與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術人員，以論
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SiC 講座 功率元件 氧化鎵
功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設備的諧波標準
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電源應用 碳化硅 肖特基二極管
基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
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氧化鎵 SiC 功率元件 MOSFET LED
與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源...
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SiC 功率元件 GaN 導通電阻
采用IMEC的SiC技術完成生物電信號采集,人體信息監(jiān)控是一個新興的領域，人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體積
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IMEC SiC 生物電信號采集
日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導體元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)構成。
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羅姆 半導體 SiC
由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點，SiC功率器件被廣泛應用于電動汽車/混合動力車中的逆變器、轉換器、PFC電路等領域、傳統(tǒng)工業(yè)(尤其是軍工)中的功率轉換領域以及太陽能、風能等新能源中的整流、逆變等領域，很多半導體廠商都看好SiC技術的未來，并積極投身其中，在08年收購生產(chǎn)SiC晶圓的德國SiCrystal公司之后，羅姆半導體(ROHM)已經(jīng)在SiC領域形成了從晶圓制造、前期工序、后期工序再到功率模塊的一條龍生產(chǎn)體系，并率先市場SiC器件的量產(chǎn)，羅姆要將SiC器件應用于哪些新興領域?如何發(fā)揮其
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羅姆 太陽能 SiC
全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)復合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結合了多個碳化硅二極管和多個功率晶體管，組成電源轉換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個功率半導體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電(如空調(diào))、PC服務器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品。
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瑞薩電子 功率器件 SiC
全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(TSE：6723，以下簡稱“瑞薩”)宣布開發(fā)出了肖特基勢壘二極管(SBD)RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料(SiC，注1)——這種材料被認為具有用于功率半導體器件的巨大潛力。這款新型SiC肖特基勢壘二極管適用于空調(diào)、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統(tǒng)。該器件還采用了日立株式會社與瑞薩聯(lián)合開發(fā)的技術，有助于實現(xiàn)低功耗。與瑞薩采用傳統(tǒng)硅(Si)的現(xiàn)有功率器件相比，其功耗大約降低了40%。
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瑞薩 半導體 碳化硅
碳化硅(SiC)功率器件領域的市場領先者科銳公司將繼續(xù)引領高效率電子電力模組變革，宣布推出業(yè)界首款符合全面認證的可應用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科銳碳化硅ZFET MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路，與傳統(tǒng)硅器件相比，可實現(xiàn)更高的能源效率。
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科銳 SiC MOSFET
日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業(yè)設備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設計，由于最大限度地利用了SiC器件的特點，從而大幅改善了電氣特性、機械特性，同時實現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
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羅姆 SiC MOS
日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV/HEV車(電動汽車/混合動力車)和工業(yè)設備的變頻驅(qū)動，開發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發(fā)的高耐熱樹脂，世界首家實現(xiàn)了壓鑄模類型、225℃高溫下工作，并可與現(xiàn)在使用Si器件的模塊同樣實現(xiàn)小型和低成本封裝，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
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羅姆 SiC
據(jù)羅姆中國營業(yè)本部村井美裕介紹，面對未來的50年，羅姆提出了“相乘戰(zhàn)略”、“功率器件戰(zhàn)略”、“LED戰(zhàn)略”和“傳感器戰(zhàn)略”四大企業(yè)戰(zhàn)略。
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羅姆 SiC LED
編者語：在現(xiàn)代工廠的機械設備中，電氣傳動系統(tǒng)所耗費的電能占到了60%~70%，采用節(jié)能傳動系統(tǒng)可以為機械設備降低...
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碳化硅 變頻器 節(jié)能
富士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設置碳化硅功率半導體的產(chǎn)線，未來預計在2012年春季開始量產(chǎn)。
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富士電機 SiC
碳化硅（sic）介紹
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