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中國(guó)大陸功率半導(dǎo)體專利大飛躍,日企如何競(jìng)爭(zhēng)?

作者: 時(shí)間:2016-05-12 來(lái)源:技術(shù)在線 收藏
編者按:功率半導(dǎo)體器件是日本的優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域,如今在這個(gè)領(lǐng)域,中國(guó)的實(shí)力正在快速壯大。日本要想在這個(gè)領(lǐng)域繼續(xù)保持強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力,重要的是大力研發(fā)SiC、GaN、組裝等關(guān)鍵技術(shù),以確保日本的優(yōu)勢(shì)地位,并且向開發(fā)高端IGBT產(chǎn)品轉(zhuǎn)型,以避開MOSFET領(lǐng)域的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)。

  器件是用來(lái)進(jìn)行電力轉(zhuǎn)換和供應(yīng)的半導(dǎo)體元件,從汽車、鐵路等工業(yè)設(shè)備到空調(diào)、冰箱等消費(fèi)類產(chǎn)品,用途十分廣泛。中國(guó)的經(jīng)濟(jì)發(fā)展日新月異,應(yīng)對(duì)能源 需求的擴(kuò)大是當(dāng)務(wù)之急,已經(jīng)成為了器件的消費(fèi)大國(guó)。因此,在日本、美國(guó)、歐洲的器件廠商進(jìn)駐中國(guó)的同時(shí),中國(guó)廠商也實(shí)現(xiàn)快速發(fā)展,各 國(guó)廠商展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。這使得在中國(guó)申請(qǐng)的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)專利也出現(xiàn)了激增。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201605/291022.htm

  在此背景下,日本專利廳通過(guò)“2014年專利申請(qǐng)技術(shù)動(dòng)向調(diào)查”,對(duì)中國(guó)功率半導(dǎo)體器件專利的申請(qǐng)動(dòng)向進(jìn)行調(diào)查和分析,搞清了在中國(guó)開展業(yè)務(wù)的世界各國(guó)半導(dǎo)體廠商的實(shí)際情況(PDF格式的調(diào)查報(bào)告概要)。本文將介紹本次調(diào)查的主要內(nèi)容。

  圖1為本次調(diào)查的技術(shù)總覽圖。本次調(diào)查首先按照(1)基板材料、(2)元件種類、(3)制造流程,將功率半導(dǎo)體器件技術(shù)大致分類,然后對(duì)每個(gè)項(xiàng)目又進(jìn)行了細(xì)分。



  圖1:技術(shù)總覽

  按申請(qǐng)人國(guó)籍統(tǒng)計(jì)的專利申請(qǐng)數(shù)量的變化:中國(guó)廠商申請(qǐng)數(shù)量激增

  2008年之前,在中國(guó)申請(qǐng)的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)專利一直維持在每年300~400件左右,從2009年起,申請(qǐng)數(shù)量開始激增,2011年為900件,2012年超過(guò)850件。其中,日本、中國(guó)、歐洲籍的申請(qǐng)數(shù)量增長(zhǎng)最快,中國(guó)籍的增長(zhǎng)尤為顯著(圖2)。



  圖2:按申請(qǐng)人國(guó)籍統(tǒng)計(jì)的申請(qǐng)數(shù)量推移及比例(在中國(guó)大陸申請(qǐng)的專利,申請(qǐng)年(優(yōu)先權(quán)主張年):2003~2012年)

  注:2011年以后因?yàn)閿?shù)據(jù)庫(kù)錄入延遲,PCT申請(qǐng)向各國(guó)轉(zhuǎn)移的時(shí)間差等原因,可能未涵蓋所有數(shù)據(jù)。 (點(diǎn)擊放大)

