安森美文章進入安森美技術社區(qū)

使用NCP1623A設計緊湊高效的PFC級的IC控制電路設計

之前我們介紹過快速設計由 NCP1623 驅(qū)動的 CrM/DCM PFC 級的關鍵步驟中的定義關鍵規(guī)格與功率級設計。本文將詳細說明IC控制電路設計中的細節(jié)：FB引腳電路、VCTRL 引腳電路、CS/ZCD 引腳電路、CSZCD電阻器設計等內(nèi)容。步驟 3：IC 控制電路設計如圖 1 所示，反饋配置包括：● 一個電阻分壓器，用于降低體電壓，以向 FB 引腳提供反饋信號。出于安全考慮，分壓器的上層電阻通常由兩個或三個電阻構成。否則，RFB1 的任何意外短接都會將輸出高電壓施加到控制器上并將
關鍵字：安森美 NCP1623A PFC

優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動

在高壓開關電源應用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性
關鍵字： SiC MOSFET 柵極驅(qū)動安森美

即將亮相2023北京國際聽力學大會，安森美硬核聽力方案了解下~

輔聽耳機，音頻市場下一個突破點？助聽器無線化、智能化，安森美有什么絕招？5月26日至5月28日2023年北京國際聽力學大會——云集芯片、器件、算法、整機算法的行業(yè)盛會鎖定#B31展位聽安森美為您娓娓道來話不多說，先來劇透一波安森美的硬核展品！智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi）擁有30多年的助聽器芯片設計經(jīng)驗，是行業(yè)內(nèi)領先的助聽器芯片供應商，將在#B31展位展示一系列先進的專業(yè)數(shù)字助聽器/OTC輔聽方案，包括Ezairo 7160、Ezairo 8300、J11/J10低功耗藍牙無線OTC
關鍵字：北京國際聽力學大會安森美聽力方案

關于圖像傳感器的像素誤區(qū)

圖像傳感器的應用日益普及，特別是在安防、工業(yè)和汽車應用領域。很多汽車現(xiàn)在都配備了至少五個以上基于圖像傳感器的攝像頭。但是，圖像傳感器技術不同于標準半導體技術，存在著一些錯誤認知。摩爾定律和圖像傳感器有些人假設著名的“摩爾定律”也適用于圖像傳感器。戈登·摩爾（Fairchild半導體公司的創(chuàng)始人，F(xiàn)airchild半導體現(xiàn)在是安森美的一部分）指出，集成電路 (IC) 上的晶體管數(shù)量每兩年增加一倍。為了將兩倍數(shù)量的晶體管放置在單個器件上，縮小晶體管是主要實現(xiàn)方式。這種趨勢已經(jīng)持續(xù)了數(shù)十年，但近年晶體管數(shù)量增長
關鍵字：安森美圖像傳感器

使用NCP1623A設計緊湊高效的PFC級的關鍵步驟

本文介紹了快速設計由 NCP1623 驅(qū)動的 CrM/DCM PFC 級的關鍵步驟中的定義關鍵規(guī)格與功率級設計，并以實際的 100W 通用電源應用為例進行說明，IC控制電路設計將在后續(xù)的推文中分享。● 最大輸出功率：100 W● Rms 線路電壓范圍：90 V - 264 V● 調(diào)節(jié)輸出電壓：● 低壓為 250 V（115V 電源）● 高壓為 390 V（230V 電源）NCP1623 具有多個選項，本文側(cè)重于NCP1623A，它與其他版本的主要
關鍵字：安森美 NCP1623A PFC

貿(mào)澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案

2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標準的器件。這些器件經(jīng)過優(yōu)化，可為能源基礎設施和工業(yè)驅(qū)動應用提供高可靠性和高性能?？稍偕茉春痛蠊β使I(yè)應用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
關鍵字：貿(mào)澤安森美 EliteSiC 碳化硅

揭秘碳化硅芯片的設計和制造

眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件對于器件的設計和制造工藝有著極高的要求，接下來我們來看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件設計和制造上都獲得了哪些進展和成果。Die Layout下圖是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。圖一芯片的表面一般是如圖二所示，由源極焊盤(Source pad)，柵極焊盤(Gate P
關鍵字：碳化硅芯片設計和制造安森美

安森美入選美國《巴倫周刊》2023 年美國最具可持續(xù)發(fā)展力的100家公司榜單

2023 年 4月 3日——智能電源和智能感知技術的領先企業(yè)安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）宣布，公司入選《巴倫周刊》美國最具可持續(xù)發(fā)展力的100家公司榜單?！栋蛡愔芸吩u估 1000 家大型上市公司在環(huán)境、社會和管治 (ESG) 方面的230項績效指標，排名前 100 的公司將入選年度榜單。自 2018 年首次啟動評選以來，安森美已連續(xù)六年上榜。安森美的入選彰顯其在管理、執(zhí)行和披露可持續(xù)發(fā)展及 ESG 目標方面的領導力，公司在其年度可持續(xù)發(fā)展報告中介紹相關指標及其進展情況，并根據(jù)全球報
關鍵字：安森美巴倫周刊可持續(xù)發(fā)展力

