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Gartner：2017全球半導(dǎo)體產(chǎn)值預(yù)計(jì)大漲19.7％

  • 　　研調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值可望達(dá)4111億美元，將較去年成長19.7%，是7年來成長最強(qiáng)勁的一年。 　　Gartner指出，存儲(chǔ)器供不應(yīng)求，尤其是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)，是驅(qū)動(dòng)今年整體半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)值成長的主要?jiǎng)恿ΑｋS著存儲(chǔ)器成本增加，材料清單成本高于電子設(shè)備部分，Gartner表示，已有代工廠調(diào)高價(jià)格因應(yīng)。 　　展望未來，Gartner預(yù)期，明年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值可望進(jìn)一步攀高至4274億美元，將較今年再成長4%;只是隨著供應(yīng)商增產(chǎn)，存儲(chǔ)器市場(chǎng)恐將反轉(zhuǎn)，2019年全球半導(dǎo)體產(chǎn)
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LPDDR價(jià)格飆漲 2018年8GRAM依然供不應(yīng)求

  • 　　據(jù)外媒報(bào)道，DRAMeXchange的最新報(bào)告指出，用于移動(dòng)設(shè)備的LPDDR DRAM協(xié)議價(jià)在今年第四季度將上漲10%～15%。 　　此前，LPDDR的價(jià)格是低于PC、服務(wù)器等平臺(tái)的，但這些年需求越來越猛，生產(chǎn)企業(yè)們也開始打起高利潤的主意。所以，不排除一些已經(jīng)發(fā)布的千元機(jī)和尚未發(fā)布的千元機(jī)會(huì)在其售價(jià)上做出調(diào)整的可能。而旗艦機(jī)方面，因?yàn)楸旧砭彌_空間較大，暫時(shí)不會(huì)受到?jīng)_擊。 　　因?yàn)镈RAM在整個(gè)2018年的產(chǎn)能依然都弱于需求，預(yù)計(jì)安卓?jī)?nèi)存的軍備競(jìng)賽會(huì)暫時(shí)停留在8GB，甚至像三星、華為等依然維持6GB
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DRAM漲潮再起 誰才是真正贏家？

  • DRAM供貨吃緊的情況下，其再次出現(xiàn)價(jià)格瘋漲現(xiàn)象，在NAND Flash以及DRAM市場(chǎng)漲潮不斷的這場(chǎng)角逐中，也許大家都是贏家。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND   

DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

  • DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
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DRAM原理 5 ：DRAM Devices Organization

  • DRAM原理 5 ：DRAM Devices Organization-隨著系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統(tǒng)會(huì)接入多個(gè) DRAM Devices。而多個(gè) DRAM Devices 不同的組織方式，會(huì)帶來不同的效果。本文將對(duì)不同的組織方式及其效果進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。
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次世代記憶體換當(dāng)家？關(guān)于新當(dāng)家的那點(diǎn)事

  • 次世代記憶體換當(dāng)家？關(guān)于新當(dāng)家的那點(diǎn)事-據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)導(dǎo)，IBM 和三星在電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)（IEEE）發(fā)布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發(fā)的STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)10 奈秒（nanosecond）的傳輸速度和超省電架構(gòu)，理論上表現(xiàn)超越DRAM。韓國半導(dǎo)體業(yè)者指出，16納米將是DRAM微縮制程的最后極限，包括FRAM在內(nèi)的多種次世代存儲(chǔ)（其它包括MRAM）備受期待。
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DRAM 原理 2 ：DRAM Memory Organization

  • DRAM 原理 2 ：DRAM Memory Organization-在 DRAM Storage Cell 章節(jié)中，介紹了單個(gè) Cell 的結(jié)構(gòu)。在本章節(jié)中，將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。
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手把手教你FPGA存儲(chǔ)器項(xiàng)使用DRAM

  • 　　某些FPGA終端，包含板載的、可以動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問的存儲(chǔ)塊(DRAM)，這些存儲(chǔ)塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高。　　DRAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以非常快。針對(duì)一些特殊應(yīng)用，比如：瞬時(shí)帶寬非常高，而且有要保存原始數(shù)據(jù)的時(shí)候，就可以用DRAM做一個(gè)大的FIFO緩沖?！　RAM的大小每塊板卡可能不同，一般在官網(wǎng)中對(duì)應(yīng)板卡的說明中都會(huì)標(biāo)明DRAM的大小(如果有DRAM的話)。比如，PXIe-7966R就有512M的DRAM空間?！　ttp://sine.ni.com/n
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內(nèi)存條掀起的漲價(jià)潮：國產(chǎn)手機(jī)漲價(jià) 三星成最大贏家

  • 　　“2017年DRAM價(jià)格漲幅將達(dá)到39%”，ICInsights在2017年第三季度做出預(yù)計(jì)。當(dāng)下，以DRAM為代表的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器在全球范圍內(nèi)掀起漲價(jià)潮。 　　DRAM作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的產(chǎn)品類型之一，常見產(chǎn)品形態(tài)是內(nèi)存條，主要的兩個(gè)應(yīng)用市場(chǎng)是PC和智能手機(jī)。據(jù)京東商城官網(wǎng)顯示，金士頓DDR424008G臺(tái)式機(jī)內(nèi)存在半年內(nèi)價(jià)格從400元左右漲至800元左右，同時(shí)金立集團(tuán)董事長劉立榮在9月25日媒體交流會(huì)上稱，國產(chǎn)手機(jī)下半年仍會(huì)漲價(jià)，部分原因是內(nèi)存成本上升。 　　集邦咨詢半導(dǎo)體
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內(nèi)存條掀起的漲價(jià)潮：國產(chǎn)手機(jī)漲價(jià) 三星成最大贏家