  中國(guó)以Si基板的技術(shù)開發(fā)為中心

  按照基板材料統(tǒng)計(jì)專利申請(qǐng)數(shù)量(參照?qǐng)D1的(1)),在2003~2012年期間,日本籍申請(qǐng)人申請(qǐng)的使用Si(硅)作為基板材料的技術(shù)專利合計(jì)為497件(占在中國(guó)申請(qǐng)總數(shù)的25.2%)。而中國(guó)籍的申請(qǐng)數(shù)量為729件(37.0%),約為日本籍的1.5倍(圖3)。



  圖3:按申請(qǐng)人國(guó)籍統(tǒng)計(jì)的Si基板專利的申請(qǐng)數(shù)量推移及比例(在中國(guó)大陸申請(qǐng)的專利,申請(qǐng)年(優(yōu)先權(quán)主張年):2003~2012年)

  注:2011年以后因?yàn)閿?shù)據(jù)庫(kù)錄入延遲,PCT申請(qǐng)向各國(guó)轉(zhuǎn)移的時(shí)間差等原因,可能未涵蓋所有數(shù)據(jù)。 (

  使 用SiC(碳化硅)基板的技術(shù)專利方面,日本籍為284件(占在中國(guó)申請(qǐng)總數(shù)的50.4%),中國(guó)籍為84件(14.9%),使用GaN(氮化鎵)基板的 技術(shù)專利方面,日本籍為268件(47.5%),中國(guó)籍為86件(15.2%)(圖4,圖5)。通過(guò)分析中日申請(qǐng)的基板材料專利可以看出,日本正在向開發(fā) SiC基板和GaN基板技術(shù)轉(zhuǎn)型,而中國(guó)尚處在以Si基板為中心的階段。



  圖4:按申請(qǐng)人國(guó)籍統(tǒng)計(jì)的SiC基板專利的申請(qǐng)數(shù)量推移及比例(在中國(guó)大陸申請(qǐng)的專利,申請(qǐng)年(優(yōu)先權(quán)主張年):2003~2012年)

  注:2011年以后因?yàn)閿?shù)據(jù)庫(kù)錄入延遲,PCT申請(qǐng)向各國(guó)轉(zhuǎn)移的時(shí)間差等原因,可能未涵蓋所有數(shù)據(jù)。



  圖5:按申請(qǐng)人國(guó)籍統(tǒng)計(jì)的GaN基板專利的申請(qǐng)數(shù)量推移及比例(在中國(guó)大陸申請(qǐng)的專利,申請(qǐng)年(優(yōu)先權(quán)主張年):2003~2012年)

  注:2011年以后因?yàn)閿?shù)據(jù)庫(kù)錄入延遲,PCT申請(qǐng)向各國(guó)轉(zhuǎn)移的時(shí)間差等原因,可能未涵蓋所有數(shù)據(jù)。 (點(diǎn)擊放大)

  MOSFET開發(fā)一舉取得進(jìn)展

  按 照元件種類(參照?qǐng)D1(2))進(jìn)行統(tǒng)計(jì),在MOSFET*元件專利方面,日本籍為679件(占在中國(guó)申請(qǐng)總數(shù)的26.9%),中國(guó)籍為677件 (26.9%),數(shù)量基本相當(dāng)(圖6)。不過(guò),在2008年之后,中國(guó)籍的申請(qǐng)數(shù)量開始增加,2011年之后的申請(qǐng)數(shù)量超過(guò)了日本籍。在IGBT*專利方 面,日本籍為527件(44.9%),中國(guó)籍為267件(22.7%)(圖7)。中國(guó)的申請(qǐng)數(shù)量同樣是在2008年之后開始增加。

  *MOSFET=Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫,可以高速開關(guān),一般用作中小耐壓器件,應(yīng)用非常廣泛。

  *IGBT=Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫,能夠在高電壓、大電流環(huán)境下,以低導(dǎo)通電阻進(jìn)行工作。常用于空調(diào)等消費(fèi)類家電,工業(yè)設(shè)備、汽車、鐵路。



  圖6:按申請(qǐng)人國(guó)籍統(tǒng)計(jì)的MOSFET專利的申請(qǐng)數(shù)量推移及比例(在中國(guó)大陸申請(qǐng)的專利,申請(qǐng)年(優(yōu)先權(quán)主張年):2003~2012年)

