　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild 今天宣布 Power Integrations, Inc 因繼續(xù)營銷并銷售其LinkSwitch II產(chǎn)品系列而侵犯了Fairchild的美國 7,259,972 號專利，盡管在2012年陪審團(tuán)已經(jīng)裁定與這些產(chǎn)品電源轉(zhuǎn)換芯片違反了此專利。 　　美國特拉華州的地區(qū)法院陪審團(tuán)在周五裁定，Power Integrations導(dǎo)致消費(fèi)者侵犯了Fairchild的專利權(quán)，并判決給付Fairchild 240萬美元的損失賠償。這一賠償數(shù)額約按進(jìn)口到美國
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工業(yè)、汽車應(yīng)用推動(dòng)功率半導(dǎo)體市場成長7%

  • 市場好轉(zhuǎn)，功率半導(dǎo)體廠商未來之間競爭日益激烈，本土功率器件廠商應(yīng)趁機(jī)崛起。
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華人科學(xué)家首獲國際功率半導(dǎo)體先驅(qū)獎(jiǎng)

  • 　　在第27屆國際功率半導(dǎo)體器件與集成電路年會(huì)上，電子科技大學(xué)教授、中國科學(xué)院院士陳星弼因在高壓功率MOSFET理論與設(shè)計(jì)的卓越貢獻(xiàn)，獲“國際功率半導(dǎo)體先驅(qū)獎(jiǎng)”，成為首位獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)的華人科學(xué)家。 　　國際功率半導(dǎo)體器件與集成電路年會(huì)是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域頂級學(xué)術(shù)年會(huì)，自1992年開始舉辦，每年一屆。至今僅有IGBT器件發(fā)明人C. Frank Wheatley和Resurf理論發(fā)明人Harry Vaes獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)。
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2020年新一代功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將擴(kuò)大至13倍

  • 　　日本富士經(jīng)濟(jì)的一份調(diào)查報(bào)告稱，按銷售金額計(jì)算，功率半導(dǎo)體的全球市場規(guī)模到2020年將達(dá)到33009億日元。與2014年的24092億日元相比，將增長約37%。 　　其中，增長率較高的是SiC、GaN、氧化鎵等新一代功率半導(dǎo)體。預(yù)計(jì)到2020年，新一代功率半導(dǎo)體的銷售額將達(dá)到1665億日元，約為2014年(129億日元)的約13倍。富士經(jīng)濟(jì)認(rèn)為，SiC功率元件市場將在2016年正式形成。 　　此外，富士經(jīng)濟(jì)還公布了功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的全球市場規(guī)模。2014年這一市場的銷售額為1462億日元，預(yù)測20
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晶電發(fā)表新技術(shù) 插旗功率半導(dǎo)體市場

  • 　　LED磊晶大廠晶電(2448)發(fā)表最新技術(shù)，概念燈泡的電源模組采用矽基氮化鎵(GaN-on-Si)功率半導(dǎo)體，可將電源模組體積大幅縮小75%。如果量產(chǎn)成功，晶電將從LED領(lǐng)域跨足功率半導(dǎo)體，拉出市場新戰(zhàn)線。初期這項(xiàng)技術(shù)用于晶電自家LED燈泡，未來可望延伸至手機(jī)、筆電、甚至冰箱、洗衣機(jī)等的電源。 　　全球都在開發(fā)功率半導(dǎo)體的新材料，近年較熱門的是矽基氮化鎵(GaN-on-Si，在矽基板上生長氮化鎵)，包括美國麻省理工學(xué)院、韓國三星、日本東芝都在積極研發(fā)。晶電是全球LED磊晶龍頭，原本就擅長在藍(lán)寶石基板
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用于電動(dòng)汽車的功率半導(dǎo)體模塊設(shè)計(jì)