封裝技術開發(fā)要點：不同模型下的瞬態(tài)響應分析

在封裝開發(fā)中，如何正確使用數(shù)據(jù)表的熱特性參數(shù)以做出設計決策經(jīng)常存在一定的誤區(qū)。之前我們討論了穩(wěn)態(tài)數(shù)據(jù)和瞬態(tài)數(shù)據(jù)的解讀與多輸入瞬態(tài)模型，今天我們將繼續(xù)分析各種模型下的瞬態(tài)響應。多結(jié)器件和瞬態(tài)響應上一部分中提到了多輸入瞬態(tài)模型。正如熱系統(tǒng)的穩(wěn)態(tài)描述一樣，也可以構建多結(jié)器件的瞬態(tài)描述。如果遵循矩陣方法，唯一區(qū)別是矩陣的每個元素都是時間的函數(shù)。對于器件中的每個熱源，都會有一條“自發(fā)熱”瞬態(tài)響應曲線；對于系統(tǒng)中的每個其他關注點，都會存在一條“相互作用”瞬態(tài)響應曲線。在同樣的限制性假設的約束下，線性疊加和互易原理仍然
關鍵字：安森美封裝技術

安森美：傳統(tǒng)工業(yè)市場升級帶來電機控制新機遇

在后疫情時代，安森美認為在大型和手持電器、機器人、伺服驅(qū)動器等領域，對無刷直流電機(BLDC) 需求較大，將會是重點增長的幾個應用方向。同時安森美也預計所有氣體動力工具/手持電器會繼續(xù)向電氣化發(fā)展，在伺服和自動化等更傳統(tǒng)的工業(yè)應用中也會看到比較大的潛力。特別的，無刷直流電機（BLDC）和永磁同步電機（PMSM）市場將持續(xù)增長，因為它們開始滲入更多的傳統(tǒng)工業(yè)市場，如伺服電機。為了應對這樣的市場需求，安森美(onsemi) 在電機控制領域主打從器件到系統(tǒng)的靈活性解決方案，即提供針對無刷直流(BLDC) 應用的
關鍵字： 202303 安森美電機控制

安森美開發(fā)IGBT FS7開關平臺,性能領先,應用工業(yè)市場

領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi），推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），具備業(yè)界領先的性能水平，最大程度降低導通損耗和開關損耗。這些新器件旨在提高快速開關應用能效，將主要用于能源基礎設施應用，如太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、儲能和電動汽車充電電源轉(zhuǎn)換。新的1200V溝槽型場截止（FS7）IGBT在高開關頻率能源基礎設施應用中用于升壓電路提高母線電壓，及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開關損耗可實現(xiàn)更高的開關頻率，從而減少磁性元件的尺寸，提高功率密度
關鍵字：安森美 IGBT FS7

安森美推出仿真工具，助力加速復雜電力電子應用上市周期

2023 年 3 月 22日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），針對其EliteSiC碳化硅（SiC）產(chǎn)品系列及其應用推出一款突破性的仿真工具。全新的Elite Power Simulator在線仿真工具和PLECS模型自助生成工具，使工程師在開發(fā)周期的早期階段，通過對復雜電力電子應用進行系統(tǒng)級仿真，獲得有價值的參考信息。這些工具提供尖端前沿的精確仿真數(shù)據(jù)，從而讓客戶根據(jù)應用需求進行EliteSiC產(chǎn)品選型，無需耗費成本和時間進行硬件制造和測試，為電力電子工
關鍵字：安森美仿真工具復雜電力電子應用

安森美開發(fā)IGBT FS7開關平臺，性能領先，應用工業(yè)市場

2023 年 3 月 21日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），具備業(yè)界領先的性能水平，最大程度降低導通損耗和開關損耗。這些新器件旨在提高快速開關應用能效，將主要用于能源基礎設施應用，如太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、儲能和電動汽車充電電源轉(zhuǎn)換。新的1200V溝槽型場截止（FS7）IGBT在高開關頻率能源基礎設施應用中用于升壓電路提高母線電壓，及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開關損耗
關鍵字：安森美 IGBT FS7開關

安森美最新的800萬像素圖像傳感器實現(xiàn)絕佳的4K視頻質(zhì)量

領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi），宣布推出一款創(chuàng)新的圖像傳感器--AR0822。該器件的嵌入式高動態(tài)范圍（eHDRTM）功能和優(yōu)化的近紅外（NIR）響應對于照明條件惡劣的應用至關重要，如安防監(jiān)控、隨身攝像機、門鈴攝像頭和機器人。該傳感器的低功耗架構和運動喚醒功能旨在大幅降低系統(tǒng)功耗。AR0822是800萬像素（MP）的堆疊式1/1.8英寸（對角線8.81毫米）背照式（BSI）CMOS數(shù)字圖像傳感器，基于2.0?μm像素。它具有3840（H）× 2160（V）的有效像素陣列，能
關鍵字：安森美 800萬像素圖像傳感器 4K視頻

安森美擴展藍牙低功耗微控制器(MCU)系列到汽車無線應用

領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi）近日推出采用藍牙低功耗聯(lián)接的超低功耗車規(guī)級無線微控制器。隨著傳感器數(shù)量和車載通信的增加，汽車制造商越來越傾向于使用無線連接技術，以減少布線成本和重量，NCV-RSL15是其理想選擇。另一方面，傳感器部署數(shù)量上升可能會導致網(wǎng)絡攻擊次數(shù)隨之增加，加劇安全問題。使用這款新型微控制器可解決這類安全隱患。雖然胎壓監(jiān)測系統(tǒng)(TMS)和其他感知應用中的傳感器和一般功能清單不斷增長，但功耗預算卻沒有增加。同時，現(xiàn)在有些應用要求電池的使用壽命能達到10年。NCV-RSL1
關鍵字：安森美藍牙低功耗微控制器 MCU 汽車無線應用

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安森美介紹

安森美半導體(ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡和強大的產(chǎn)品系列，是計算機、通信、消費產(chǎn)品、汽車、醫(yī)療、工業(yè)和軍事/航空等市場客戶之首選高能效半導體技術供應商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設計中心的業(yè)務 [ 查看詳細 ]