首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅（sic）

碳化硅（sic） 文章 進入碳化硅（sic）技術社區(qū)

汽車功率元器件市場前景廣闊

  • 　　雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長，2015 - 2020年該行業(yè)的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示，該車型物料清單中包含100多個電源相關芯片。　　與遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進邏輯晶體管不同，功率元器件FET通常運用更老的技術節(jié)點，使用200毫米(和
  • 關鍵字： SiC  GaN  

功率半導體：自主可控迫在眉睫 產(chǎn)業(yè)地位穩(wěn)步提升

  • 　　與市場的不同的觀點:傳統(tǒng)觀點認為功率半導體競爭格局固定,技術升級步伐相對緩慢,與集成電路產(chǎn)業(yè)的重要性不可同日而語,中泰電子認為隨著新能源車和高端工控對新型功率器件的需求爆發(fā),功率半導體的產(chǎn)業(yè)地位正在逐步提升,其重要性不亞于規(guī)模更大的“集成電路”。大陸半導體產(chǎn)業(yè)的崛起需要“兩條腿走路”(集成電路+功率器件),由于功率半導體的重要性被長期低估,我國功率半導體產(chǎn)業(yè)存在規(guī)模小、技術落后、品類不全等諸多不足,適逢我國半導體投融資漸入高峰期,行業(yè)龍頭有望率先受益。大
  • 關鍵字： 功率半導體  SiC  

電源設計控必須了解的2017三大趨勢

  • 　　2017電源市場需求和技術趨勢風向如何?來e星球，與超六萬的專業(yè)人士一起把握潮流!　　需求往往是推動創(chuàng)新的源泉，無論是時尚、金融亦或是我們熟悉的電源領域都存在這樣的現(xiàn)象。抓住了用戶需求，潛在的創(chuàng)新動力才會被激發(fā)，也只有適應需求的創(chuàng)新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng)新著力點在哪?帶著疑問與期盼請來亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過6萬多名的專業(yè)觀眾以及眾多的國內外領先電源廠商集聚上海新國際博覽中心，深度探討2017年中國電源市場需求與走勢，
  • 關鍵字： SiC  GaN  

ROHM參展“2017慕尼黑上海電子展” 五大解決方案蓄勢待發(fā)

  • 　　2017年3月14日(周二)~16日(周四)，全球知名半導體制造商ROHM將亮相在"上海新國際展覽中心"舉辦的"2017慕尼黑上海電子展"。屆時ROHM將在E4館設有展位(展位號：4100)，向與會觀眾展示ROHM最新的產(chǎn)品與技術。來到現(xiàn)場還將有ROHM的專業(yè)技術人員向您做最詳盡的介紹，期待您的到來?！　OHM展位信息　　"慕尼黑上海電子展"不僅是亞洲領先的電子行業(yè)展覽，還是行業(yè)內最重要的盛會。而作為擁有近60年歷史的綜合性半導體制造商，&
  • 關鍵字： ROHM  SiC  

新型激光材料加工專利大幅提升SiC生產(chǎn)率

  • 　　日本 DISCO 公司的科學家們使用一種稱為關鍵無定形黑色重復吸收(key amorphous-black repetitive absorption，KABRA)的專利和正在申請專利的激光材料加工技術，可以將碳化硅(SiC)晶圓的生產(chǎn)率提升到原來的四倍，并且在提高產(chǎn)量的同時減少材料損耗。該技術適用于單晶和多晶錠，不管晶體層的取向如何。目前，SiC 功率器件在市場中的滲透較慢，主要是因為其產(chǎn)量小、且生產(chǎn)成本高。然而，KABRA 方法能夠顯著提高 SiC 器件的產(chǎn)量，并且應該能夠使 SiC 器件作為功率
  • 關鍵字： SiC  

“十三五”期間，功率半導體產(chǎn)業(yè)應有怎樣的路線圖？

  • 　　如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟，功率半導體就是電機的心臟，它可以實現(xiàn)對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》，勾勒出未來十年產(chǎn)業(yè)轉型升級的整體方向與發(fā)展規(guī)劃，在此過程中，功率半導體發(fā)揮的作用不可替代。 　　然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進口額與石油進行比較，其實如果按比例計算，我國功率半導體的進口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
  • 關鍵字： 功率半導體  SiC  

【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

  • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
  • 關鍵字： GaN  SiC  

【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

  • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
  • 關鍵字： GaN  SiC  

【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件

  • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
  • 關鍵字： GaN  SiC  

第三代半導體技術、應用、市場全解析

  • 第一代半導體材料是元素半導體的天下，第一代半導體材料是化合物半導體材料，然而隨著半導體器件應用領域的不斷擴大，特別是特殊場合要求半導體能夠在高溫、強輻射、大功率等環(huán)境下依然堅挺，第一、二代半導體材料便無能為力，于是賦予使命的第三代半導體材料——寬禁帶半導體材料誕生了。
  • 關鍵字： 寬禁帶半導體  SiC  

無畏氮化鎵角逐中功率市場　碳化硅功率元件/模組商機涌現(xiàn)

  • 　　有鑒于全球環(huán)保意識抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開發(fā)優(yōu)勢，其功率模組在再生能源與車用電子領域，商機已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場的氮化鎵，則將緩步進軍中功率市場。 　　可以彌補天然能源不足缺口的再生能源設備，為聚焦于中功率、高功率應用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(Toyota)在電動車中導入碳化矽(SiC)元件的測試結果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過矽元件。 　　臺達電技術長暨總
  • 關鍵字： SiC  GaN  

11月8日：ROHM為汽車推出新一代SiC、LED方案

  • 　　ROHM新聞發(fā)布會上，首先宣布最新的第三代SiC技術，包括SiC MOSFET、SiC SBD(肖特基勢壘二極管)、SiC模塊，提供更高的功率密度可靠性和更高的能效。據(jù)悉，相比平面(planar)柵型SiC MOSFET，新一代SiC MOSFET在整個溫度范圍內減少Rdson 50%，在同樣芯片尺寸下減少35%輸入電容器?！　OHM的德國發(fā)言人(左1)介紹了車用外部LED燈,ROHM方案精度更高，用于車前燈。還有LED矩陣控制器，使電路配置更容易、
  • 關鍵字： ROHM  SiC  

世界各國第三代半導體材料發(fā)展情況

  • 技術創(chuàng)新是推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展的永恒動力，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導體材料憑借著其優(yōu)異的特性得到了世界各國的高度重視，從國際競爭角度看，美、日、歐等發(fā)達國家已將第三代半導體材料列入國家計劃，并展開全面戰(zhàn)略部署，欲搶占戰(zhàn)略制高點。
  • 關鍵字： 半導體  SiC  

技術講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件

  • 與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術人員，以論
  • 關鍵字： SiC  講座  功率元件  氧化鎵    

氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？

  • 伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。
  • 關鍵字： 氮化鎵  碳化硅  
共613條 34/41 |‹ « 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 »

碳化硅（sic）介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅（sic）!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅（sic）的理解，并與今后在此搜索碳化硅（sic）的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473