  • 　　汽車行業(yè)目前正在經(jīng)歷一個(gè)重大的技術(shù)變革時(shí)期，這已經(jīng)是個(gè)不爭的事實(shí)。過去100多年里，內(nèi)燃機(jī)引擎中都在使用燃油泵和活塞，而現(xiàn)在正在被鋰離子電池、逆變器和IGBT所取代。簡言之，汽車正在變得更加電子化。汽車的第一次電子化可能僅僅被看作是增加其電子含量的演練，或在適應(yīng)現(xiàn)有的非汽車系統(tǒng)(如高壓工業(yè)驅(qū)動(dòng)器)，最終適應(yīng)汽車中的應(yīng)用。然后，采用這種方法將會(huì)大大低估可能面臨的挑戰(zhàn)。在功率和電壓等級方面，就目前的相似度而言，它們都與相關(guān)的工業(yè)離線應(yīng)用類似。在汽車世界里，空間和重量都受到限制，而且環(huán)境也很惡劣，0ppm(
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功率半導(dǎo)體用創(chuàng)新技術(shù)發(fā)展踐行綠色環(huán)保理念

  • 　　在諸多科幻作品當(dāng)中，最多的描述，都來自于對未來世界的憧憬，人們使用各種方便清潔的能源，利用率高，清潔高效，甚至有可能是完全免費(fèi)的能源。但是在我們可以預(yù)見的未來里，我們還將依賴目前使用最廣，能量轉(zhuǎn)換最為方便的—電能。雖然目前的電子設(shè)備正在朝著綠色和低能耗的方向發(fā)展，但在石化能源變?yōu)殡娏Φ耐瑫r(shí)，產(chǎn)生的污染也越來越受到重視。在這樣的趨勢下，能夠在電子設(shè)備里降低電路損耗，提高電能使用率方面發(fā)揮自己的作用。 　　   　　功率半導(dǎo)體的運(yùn)作介于弱電控制與強(qiáng)電之間，是僅次于大規(guī)模集成
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散熱表現(xiàn)將成功率半導(dǎo)體業(yè)者決勝關(guān)鍵

  • 　　隨著英飛凌宣布并購IR之后，使得全球功率半導(dǎo)體市場的氛圍更顯緊張，但盡管如此，既有的高功率應(yīng)用仍然有著相當(dāng)高度的進(jìn)入門檻，相關(guān)的功率半導(dǎo)體業(yè)者仍然持續(xù)推動(dòng)新技術(shù)到市場上，快捷半導(dǎo)體(Fairchild)即是一例。 　　 ? 　　快捷半導(dǎo)體臺(tái)灣區(qū)總經(jīng)理暨業(yè)務(wù)應(yīng)用工程資深總監(jiān)李偉指出，功率半導(dǎo)體方案的發(fā)展方向并不是提升轉(zhuǎn)換效率而已，散熱表現(xiàn)也是功率半導(dǎo)體相當(dāng)重要的因素。所以不管是在新一代的功率模組或是高壓切換元件，都將提升散熱的表現(xiàn)的設(shè)計(jì)加以導(dǎo)入。 　　首先是智慧功率模組，該款產(chǎn)品的
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Fairchild全新1200V智能功率模塊在工業(yè)電機(jī)控制中所展現(xiàn)的熱性能令人贊嘆

  • 　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild今日發(fā)布1200V Motion SPM? 2模塊，該產(chǎn)品適用于開發(fā)高電壓工業(yè)應(yīng)用的客戶。電機(jī)耗能占全球能源總耗的40%以上，面對這一局勢，此款新型智能功率模塊產(chǎn)品設(shè)計(jì)簡單可靠、熱性能表現(xiàn)卓越，可為使用大型三相變頻電機(jī)的系統(tǒng)提供全面保護(hù)，實(shí)現(xiàn)超高能效，為創(chuàng)造更潔凈、更智能世界這一目標(biāo)而不斷努力。 　　Fairchild最新的智能功率模塊 (SPM) 集成了重要的電源管理硅元件，以此節(jié)省電路板空間和散熱片尺寸，打造出緊湊的一體化解決方案
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英飛凌收購PCB制造商Schweizer Electronic 9.4%的股份

