- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出寬輸入范圍同步降壓型開關穩(wěn)壓器控制器 LTC3851，該器件驅動所有 N 溝道功率 MOSFET 級并具有一致或比例跟蹤功能。4V 至 38V 的輸入范圍促成種類繁多的應用，包括大多數(shù)中間總線電壓和電池化學組成。強大的片上 MOSFET 柵極驅動器允許使用大功率外部 MOSFET，以在 0.8V 至 5.5V 的輸出電壓范圍內產生高達 20A 的輸出電流，從而使 LTC3851 非常適合于負載點需求。應用包括汽車、工業(yè)、
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凌力爾特 穩(wěn)壓器 控制器 MOSFET
- Maxim Integrated Products推出能夠提供2A和1A輸出電流的雙路輸出、高開關頻率DC-DC轉換器MAX5098A/MAX5099.轉換器直接采用汽車電池供電，集成了能承受高達80V瞬態(tài)電壓的拋負載保護電路，器件的工作電壓可低至4.5V，以適應冷啟動情況。另外，器件具有可編程的200kHz至2.2MHz寬開關頻率范圍，從而可以工作于AM頻段以外的頻率?？煽康谋Ｗo特性和較寬開關頻率范圍使MAX5098A/MAX5099成為高端設備、儀表盤顯示器和汽車廣播等汽車應用的理想選擇。
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Maxim DC-DC 轉換器 MOSFET
- 據(jù)iSuppli公司，預計2008年中國市場電動自行車出貨量將低于2007年，與2005年大增80%以及過去10年94%的復合年增長率形成鮮明對比。2008年中國電動自行車產量將達到2110萬輛，營業(yè)收入為29億美元。比2007年2130萬的出貨量下降不到1%。這意味著今年中國的多數(shù)電動自行車廠商可能遭遇虧損。
圖 2004-2012年中國電動自行車產量與預測
來源：iSuppli，2008年6月
中國電動自行車廠商目前面臨更加不確定的消費者以及更加嚴格的政府法規(guī)。經過10年
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半導體 電動自行車 MOSFET 電池 200808
- MOSFET 理想二極管控制器在低壓應用中，為堅固的電源“或”提供快速接通和關斷
凌力爾特公司(Linear Technology Corporation)日前推出 0V 至 18V 理想二極管控制器 LTC4352，該器件使多個電源能夠進行低損耗“或”連接而對電源電壓有最小干擾。LTC4352 調節(jié)外部 N 溝道 MOSFET 上的正向壓降，以確保在二極管“或”應用中電源之間平滑傳送電流。在低壓系統(tǒng)中，控制器之間的慢切換導
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凌力爾特 MOSFET 理想二極管 控制器
- 受到市場需求減緩以及庫存調整等問題的影響，2007年，中國功率器件市場增長率較2006年出現(xiàn)較大幅度的下降，市場銷售額為762.3億元，比2006年增長了13.3%。
在中國功率器件市場中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產品銷售額占到整體市場的80%
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功率器件 消費電子 電源管理IC MOSFET
- 卓芯微電子(Innova-Semi)推出P型MOSFET集成肖特基產品RCRH010FA 和RCRH003FB。P溝道增強型場效應管采用高密度DMOS生產工藝，具有極低的導通電阻，并且在低至1.8V的柵極電壓下仍可正常開啟。配合使用的肖特基芯片采用Low VF工藝，同時具有極佳的反向漏電特性。
該兩款產品主要應用在充電電路，DC/DC 轉換器和LED控制電路。整個器件在正向導通時具有很低的正向壓降，不僅滿足使用USB接口進行充電的要求，同時具有極低的功率耗散，提升整個系統(tǒng)的能效。
這兩款產
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MOSFET 卓芯微電子 充電電路 電源管理
- Maxim推出高壓、高速MOSFET驅動器MAX15018/MAX15019，用于驅動高邊和低邊n溝道MOSFET。器件具有高端(HS)引腳，允許高達125V的輸入電壓，該指標優(yōu)于競爭產品的105V電壓。MAX15018/MAX15019與工業(yè)標準的HIP2100IB和HIP2101IB引腳兼容，理想用于必須承受100V或更高瞬態(tài)電壓的電信電源產品中，保證足夠的安全裕量。
MAX15018/MAX15019提供3A源出/吸入峰值電流，傳輸延遲僅為35ns (典型值)，驅動器之間能夠保證2ns (
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Maxim MOSFET 驅動器 TTL
- 意法半導體日前推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產品擁有市場上最低的導通電阻，可以把功率轉換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。
新產品STV250N55F3是市場上首款整合ST PowerSO-10™ 封裝和引線帶楔焊鍵合技術的功率MOSFET，無裸晶片封裝的電阻率極低。新產品采用ST的高密度STripFET III™ 制程，典型導通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優(yōu)點包括：開關損耗低，抗雪崩性能強。除提高散熱效率外，九線源極連接配置還有助于
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MOSFET ST 意法半導體 晶體管
- 不同應用對功率半導體器件提出了新的需求，包括低功耗、高可靠性、高速度、小尺寸等，這些新的需求又對功率半導體器件的生產工藝提出了種種新的挑戰(zhàn)。
天津中環(huán)半導體股份有限公司技術部部長饒祖剛表示，性能不同的功率半導體器件滿足了差異化應用的需求，而這些不同功率半導體器件對制造工藝提出了多重挑戰(zhàn)。
功率器件要滿足差異化應用需求
功率半導體器件工作在大功率條件下，除了要具備低功耗的特點外，不同的應用還提出了一些新需求。例如，在電動車、混合動力汽車這樣的應用中，功率半導體器件需要
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功率半導體器件 低功耗 MOSFET
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅動器 LTC4446，用來驅動雙晶體管正激式轉換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅動器與功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉換器，或者可以配置為快速動作的高壓 DC 開關。
這個強大的驅動器以 1.2Ω 下拉阻抗驅動高端 MOSFET 時可以提供高達 2.5A 的電流
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凌力爾特 MOSFET 驅動器 轉換器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4447，該器件用來在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅動器加上功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器，就可組成一個完整的高效率同步穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉換器。
LTC4447 在一個 4V 至 6.5V 的電壓范圍內對上端和下端 MOSFET 柵極進行軌至軌驅動，并可從一個高達 38V 的電
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凌力爾特 MOSFET 驅動器 轉換器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB，該器件采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝，具有業(yè)界最小占位面積以及 1.2 V 時業(yè)界最低的導通電阻。
隨著便攜式電子設備的體積越來越小以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會極大減少。為實現(xiàn)消費者對用電池做電源的電子設備的更長運行時間的期望，
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Vishay MOSFET 芯片 手機 PDA 數(shù)碼相機 MP3 智能電話
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅動器 LTC4446，用來驅動雙晶體管正激式轉換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅動器與功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉換器，或者可以配置為快速動作的高壓 DC 開關。
這個強大的驅動器以 1.2Ω 下拉阻抗驅動高端 MOSFET 時可以提供高達 2.5A 的電流
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凌力爾特 MOSFET 驅動器 轉換器
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