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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 靜態(tài)隨機存儲器（sram）

靜態(tài)隨機存儲器（sram） 文章 進入靜態(tài)隨機存儲器（sram）技術社區(qū)

使用高速SRAM設計電池支持型存儲器

  • 　　嵌入式系統(tǒng)的性能取決于其軟硬件能力。一個編寫合理的軟件可以利用硬件的所有能力發(fā)揮后者的最大性能。與此類似，無論軟件設計多么合理，低效的硬件都可能影響系統(tǒng)性能?！　?shù)十年來，傳統(tǒng)嵌入式系統(tǒng)的結構一直沒有改變。圖1顯示了一個典型嵌入式系統(tǒng)的框圖。一個微控制器和一個微處理器位于系統(tǒng)的核心。按照具體應用，系統(tǒng)設計人員可根據(jù)需要刪減接口和外設。如果控制器的內(nèi)置存儲器不足，就需要使用閃存、SRAM、DRAM等外置存儲器。通常而言，閃存用于存儲控制器執(zhí)行的代碼，而SRAM用于存儲運行時臨時變量和保存重要的應用數(shù)據(jù)塊
  • 關鍵字： SRAM  存儲器  

Zeno開發(fā)特殊SRAM　可提升MOS結構效能

  • 　　Zeno Semiconductor日前開發(fā)出將最小靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)納入單一MOS電晶體技術，不僅其采用記憶單元(bit-cell)數(shù)量變多，存取時間也可大幅縮短4成。　　據(jù)EE Times網(wǎng)站報導，Zeno在國際電子零組件會議(International Electron Devices Meeting)上展示這項新技術。Zeno執(zhí)行董事長Zvi Or-Bach表示，該技術之所以讓N型MOS電晶體做為穩(wěn)定SRAM，主要是透過采
  • 關鍵字： Zeno  SRAM　  

10nm SRAM、10核心芯片亮相ISSCC

  • 　　一年一度的“國際固態(tài)電路會議”(ISSCC)將在明年2月舉行，幾乎所有重要的晶片研發(fā)成果都將首度在此公開發(fā)布，讓業(yè)界得以一窺即將面世的最新技術及其發(fā)展趨勢。三星(Samsung)將在ISSCC 2016發(fā)表最新的10nm制程技術、聯(lián)發(fā)科(MediaTek)將展示采用三叢集(Tri-Cluster)架構搭載十核心的創(chuàng)新行動SoC。此外，指紋辨識、視覺處理器與3D晶片堆疊以及更高密度記憶體等技術也將在此展示最新開發(fā)成果。 　　   　　三星將提供更多DRAM與快
  • 關鍵字： SRAM  ISSCC  

三星成功開發(fā)10納米FinFET SRAM 10納米邏輯制程量產(chǎn)更近一步

  • 　　在英特爾(Intel)、臺積電的SRAM仍停留在14納米、16納米制程時，三星電子(Samsung Electronics)已搶先研發(fā)出10納米FinFET制程SRAM，這也意味著距離10納米邏輯芯片量產(chǎn)更近一步?！　∷俣容^DRAM快的SRAM，可運用為中央處理器(CPU)緩存存儲器。完成研發(fā)10納米SRAM，也意味著三星在同制程系統(tǒng)芯片生產(chǎn)準備作業(yè)正順利進行。照此趨勢，2017年初將可正式量產(chǎn)采10納米制程的移動應用處理器(AP)。10納米AP將與GB級數(shù)據(jù)機芯片整合，移動裝置速度將更快。　　據(jù)南韓
  • 關鍵字： 三星  SRAM   

