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同步整流開(kāi)關(guān)的功率MOSFET關(guān)鍵特性有哪些

  • 高性能轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的同步整流對(duì)于低電壓、高電流應(yīng)用(比如服務(wù)器和電信電源)至關(guān)重要,這是因?yàn)檫^(guò)將肖特 基二極管整流替換為同步整流 MOSFET 能夠顯著提高效率和 功率密度。同步整流 MOSFET 的很多關(guān)鍵參數(shù)甚至器件和印 制電路板的寄生元件都會(huì)直接影響同步整流的系統(tǒng)效率。同步整流 MOSFET 的主要要求為:同步整流中的功率損耗(1)導(dǎo)通損耗 二極管整流器的導(dǎo)通損耗占了電源總功耗的很大一部圖1 ?75 V MOSFET 和 600 V MOSFET 中 RDS(ON)的相對(duì)比例 ?
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為計(jì)算應(yīng)用中的功率因數(shù)校正電路選擇MOSFET(上)

  •      功率因數(shù)校正 (PFC) 是輸入功率不低于75 W的AC-DC轉(zhuǎn)換器的一項(xiàng)強(qiáng)制要求。在某些消費(fèi)應(yīng)用(如LED照明) 中,要求在低至5 W的功率下進(jìn)行某些形式的PFC。在低功 率下,可使用為控制線路頻率而設(shè)計(jì)的無(wú)源元件實(shí)現(xiàn)校正目 的。但在高功率下,無(wú)源解決方案會(huì)變得相當(dāng)“笨重”而昂 貴;使用高開(kāi)關(guān)頻率有源器件可減小所需無(wú)源元件的尺寸。 有源PFC的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)方式是輸入整流器后跟升壓轉(zhuǎn)換 器。盡管新式拓?fù)湔饾u獲得接受,但升壓PFC仍然是主要解決方案,本文將對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步
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東芝推出具備改進(jìn)的低導(dǎo)通電阻、高速開(kāi)關(guān)的800V超級(jí)結(jié)N溝道功率MOSFET

  •   東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布面向高效電源推出具備改進(jìn)的低導(dǎo)通電阻、高速開(kāi)關(guān)的800V超級(jí)結(jié)N溝道功率MOSFET?!癉TMOS?IV系列”的八款新MOSFET利用超結(jié)結(jié)構(gòu),與東芝之前的“π-MOSVIII系列”相比,其可將其單位面積導(dǎo)通電阻(RON?x?A)降低近79%。?該系列產(chǎn)品改進(jìn)的高速開(kāi)關(guān)還有助于提高使用該系列產(chǎn)品的芯片組的電源效率。這些MOSFET適用于工業(yè)電源,服務(wù)器、筆記本電腦適配器和充電器以及移動(dòng)設(shè)備的備用電源以及LED照明燈
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東芝面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅(qū)動(dòng)的100V N溝道功率MOSFET

  •   東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅(qū)動(dòng)的100V?N溝道功率MOSFET,以此擴(kuò)大其低電壓N溝道功率MOSFET的產(chǎn)品陣容?!癠-MOS?VIII-H系列”的兩款新MOSFET分別是“TPH4R10ANL”和“TPH6R30ANL”,產(chǎn)品出貨即日啟動(dòng)。  隨著快速充電器的普及和發(fā)展,市場(chǎng)需要更高性能的用于次級(jí)側(cè)整流器的功率MOSFET。這些新的MOSFET利用東芝低電壓溝槽結(jié)構(gòu)工藝,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的[1]低導(dǎo)通電阻和高速性能。該結(jié)
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采用ST F7 LV MOSFET技術(shù)的單片肖特基二極管:提高應(yīng)用性能

  •   摘要–當(dāng)一個(gè)功率MOSFET管被用在電橋拓?fù)浠蛴米麟娫炊蝹?cè)同步整流管時(shí),體漏二極管的特性以及品質(zhì)因數(shù)將變得非常重要。當(dāng)需要Qrr 數(shù)值很低的軟反向恢復(fù)時(shí),集成肖特基二極管的新60V ST “F7”功率MOSFET管確保能效和換向性能更加出色?! .前言  在同步整流和電橋結(jié)構(gòu)中,RDSon 和 Qg 兩個(gè)參數(shù)并不是對(duì)功率MOSFET管的唯一要求,實(shí)際上,本征體漏二極管的動(dòng)態(tài)特性對(duì)MOSFET整體性能影響很大。體漏二極管的正向壓降(VF,d
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日研究團(tuán)隊(duì)制作了高質(zhì)量2英寸GaN芯片和MOSFET

  •   日本三菱化學(xué)及富士電機(jī)、豐田中央研究所、京都大學(xué)、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的聯(lián)合團(tuán)隊(duì)成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)。GaN功率半導(dǎo)體是碳化硅功率半導(dǎo)體的下一代技術(shù)。日本通過(guò)發(fā)光二極管的開(kāi)發(fā)積累了GaN元件技術(shù),GaN芯片生產(chǎn)量占據(jù)世界最高份額。若做到現(xiàn)有技術(shù)的實(shí)用化,將處于世界優(yōu)勢(shì)地位。   功率半導(dǎo)體有利于家電、汽車、電車等的節(jié)能,產(chǎn)業(yè)需求很大。GaN功率半導(dǎo)體中,硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設(shè)備已經(jīng)量產(chǎn),但是,GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
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意法半導(dǎo)體下一代高達(dá)100W的智能功率模塊提升功能集成度、能效和靈活性