  注:2011年以后因?yàn)閿?shù)據(jù)庫(kù)錄入延遲,PCT申請(qǐng)向各國(guó)轉(zhuǎn)移的時(shí)間差等原因,可能未涵蓋所有數(shù)據(jù)。



  圖7:按申請(qǐng)人國(guó)籍統(tǒng)計(jì)的IGBT專利的申請(qǐng)數(shù)量推移及比例(在中國(guó)大陸申請(qǐng)的專利,申請(qǐng)年(優(yōu)先權(quán)主張年):2003~2012年)

  注:2011年以后因?yàn)閿?shù)據(jù)庫(kù)錄入延遲,PCT申請(qǐng)向各國(guó)轉(zhuǎn)移的時(shí)間差等原因,可能未涵蓋所有數(shù)據(jù)。

  由 此可以看出,大約從2008年開始,MOSFET與IGBT都在中國(guó)掀起了研發(fā)熱潮。為了更詳細(xì)地進(jìn)行分析,我們比較了2012年MOSFET和IGBT 的申請(qǐng)數(shù)量,日本籍的申請(qǐng)數(shù)量基本相同,而中國(guó)籍申請(qǐng)的MOSFET專利較多。從2008年~2012年期間中國(guó)籍申請(qǐng)專利的增加數(shù)量來(lái)看,也是 MOSFET的數(shù)量較多。這可以認(rèn)為是中國(guó)將發(fā)展的重心放在了MOSFET上面。

  中國(guó)在工藝上展現(xiàn)優(yōu)勢(shì)

  按照 申請(qǐng)人國(guó)籍統(tǒng)計(jì)每種制造工藝(參照?qǐng)D1(3))專利的申請(qǐng)數(shù)量,在介電膜形成、金屬膜形成、蝕刻等工藝方面,日本籍的申請(qǐng)數(shù)量少于中國(guó)籍。而在芯片焊 接、引線鍵合和封裝處理等組裝方面,日本籍的申請(qǐng)數(shù)量多于中國(guó)籍(圖8)。由此可知,中國(guó)在工藝研發(fā)上的投入大于組裝。



  圖8:按技術(shù)類別(制造工藝)和申請(qǐng)人國(guó)籍統(tǒng)計(jì)的申請(qǐng)數(shù)量(在中國(guó)大陸申請(qǐng)的專利,申請(qǐng)年(優(yōu)先權(quán)主張年):2003~2012年)

  日本企業(yè)的發(fā)展方向,發(fā)揮優(yōu)勢(shì)確保競(jìng)爭(zhēng)力

  本次調(diào)查的結(jié)果表明,在功率半導(dǎo)體器件中,日本依然掌握著SiC基板和GaN基板的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。這些基板材料適用于汽車和發(fā)電系統(tǒng),日本應(yīng)當(dāng)面向這些用途進(jìn)行開發(fā)。

  而在MOSFET領(lǐng)域,中國(guó)正在積極開展研發(fā)。由此可以預(yù)計(jì),中國(guó)廠商會(huì)在今后全面進(jìn)軍MOSFET領(lǐng)域,價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)將會(huì)愈演愈烈。    因此,為了防止卷入MOSFET領(lǐng)域的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng),日本企業(yè)應(yīng)當(dāng)盡快轉(zhuǎn)型,轉(zhuǎn)而開發(fā)傳輸設(shè)備和工業(yè)設(shè)備、電力系統(tǒng)使用的高端IGBT產(chǎn)品。

  而且,在制造工藝方面,重要的是要在晶圓工藝上緊緊咬住中國(guó)廠商,在組裝上發(fā)揮優(yōu)勢(shì),以確保在中國(guó)市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力。(專利廳總務(wù)部企劃調(diào)查課 專利廳審查第四部審查調(diào)查室)



關(guān)鍵詞: 功率半導(dǎo)體 晶圓

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