  • 存儲(chǔ)器作為一種根據(jù)庫存、需求、產(chǎn)能因素變化而具有明顯周期性的行業(yè)，這一輪漲價(jià)大幅增加了國產(chǎn)智能手機(jī)和PC廠商的成本，目前部分智能手機(jī)已經(jīng)漲價(jià)，幅度在100~500元不等。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  三星  

威剛:DRAM缺貨延續(xù)至明年第2季

  • 　　臺(tái)灣內(nèi)存模塊廠威剛指出，由于服務(wù)器、智能手機(jī)及 PC 等 3 大市場(chǎng)在下半年需求陸續(xù)回溫， DDR4 在需求面三箭齊發(fā)下處于全面性的嚴(yán)重缺貨。 不但價(jià)格持續(xù)走揚(yáng)，PC 大廠及渠道客戶也積極備貨，NAND Flash 閃存也在中國智能手機(jī)大廠積極備貨的推動(dòng)下，價(jià)格仍呈多頭格局。 　　威剛進(jìn)一步指出，在國際數(shù)據(jù)中心大廠對(duì) DRAM 需求快速擴(kuò)張之下，全球 DRAM 廠 2017 年皆無新增產(chǎn)線的投入，上游 DRAM 廠多以移轉(zhuǎn) PC DRAM 產(chǎn)能因應(yīng)，導(dǎo)致 PC DRAM 供給面臨嚴(yán)重的產(chǎn)能排擠效應(yīng)，
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分析師：顯卡價(jià)格將水漲船高 短期不可能回落

  • 　　AMD今年的新顯卡系列在性能上能與老對(duì)手NVIDIA的產(chǎn)品相匹敵，因此不少人覺得雙方的競(jìng)爭(zhēng)會(huì)拉低顯卡價(jià)格。但是，分析師卻并不這么認(rèn)為。 　　日本瑞穗金融集團(tuán)分析師Vijay Rakesh認(rèn)為，NVIDIA顯卡在下季度不僅會(huì)需求高漲，銷量可能也會(huì)超過預(yù)期30-50%之多。但這些需求增長并非來自于游戲玩家，而是加密貨幣礦工。 　　由于需求增長幅度如此之高，供應(yīng)鏈也遭遇了非常大的壓力，因?yàn)橹圃祜@卡所需的DRAM已經(jīng)開始出現(xiàn)短缺。根據(jù)行業(yè)研究公司ICInsight的預(yù)計(jì)，DRAM的每比特價(jià)格將提高40%，
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晉華明年第四季完成DRAM第一階段開發(fā)

  • 　　聯(lián)電和兩名員工遭到內(nèi)存大廠美光指控妨礙營業(yè)秘密，并遭到臺(tái)中地檢署起訴，共同總經(jīng)理簡(jiǎn)山杰認(rèn)為是遭到「商業(yè)間諜」構(gòu)陷入罪，但強(qiáng)調(diào)DRAM計(jì)劃不變，將于明年第4季完成第一階段技術(shù)開發(fā)。 　　聯(lián)電DRAM項(xiàng)目主要與福建晉華合作。 　　簡(jiǎn)山杰表示，對(duì)于司法中的案件原本不應(yīng)多言，但聯(lián)電極有可能碰到所謂的「商業(yè)間諜」，高度懷疑「帶槍投靠」是假的，可能「構(gòu)陷入罪」才是真。 簡(jiǎn)山杰質(zhì)疑，主要涉案員工夫婦本來都在美光上班，其中先生去年4月主動(dòng)跳槽聯(lián)電;據(jù)說，遭檢方搜索以后，妻子就被美光停職;涉案人全數(shù)認(rèn)罪后，妻子就復(fù)
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將DRAM技術(shù)根留臺(tái)灣的聯(lián)電 為何硬被扣上竊密罪

  • 員工有無竊取機(jī)密資料可以查證，企業(yè)有無教唆員工偷竊，也可以透過證據(jù)來佐證，但如何定義一家企業(yè)“積極”與“未積極”防范∕規(guī)范員工的行為，這十分兩難。
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看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM

  • 　　你如果問當(dāng)前內(nèi)存市場(chǎng)是誰的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制著內(nèi)存市場(chǎng),當(dāng)前都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。不過,在內(nèi)存天下三分的大背景下,新一代存儲(chǔ)技術(shù)3D X-point、MRAM、RRAM等開始發(fā)出聲音, RRAM非易失性閃存技術(shù)是其中進(jìn)展較快的一個(gè)。到目前為止,RRAM的發(fā)展進(jìn)程已經(jīng)超越了英特爾的3D X-point技術(shù), Crossbar公司市場(chǎng)和業(yè)務(wù)拓展副總裁Sylvain Dubois在2017中芯國際技術(shù)研討會(huì)上接受與非網(wǎng)的采訪時(shí)說:&ldquo
  • 關(guān)鍵字： RRAM  DRAM  
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