  •   橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)擴(kuò)大其SLLIMM? nano系列電機(jī)驅(qū)動(dòng)智能功率模塊(IPM)產(chǎn)品陣容。除了使得應(yīng)用總體尺寸最小化和設(shè)計(jì)復(fù)雜性最低化的多種可選封裝外,新產(chǎn)品還集成更多的實(shí)用功能和更高能效的最新的500V MOSFET?! ⌒翴PM模塊的額定輸出電流1A或2A,目標(biāo)應(yīng)用瞄準(zhǔn)最高功率100W的電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng),例如冰箱壓縮機(jī)、洗衣機(jī)或洗碗機(jī)的電機(jī)、排水泵、循環(huán)水泵、風(fēng)扇電機(jī)、以及硬開(kāi)關(guān)電路內(nèi)工作頻率小
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8種噪聲測(cè)試技術(shù)的實(shí)現(xiàn),包括模塊電源、MOSFET等

  •   噪聲通常指任意的隨機(jī)干擾。熱噪聲又稱白噪聲或約翰遜噪聲,是由處在一定溫度下的各種物質(zhì)內(nèi)部微粒作無(wú)規(guī)律的隨機(jī)熱運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的,常用統(tǒng)計(jì)數(shù)學(xué)的方法進(jìn)行研究。熱噪聲普遍存在于電子元件、器件、網(wǎng)絡(luò)和系統(tǒng)中,因此噪聲測(cè)量主要指電子元件和器件、網(wǎng)絡(luò)和系統(tǒng)的熱噪聲和特性的測(cè)量?! 「郊酉辔辉肼暅y(cè)試技術(shù)及注意事項(xiàng)  本文簡(jiǎn)單介紹了相位噪聲的定義,詳細(xì)介紹了附加相位噪聲的測(cè)試過(guò)程,給出了實(shí)際的測(cè)試結(jié)果,指出了附加相位噪聲測(cè)試過(guò)程中的一些注意事項(xiàng),希望對(duì)附加相位噪聲測(cè)試人員有一定的借鑒意義?! ∮糜?G-LTE頻段噪聲測(cè)試
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MOSFET晶體管在移相ZVS全橋直流-直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)的工作特性: 設(shè)計(jì)考慮因素和實(shí)驗(yàn)結(jié)果

  •   摘要 – 近幾年來(lái),開(kāi)關(guān)電源市場(chǎng)對(duì)高能效、大功率系統(tǒng)的需求不斷提高,在此拉動(dòng)下,設(shè)計(jì)人員轉(zhuǎn)向?qū)ふ译娔軗p耗更低的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?。PWM移相控制全橋轉(zhuǎn)換器就是其中一個(gè)深受歡迎的軟硬結(jié)合的開(kāi)關(guān)電源拓?fù)?,能夠在大功率條件下達(dá)取得高能效。本文旨在于探討MOSFET開(kāi)關(guān)管在零壓開(kāi)關(guān)(ZVS)轉(zhuǎn)換器內(nèi)的工作特性?! ?. 前言  零壓開(kāi)關(guān)移相轉(zhuǎn)換器的市場(chǎng)定位包括電信設(shè)備電源、大型計(jì)算機(jī)或服務(wù)器以及其它的要求功率密度和能效兼?zhèn)涞碾娮釉O(shè)備。要想實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo),就必須最大限度降低功率損耗和無(wú)功功率
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MOSFET驅(qū)動(dòng)及工作區(qū)的問(wèn)題分析

  •   問(wèn)題1:最近,我們公司的技術(shù)專家在調(diào)試中發(fā)現(xiàn),MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓過(guò)高,會(huì)導(dǎo)致電路過(guò)載時(shí),MOSFET中電流過(guò)大,于是把降低了驅(qū)動(dòng)電壓到6.5V,之前我們都是在12V左右。這種做法感覺(jué)和您在文章里第四部份似乎很相似,這樣做可行么?  問(wèn)題分析:  系統(tǒng)短路的時(shí)候,功率MOSFET相當(dāng)于工作在放大的線性區(qū),降低驅(qū)動(dòng)電壓,可以降低跨導(dǎo)限制的最大電流,從而降低系統(tǒng)的短路電流,從短路保護(hù)的角度而言,確實(shí)有一定的效果。然后,降低驅(qū)動(dòng)電壓,正常工作時(shí)候,RDSON會(huì)增大,系統(tǒng)效率會(huì)降低,MOSFET的溫度會(huì)升高,
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淺談MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

  •   MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路?! ≡谑褂肕OSFET設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí),大部分人都會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素,這樣的電路也許可以正常工作,但并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方案。更細(xì)致的,MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對(duì)一個(gè)確定的MOSFET,其驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流,上升速率等,都會(huì)影響MOSFET的
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功率器件心得——功率MOSFET心得

  •   功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此,要求同時(shí)輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載,帶載能力要強(qiáng)。  功率MOSFET是較常使用的一類功率器件?!癕OSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的縮寫,譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安),用于功
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意法半導(dǎo)體提升車用40V MOSFET的噪聲性能和能效

  •   橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)發(fā)布兩款40V汽車級(jí)MOSFET。新產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體最新的STripFET? F7制造技術(shù),開(kāi)關(guān)性能優(yōu)異,能效出色,噪聲輻射極低,耐誤導(dǎo)通能力強(qiáng)。新產(chǎn)品最大輸出電流達(dá)到120A,主要目標(biāo)應(yīng)用包括高電流的動(dòng)力總成、車身或底盤和安全系統(tǒng),同時(shí)優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性使其特別適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置,例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)。   意法半導(dǎo)體的STripFET系列采用DeepGATE?技
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關(guān)于MOS管失效,說(shuō)白了就這六大原因

  •   MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。   目前在市場(chǎng)應(yīng)用方面,排名第一的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計(jì)算機(jī)主板、NB、
  • 關(guān)鍵字: MOS管  MOSFET  
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碳化硅 mosfet介紹

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