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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

基于TPS2491的熱插拔保護電路設(shè)計

  • 摘要：文章對主流熱插拔控制策略進行了比較分析，在介紹熱插拔控制器TPS2491功能結(jié)構(gòu)后，以24V電源背板總線數(shù)據(jù)采集卡為設(shè)計實例，詳細介紹了基于TPS2491進行熱插拔保護電路的設(shè)計過程，并對設(shè)計電路進行了測試驗證，
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半導體大佬撐腰之下 GaN功率半導體能取代MOSFET？

  • 2010年，供應(yīng)商發(fā)布了第一波基于GaN技術(shù)的功率半導體。但直到最近，這種產(chǎn)品的可用性依然不高，價格也高昂不下，GaN技術(shù)一直在尋找理想的應(yīng)用空間。隨著時間的推移，這些器件預(yù)計將逐步應(yīng)用到電動汽車、移動設(shè)備的快速充電適配器、無線充電和其他系統(tǒng)中，GaN基功率半導體器件正在電源市場上攻城拔寨。
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OptiMOS 5 150 V大幅降低導通電阻和反向恢復電荷

  • 　　英飛凌科技股份公司發(fā)布針對高能效設(shè)計和應(yīng)用的OptiMOS™ 5 150 V產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品家族進一步壯大了行業(yè)領(lǐng)先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150 V產(chǎn)品家族專門針對要求低電荷、高功率密度和高耐受性的高性能應(yīng)用而優(yōu)化。它是英飛凌面向低壓馬達驅(qū)動、通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流，以及太陽能電源優(yōu)化器等系統(tǒng)解決方案的重要組成部分之一。 　　更環(huán)保的技術(shù) 　　英飛凌堅持不懈地研發(fā)適用于高能效設(shè)計的產(chǎn)品，以幫助減少全球二氧化碳排放
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東芝推出適用于移動設(shè)備中負載開關(guān)的業(yè)界領(lǐng)先低導通電阻N溝道MOSFET

  • 　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出適用于智能手機和平板電腦等移動設(shè)備中的負載開關(guān)的N溝道MOSFET，該產(chǎn)品實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的1]低導通電阻。新產(chǎn)品出貨即日啟動。 　　新產(chǎn)品系列包括30V“SSM6K513NU”和40V“SSM6K514NU”。這些新MOSFET利用東芝最先進的“U-MOS IX-H系列”溝道工藝，實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導通電阻：“SSM6K513NU”：6.5mOhm以及&
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SoC系統(tǒng)開發(fā)人員：FinFET在系統(tǒng)級意味著什么？

  • 大家都在談?wù)揊inFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認為20 nm節(jié)點以后，F(xiàn)inFET將成為SoC的未來。但
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借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

  • 　　近日在中國深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計師。“您碰巧在設(shè)計中用過60V的負載開關(guān)嗎?”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，您有遇到過空間受限的問題嗎?”我問。他確實碰到過，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息，RDS(ON)不到60m&Omeg
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電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器電路及工作原理

  • 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
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高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作原理

  • 電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
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微芯有刷直流電機控制方案

  • 有刷直流電機通過電刷進行換向。以下是關(guān)于有刷直流電機的一些關(guān)鍵點：典型的轉(zhuǎn)子(也就是電樞)上有繞組，并且在其末端連有換向器電刷與換向部分連接和斷開，從而將能量傳遞到電樞永磁直流電機的定子(或外部機筒)將有
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氮化鎵/碳化硅技術(shù)真的能主導我們的生活方式？

  • 伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。
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被忽略的細節(jié)：理解MOSFET額定電壓BVDSS

  • 　　看到這個主題，可能有些工程師會問：多少伏的功率MOSFET，耐壓BVDSS不就是多少伏嗎?這里面還有什么被忽略的內(nèi)容?細節(jié)決定技術(shù)，今天研究功率MOSFET數(shù)據(jù)表中BVDSS所隱藏的一些有意思的細節(jié)，來理解這個參數(shù)所設(shè)定的含義。 　　數(shù)據(jù)表中漏源擊穿電壓BVDSS通常定義為漏電流為250uA時漏極到源極的電壓，漏極到源極的漏電流表示為IDSS。數(shù)據(jù)表中標稱BVDSS電壓是在柵極和源極S短路、25℃的工作溫度、漏極和源極不發(fā)生雪崩擊穿時，所能施加的最大的額定電壓，測試的電路如圖1所示。關(guān)于雪崩擊穿問題
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Fairchild發(fā)布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列

  • 　　Fairchild，現(xiàn)在是安森美半導體的一部分，今天推出了其SuperFET® III系列，用于650V N溝道MOSFET，這是該公司新一代的MOSFET，可滿足最新的通信、服務(wù)器、電動車(EV)充電器和太陽能產(chǎn)品的更高功率密度、系統(tǒng)效率和優(yōu)越的可靠性要求。 　　SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和優(yōu)異熱性能，是高性能應(yīng)用的理想之選。一流性能之外，該系列還提供了廣泛的封裝選擇，賦予了產(chǎn)品設(shè)計者更大的靈活性，特別是對于尺寸受限的設(shè)計。 　　Fair
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英飛凌800 V CoolMOS P7系列設(shè)立效率和散熱性能的新基準

  • 　　英飛凌科技股份公司推出800 V CoolMOS™ P7系列。該800 V MOSFET基于超級結(jié)技術(shù)，兼具出類拔萃的性能和優(yōu)異的易用性。這個新的產(chǎn)品家族非常適于低功率SMPS應(yīng)用，可完全滿足性能、易于設(shè)計和性價比等市場需求。它主要側(cè)重于反激式拓撲，這種拓撲常見于適配器、LED照明、音頻、工業(yè)和輔助電源等應(yīng)用。 　　   　　800 V CoolMOS P7系列可將效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式應(yīng)用中測試的其他競爭對手產(chǎn)品，這相當于將
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步進電機的MOSFET管驅(qū)動設(shè)計

意法半導體推出新款超結(jié)MOSFET和全球首款1500V TO-220FP 寬爬電間距封裝功率晶體管

  • 　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應(yīng)商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)寬爬電間距封裝的功率晶體管，其中包括采用防電弧封裝的全球首款1500V超結(jié)MOSFET。 　　電視和PC等設(shè)備常用的開放式電源表面很容易聚集塵土和粉塵，導致功率晶體管引腳之間產(chǎn)生高壓電弧放電現(xiàn)象，TO-220FP寬爬電間距封裝是這類應(yīng)用功率晶體管的理想選擇。在使用2.54mm引腳間隔的常規(guī)封裝時，需要鑄封、引線成形、套管或密封等特殊工
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碳化硅 mosfet介紹

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