碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術社區(qū)
尺寸縮小對溝槽MOSFET性能的影響
- 0 引言 近幾年,隨著電子消費產(chǎn)品需求的日益增長,功率MOSFET的需求也越來越大。其中,TMOS由于溝道是垂直方向,在相同面積下,單位元胞的集成度較高,因此導通電阻較低,同時又具有較低的柵-漏電荷密度、較大的電流容量,從而具備了較低的開關損耗及較快的開關速度,被廣泛地應用在低壓功率領域。 低壓TMOS的導通電阻主要是由溝道電阻和外延層電阻所組成,為了降低導通電阻,同時不降低器件其他性能,如漏源擊穿電壓,最直接的辦法是減少相鄰元胞的間距,在相同的面積下,增加元胞的集成度?;诖?,本文借助了溝槽
- 關鍵字: MOSFET
Diodes推出新型功率MOSFET優(yōu)化低壓操作
- Diodes Incorporated全面擴展旗下的功率MOSFET產(chǎn)品系列,加入能夠在各種消費、通信、計算及工業(yè)應用中發(fā)揮負載和切換功能的新型器件。新器件涵蓋Diodes和Zetex產(chǎn)品系列,包括27款30V邏輯電平、9款20V低閾值的N、P和采用不同工業(yè)標準封裝的互補MOSFET。 這些新型功率MOSFET采用SOT323、SOT23、SOT26和SO8形式封裝,引腳和占位面積與現(xiàn)有器件兼容,性價比具有競爭優(yōu)勢,不僅能減少物料清單,還能在無需額外成本的情況下提升性能。新器件可用于DC/DC轉
- 關鍵字: Diodes MOSFET
中國功率器件市場增速放緩MOSFET是亮點
- 在中國中,電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置,(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)位于第二位,大功率晶體管位于第三位,此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場的80%以上。IGBT(絕緣柵雙極晶體管)銷售額雖然不大,但隨著其在工業(yè)控制、消費電子領域中應用的不斷增多,其市場銷售額保持著較快的增長,是中國功率器件市場中的新興產(chǎn)品。 從應用領域上看,消費電子領域銷售額位列第一位,工業(yè)控制居于第二,計算機領域銷售額位于第三位。這三大領域銷售額占整體市場的68.9%,是功率器件的重要應用市場。同時,憑借筆記本電腦
- 關鍵字: MOSFET 功率晶體管 消費電子 IC LDO 液晶電視
Micrel推出兩款新型同步降壓調(diào)節(jié)器
- 麥克雷爾公司 (Micrel Inc.)推出 MIC23030 和 MIC23031,為其 HyperLight Load(TM) 同步降壓調(diào)節(jié)器家族增添了兩名新成員。這項在 MIC23030/1 中實施的專利架構能為便攜式產(chǎn)品提供一流的瞬態(tài)性能和剛好3毫伏的輸出電壓紋波。該調(diào)節(jié)器內(nèi)置 MOSFET,可在一個1.6mm x 1.6mm 的小型 Thin MLF(R) 封裝中提供高達4億安的輸出電流,而損耗量僅為21微安的靜態(tài)電流。這些 HyperLight Load(TM) 降壓調(diào)節(jié)器能夠?qū)崿F(xiàn)高達93
- 關鍵字: 麥克雷爾 Micrel 降壓調(diào)節(jié)器 MOSFET
安森美半導體與中國領先空調(diào)制造商達成設計協(xié)作
- 高能效電源解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)日前宣布,佛山市中格威電子有限公司(廣東志高集團)選用其NCP1027為廣東志高空調(diào)有限公司節(jié)能空調(diào)新產(chǎn)品電控系統(tǒng)供電,實現(xiàn)更高的工作效率和更低的待機能耗。 安森美半導體的NCP1027為志高空調(diào)在10瓦(W)輸出功率電平提供新的解決方案。安森美半導體專有的跳周期工作技術使空調(diào)在低峰值電流下工作;公司的高壓技術體現(xiàn)在帶有啟動電流源的內(nèi)置700 V MOSFET,而這MOSFET和啟動電流源都直接連接至大電容。為了防止低輸出電
- 關鍵字: 安森美 電源 能耗 MOSFET
MagnaChip 為液晶顯示器推出互補型 N-P 通道 MOSFET 系列
- MagnaChip 推出用于液晶 (LCD) 電視和液晶顯示器背照燈元件的新型節(jié)能 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)系列。 這款 N-P 多芯片 MOSFET 系列擁有專為液晶電視和液晶顯示器逆變器設計的 N 通道功率和 P 通道功率互補 MOSFET 系列。該系列產(chǎn)品為半橋或全橋逆變器設計提供了一個最優(yōu)化的解決方案,有 DPAK(分立元件封裝)和 SOIC-8(小型集成電路封裝),在單一設備中綜合了 N 通道和 P 通道,從而節(jié)省了電路板空間和成本。此外,該 N-P 多芯片 MOS
- 關鍵字: 液晶 MagnaChip MOSFET 顯示器
基于場效應管的直流電機驅(qū)動控制電路設計
- 1 引言 長期以來,直流電機以其良好的線性特性、優(yōu)異的控制性能等特點成為大多數(shù)變速運動控制和閉環(huán)位置伺服控制系統(tǒng)的最佳選擇。特別隨著計算機在控制領域,高開關頻率、全控型第二代電力半導體器件(GTR、GTO、MOSFET、IGBT等)的發(fā)展,以及脈寬調(diào)制(PWM)直流調(diào)速技術的應用,直流電機得到廣泛應用。為適應小型直流電機的使用需求,各半導體廠商推出了直流電機控制專用集成電路,構成基于微處理器控制的直流電機伺服系統(tǒng)。但是,專用集成電路構成的直流電機驅(qū)動器的輸出功率有限,不適合大功率直流電機驅(qū)動需求
- 關鍵字: 直流電機 驅(qū)動 PWM MOSFET
PAM推出內(nèi)置MOSFET高壓30瓦LED驅(qū)動器PAM2842
- PAM(Power Analog Microelectronics)推出內(nèi)置MOSFET高壓30瓦的LED驅(qū)動器,采用臺積電的雙極型CMOS-DMOS(BCD)工藝制成。具有從5.5V 到40V很寬的輸入電壓范圍,它是一個非常靈活的LED驅(qū)動器,可以工作于升壓、降壓、升降壓(SEPIC)三種工作方式。它可以利用內(nèi)置的MOSFET來驅(qū)動10個3瓦的LED,或者30個1瓦的LED。由于它在很寬的電壓范圍內(nèi)的恒流特性和95%以上的效率,使它不論是在輸入電壓跌落或很高的環(huán)境溫度時,都能正常工作。因為利用了臺積
- 關鍵字: 驅(qū)動器 PAM MOSFET LED 臺積電
碳化硅 mosfet介紹
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