  • 　　半導(dǎo)體廠商英飛凌科技股份公司和印刷電路板(PCB)廠商Schweizer Electronic(FSE： SCE)宣布，英飛凌將收購Schweizer9.4%的股份。相關(guān)協(xié)議已簽訂。兩家公司同意嚴(yán)格保密合同條款。 　　此次注資Schweizer，英飛凌凸顯了其與合作伙伴攜手開發(fā)將功率半導(dǎo)體與PCB集成的技術(shù)以及挖掘高功率汽車和工業(yè)應(yīng)用芯片嵌入市場的決心。Schweizer的芯片嵌入技術(shù)可與英飛凌專有的芯片嵌入封裝技術(shù)BLADE™結(jié)合使用，用于計(jì)算機(jī)和電信系統(tǒng)處理器所需的直流供電(DC/D
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中國首批自主研發(fā)8英寸IGBT芯片裝車成功試運(yùn)行

  • 　　中國南車株洲所25日對外公布，裝有中國首批自主研發(fā)8英寸IGBT芯片的模塊在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試，并穩(wěn)定運(yùn)行一萬公里，各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)均達(dá)國際先進(jìn)水平。 　　這意味著，由中國南車株洲所下屬公司南車時(shí)代電氣自主研制生產(chǎn)的8英寸IGBT芯片已徹底打破國外高端IGBT技術(shù)壟斷，實(shí)現(xiàn)從研發(fā)、制造到應(yīng)用的完全國產(chǎn)化。 　　IGBT是一種新型功率半導(dǎo)體器件，中文全名“絕緣柵雙極型晶體管”。作為電力電子裝置的“心臟”，IGBT在國家戰(zhàn)略領(lǐng)域中不可或缺。 　　由
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英飛凌躍居2013年全球功率半導(dǎo)體龍頭

  • 　　英飛凌(Infineon)于2013年的全球功率半導(dǎo)體市場持續(xù)取得領(lǐng)先，蟬聯(lián)龍頭地位，同時(shí)在金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)功率電晶體市場首次取得領(lǐng)先。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS的研究報(bào)告指出，英飛凌以12.3%的市占率連續(xù)11年奪得第一。 　　英飛凌執(zhí)行長Dr. Reinhard Ploss表示，事實(shí)證明英飛凌的策略正確，從產(chǎn)品導(dǎo)向的思維模式邁向系統(tǒng)級別的觀點(diǎn)，并提供最適合客戶的產(chǎn)品，幫助他們獲得成功。這點(diǎn)由英飛凌在MOSFET功率電晶體領(lǐng)域的持續(xù)成長便可看出。 　　2013年全球功率
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英飛凌躍居2013年全球功率半導(dǎo)體龍頭

  • 　　英飛凌(Infineon)于2013年的全球功率半導(dǎo)體市場持續(xù)取得領(lǐng)先，蟬聯(lián)龍頭地位，同時(shí)在金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)功率電晶體市場首次取得領(lǐng)先。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS的研究報(bào)告指出，英飛凌以12.3%的市占率連續(xù)11年奪得第一。 　　英飛凌執(zhí)行長Dr.ReinhardPloss表示，事實(shí)證明英飛凌的策略正確，從產(chǎn)品導(dǎo)向的思維模式邁向系統(tǒng)級別的觀點(diǎn)，并提供最適合客戶的產(chǎn)品，幫助他們獲得成功。這點(diǎn)由英飛凌在MOSFET功率電晶體領(lǐng)域的持續(xù)成長便可看出。 　　2013年全球功率半導(dǎo)
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英飛凌收購IR、功率半導(dǎo)體市場獨(dú)大

  • 　　德國英飛凌科技開始著手?jǐn)U大功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。該公司以大約30億美元收購從事功率半導(dǎo)體元件及功率管理IC的美國國際整流器(IR)公司。對英飛凌來說，“這是公司史上最大規(guī)模的收購案”注1)。 　　注1)收購價(jià)格為每股40美元，與過去3個(gè)月的平均股價(jià)相比，溢價(jià)47.7%，與2014年8月19日的收盤價(jià)相比，溢價(jià)50.6%。各項(xiàng)收購手續(xù)將于2014年底至2015年初完成。 　　英飛凌雖是功率半導(dǎo)體行業(yè)最大規(guī)模的企業(yè)，但其市場份額在2012年不過11.8%(表1)。第二名以后的
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功率半導(dǎo)體介紹

　　《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細(xì) ]

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