碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)

ROHM贊助上海同濟(jì)大學(xué)“DIAN Racing”電動(dòng)方程式車(chē)隊(duì)

　　近年來(lái)，出于地球溫室化對(duì)策和減少空氣污染的考慮，對(duì)汽車(chē)的環(huán)保性能要求越來(lái)越高。世界各國(guó)均已制定了新能源汽車(chē)的開(kāi)發(fā)和引進(jìn)計(jì)劃，未來(lái)新能源汽車(chē)的普及將會(huì)進(jìn)一步加速。其中，中國(guó)新能源汽車(chē)市場(chǎng)發(fā)展勢(shì)頭最為迅猛。隨著中國(guó)新能源汽車(chē)市場(chǎng)的迅速壯大和新能源汽車(chē)技術(shù)的快速發(fā)展，越來(lái)越多的中國(guó)新能源汽車(chē)品牌開(kāi)始走出國(guó)門(mén)，投身到波瀾壯闊的世界新能源汽車(chē)市場(chǎng)?！　∽鳛槿蛑雽?dǎo)體制造商， ROHM一直以來(lái)都將汽車(chē)市場(chǎng)為主要目標(biāo)領(lǐng)域，通過(guò)開(kāi)發(fā)并提供SiC元器件、電源IC、控制IC等滿(mǎn)足最新汽車(chē)電子化需求的創(chuàng)新型高
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電動(dòng)汽車(chē)打開(kāi)應(yīng)用窗口：SiC產(chǎn)品要來(lái)了！

隨著技術(shù)的不斷更新?lián)Q代，以及電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的巨大助力，SiC產(chǎn)品有望迎來(lái)快速增長(zhǎng)期。
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我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料制造設(shè)備取得新突破

　　近日，863計(jì)劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域“大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究”課題通過(guò)了技術(shù)驗(yàn)收。　　通常，國(guó)際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料稱(chēng)之為第三代半導(dǎo)體材料。其在禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和漂移速度、熱導(dǎo)率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢(shì)，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，由于第三代半導(dǎo)體材料的制造裝備對(duì)設(shè)備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場(chǎng)分布、設(shè)備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質(zhì)量和成品率的關(guān)鍵技術(shù)有很高的
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碳化硅電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀分析

碳化硅電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀分析-SiC電力電子器件中，SiC二極管最先實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。2001年德國(guó)Infineon公司率先推出SiC二極管產(chǎn)品，美國(guó)Cree和意法半導(dǎo)體等廠商也緊隨其后推出了SiC二極管產(chǎn)品。
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在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處

　　摘要　　本文評(píng)測(cè)了主開(kāi)關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測(cè)試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開(kāi)關(guān)管提升了開(kāi)關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對(duì)市場(chǎng)上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計(jì)影響較大?！　∏把浴　∈袌?chǎng)對(duì)開(kāi)關(guān)速度、功率、機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限?！　拵栋雽?dǎo)體器件因電、熱、機(jī)械等各項(xiàng)性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好，被認(rèn)為是硅半導(dǎo)體器件的替代技術(shù)。在這些新材料中，兼容硅
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制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開(kāi)始

　　接近62%的能源被白白浪費(fèi) 　　美國(guó)制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱(chēng)為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國(guó)制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點(diǎn)在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說(shuō)，而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車(chē)減重設(shè)計(jì)，本身也是為了降低能源消耗的問(wèn)題。在美國(guó)第二個(gè)創(chuàng)新研究院“美國(guó)電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點(diǎn)同樣在于能源的問(wèn)題。這是一個(gè)關(guān)于巨大的能源市場(chǎng)的創(chuàng)新中心。　　　　圖1：整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
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ROHM SiC在汽車(chē)領(lǐng)域的應(yīng)用

近年來(lái)，SiC(碳化硅)因其優(yōu)異的節(jié)能效果和對(duì)產(chǎn)品小型化、輕量化的貢獻(xiàn)，在新能源汽車(chē)、城市基礎(chǔ)設(shè)施、環(huán)境/能源，以及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。與同等額定電流的IGBT產(chǎn)品相比，SiC產(chǎn)品憑借更低的開(kāi)關(guān)損耗，可實(shí)現(xiàn)設(shè)備中冷卻機(jī)構(gòu)的小型化。同時(shí)，通過(guò)更高頻率的開(kāi)關(guān)動(dòng)作，還可實(shí)現(xiàn)線(xiàn)圈和電容器等周邊元器件的小型化?？梢?jiàn)，SiC是可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)設(shè)備節(jié)能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。
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走過(guò)疑慮 SiC器件終迎春天

在經(jīng)過(guò)多年的疑慮和猶豫之后，SiC器件終于迎來(lái)了春天。
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英飛凌開(kāi)始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊，在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號(hào)

　　效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢(shì)。c科技股份公司開(kāi)始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會(huì)上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺(tái)和拓?fù)?。如今，英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力。　　英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已達(dá)到轉(zhuǎn)折點(diǎn)，考慮到成本效益，它
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1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性

SiC在電源轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢(shì)。當(dāng)然，要進(jìn)行大批量生產(chǎn)，逆變器除了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能之外，還必須具備適當(dāng)?shù)目煽啃?，以及足夠的閾值電壓和以?yīng)用為導(dǎo)向的短路耐受能力等?？膳cIGBT兼容的VGS=15V導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿(mǎn)足這些要求。
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英飛凌開(kāi)始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊，在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號(hào)

　　效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢(shì)。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)開(kāi)始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會(huì)上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺(tái)和拓?fù)?。如今，英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力?！　∮w凌工業(yè)功率控
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三菱電機(jī)攜多款碳化硅功率器件亮相PCIM Asia 2017展

　　三菱電機(jī)于6月27至29日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia 2017(上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì))展會(huì)中，以十款新型功率器件強(qiáng)勢(shì)登場(chǎng)，其中第7代IGBT模塊更首次作全電壓、全封裝及全系列展出(三菱電機(jī)展位號(hào)：E06)?！　∪怆姍C(jī)以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來(lái)”為主題，今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域，包括：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)應(yīng)用和新能源發(fā)電，致力為客戶(hù)提供高性能及低損耗的產(chǎn)品?！　∽冾l家電市場(chǎng)　　在變頻家電應(yīng)用方面，三菱電機(jī)展出
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SiC集成技術(shù)的生物電信號(hào)采集方案設(shè)計(jì)

人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們?cè)O(shè)想開(kāi)發(fā)無(wú)線(xiàn)腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來(lái)診斷癲癇病人，可穿戴的無(wú)線(xiàn)EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過(guò)因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無(wú)線(xiàn)EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了.
關(guān)鍵字： SiC 集成技術(shù) 生物電信號(hào) 采集方案

基于SiC集成技術(shù)的生物電信號(hào)采集方案

人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們?cè)O(shè)想開(kāi)發(fā)無(wú)線(xiàn)腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來(lái)診斷癲癇病人，可穿戴的無(wú)線(xiàn)EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過(guò)因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無(wú)線(xiàn)EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何
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碳化硅肖特基二極管在電源中的應(yīng)用

功率因數(shù)校正（PFC）市場(chǎng)主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場(chǎng)的基本規(guī)定之一，在英國(guó)、日本和中國(guó)也存在類(lèi)似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過(guò)75W的離線(xiàn)設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)。由于北美沒(méi)有管理PFC的規(guī)定，能源節(jié)省和空間/成本的考慮成為在消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)和通信領(lǐng)域中必須使用PFC的
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