串行和并行接口SRAM對比

  • 　　外置SRAM通常配有一個并行接口?？紤]到大多數(shù)基于SRAM的應用的存儲器要求，選擇并行接口并不令人驚訝。對于已經(jīng)(和仍在)使用SRAM的高性能(主要是緩存)應用而言，與串行接口相比，并行接口擁有明顯優(yōu)勢。但這種情況似乎即將改變。 　　盡管能夠提供高于串行接口的性能，但并行接口也有劣勢。其中最明顯的是，無論是從電路板空間還是從引腳數(shù)要求的角度而言，并行接口的尺寸都遠遠大于串行接口。例如，一個簡單的4Mb SRAM最多可能需要43個引腳才能與一個控制器相連。在使用一個4Mb SRAM時，我們的要求可能如
  • 關鍵字： 賽普拉斯  SRAM  

PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等存儲器比較

  • 　　PROM、EEPROM、FLASH的總結性區(qū)別 　　EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結構。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一個附加的Transister組成，由于FLOTOX的特性及兩管結構，所以可以單元讀/寫。技術上，F(xiàn)LASH是結合EPROM和EEPRO
  • 關鍵字： SRAM  DRAM  

存儲器革新將引發(fā)電子產(chǎn)業(yè)蝴蝶效應？

  • 　　經(jīng)過幾十年的發(fā)展，電子產(chǎn)業(yè)幾乎已成為一個線性系統(tǒng)，并被摩爾定律(Moore‘sLaw)左右。然而隨著摩爾定律逐漸出現(xiàn)松動，越來越多新技術開始浮上臺面。這些技術不僅僅是既有技術的改進，而是全面的變革。電子產(chǎn)業(yè)可望借由這些新技術轉型成為非線性系統(tǒng)，推翻多年來電子產(chǎn)業(yè)所定立的主張。 　　存儲器技術近年的發(fā)展，可能就此改變存儲器與處理技術在1940年代便已確立的關系。連續(xù)存儲器配置的效率盡管不斷受到挑戰(zhàn)，但系統(tǒng)的惰性使得這種配置幾十年來維持不變。 　　即使在對稱多處理系統(tǒng)中，存儲器的配置仍多是
  • 關鍵字： 存儲器  SRAM  

中國集成電路海外并購熱過頭了？

  • 并購有助于填補中國集成電路產(chǎn)業(yè)空白、完成初級階段的布局、帶來規(guī)模效應，但并購不能帶來產(chǎn)業(yè)先進，還是要靠自己持續(xù)不斷的研發(fā)投入，做出真正意義上的世界級原創(chuàng)技術，才能讓中國集成電路站到超越先進的層面。
  • 關鍵字： 集成電路  SRAM  

ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別

  • 　　ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。 　　ROM在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持數(shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計算 　　機的內(nèi)存。 　　RAM 　　有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM(StaticRAM/SRAM)，SRAM速度非?？?，是目前讀寫最快的存儲設備了，但 　　是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。另一種稱為動態(tài)RA
  • 關鍵字： ROM  RAM  SRAM  

賽普拉斯推出具備片上錯誤校正碼的高性能同步SRAM，確保卓越的可靠性

  • 　　靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)市場領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，推出業(yè)界最高容量的其具有片上錯誤校正碼(ECC)的同步SRAM。新的36Mb同步SRAM集成了ECC功能，使之可以提供最高水平的數(shù)據(jù)可靠性，簡化多種軍用、通訊和數(shù)據(jù)處理應用的設計。賽普拉斯今年計劃擴充具備ECC功能的同步SRAM產(chǎn)品線，增加其他容量的產(chǎn)品。 　　由背景輻射引起的軟錯誤可損壞存儲器中的內(nèi)容，造成重要數(shù)據(jù)的遺失。賽普拉斯新型同步SRAM系列中的硬件ECC模塊可在線執(zhí)行所有的錯誤校正功能，而無需用戶干預，能達到業(yè)界最佳的軟
  • 關鍵字： 賽普拉斯  SRAM  

賽普拉斯的異步SRAM系列又添新丁 具有片上錯誤校正碼的4Mb器件橫空出世

  • 　　靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)市場領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，其具有錯誤校正碼(ECC)的4Mb異步SRAM正在出樣。這些新款SRAM的片上ECC功能可提供最高水平的數(shù)據(jù)可靠性，而無需額外的錯誤校正芯片，從而簡化了設計，并縮小了電路板尺寸。該器件可在工業(yè)、軍事、通訊、數(shù)據(jù)處理、醫(yī)療、消費及汽車等應用中確保數(shù)據(jù)的可靠性。 　　由背景輻射引起的軟錯誤可損壞存儲器中的內(nèi)容，造成重要數(shù)據(jù)的遺失。賽普拉斯新型異步SRAM系列中的硬件ECC模塊可在線執(zhí)行所有的錯誤校正功能，而無需用戶干預，能達到業(yè)界最
  • 關鍵字： 賽普拉斯  SRAM  

賽普拉斯的異步SRAM系列又添新丁，具有片上錯誤校正碼的4Mb器件橫空出世

  • 　　靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)市場領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，其具有錯誤校正碼(ECC)的4Mb異步SRAM正在出樣。這些新款SRAM的片上ECC功能可提供最高水平的數(shù)據(jù)可靠性，而無需額外的錯誤校正芯片，從而簡化了設計，并縮小了電路板尺寸。該器件可在工業(yè)、軍事、通訊、數(shù)據(jù)處理、醫(yī)療、消費及汽車等應用中確保數(shù)據(jù)的可靠性。 　　由背景輻射引起的軟錯誤可損壞存儲器中的內(nèi)容，造成重要數(shù)據(jù)的遺失。賽普拉斯新型異步SRAM系列中的硬件ECC模塊可在線執(zhí)行所有的錯誤校正功能，而無需用戶干預，能達到業(yè)界最
  • 關鍵字： 賽普拉斯  SRAM  

IBM持續(xù)提升磁帶儲存密度

  • 　　IBM Research 宣布創(chuàng)下磁帶(magnetic tape)儲存最高密度的世界紀錄──在富士(FujiFilm)為其研究案特別開發(fā)的低成本微粒(particulate)磁帶上達到每平方英寸1,230億位元(123 billion bits)未壓縮資料的儲存密度。該技術一旦商業(yè)化，可讓今日的6 Gbyte磁帶盒(cartridge)儲存容量擴充到220 Terabyte。 　　負責磁帶技術開發(fā)的IBM Research研究經(jīng)理Mark Lantz表示：“新技術可確保我們在接下來十年
  • 關鍵字： IBM  SRAM  

SRAM在新一代IoT和可穿戴嵌入式設計中的作用

  • 　　上世紀90年代中期，英特爾決定把SRAM整合到自己的處理器中，這給世界各地的獨立式SRAM供應商帶來“滅頂之災”。最大的SRAM市場(PC高速緩存)一夜之間銷聲匿跡，只留下少數(shù)細分市場應用。SRAM的“高性能存儲器(訪問時間短、待機功耗小)”價值主張因其較高的價格和容量限制(目前的最高容量是288Mb)而高度受限。由于SRAM每個單元有四到六個晶體管，幾乎無法與DRAM和閃存競爭(這兩種存儲器每個單元只有1個晶體管);每個單元的晶體管數(shù)越少就意味著板容量
  • 關鍵字： 賽普拉斯  SRAM  

世界最小延遲的網(wǎng)絡交換機采用賽普拉斯QDR-IV SRAM

  • 　　靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)市場領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，網(wǎng)絡設備制造商Exablaze在其ExaLINK Fusion網(wǎng)絡交換機中選用了賽普拉斯的QDR-IV SRAM。該交換機采用了一種將賽靈思Ultrascale FPGA與QDR-IV存儲器對接的模塊化設計。ExaLINK Fusion采用了賽普拉斯最快的QDR-IV器件，頻率為1066 MHz，是市場上最高隨機存取速率(RTR)的存儲器。 　　RTR的意思是每秒完全隨機存儲器訪問次數(shù)，是影響高速線卡和交換機速率的存儲器性能關鍵
  • 關鍵字： 賽普拉斯  SRAM  
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靜態(tài)隨機存儲器（sram）介紹

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